Сегодня 30 мая 2016
18+
3DNewsНовости Hardwareразработка и производство электроникиВ Нью-Йорке появится центр изучения проб...
Новости Hardware

В Нью-Йорке появится центр изучения проблем EUV-литографии

Переход на сканеры для полупроводниковой литографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм не просто назрел, он перезрел, как минимум на пять, а то и больше лет. Давным-давно производители собирались начать использовать EUV-литографию в 2005 году или около того. Череда больших и малых кризисов поломала эти планы. Кризис «доткомов», кризис перепроизводства компьютерной памяти, корпоративный кризис, финансово-кредитный кризис 2008 года, начало сокращения рынка ПК — это всё сдерживало серьёзные капитальные вливания в принципиально новое оборудование. Тянули на старом: прогоняли по две проекции с чуть смещёнными фотошаблонами, играли с полутенями и интерференцией, для повышения разрешающей способности погружали оптику проекторов в жидкости — 193-нм сканеры всё работали и работали. До техпроцесса с нормами 7 нм, как оказалось, без EUV-проекции всё ещё можно обойтись. Дальше — себе дороже. Иными словами, переход на EUV-проекцию всё-таки назрел.

Типичная оптическая колонна для 193-нм сканеров

Типичная оптическая колонна для 193-нм сканеров

К сожалению, EUV-сканеры — это ещё не всё, что необходимо для перехода на новое оборудование. Для работы с EUV-излучением требуются новый светочувствительный материал — фоторезист, а также фотомаски из другого материала. Излучение очень жёсткое и традиционные материалы быстро и надёжно разрушаются под его воздействием. Стоимость фотомасок давно приблизилась к одному миллиону долларов США за каждую, и никто в здравом уме не собирается сжигать такую дорогую вещь за один проход. Также надо учитывать, что оптическая система EUV-сканеров работает на отражении — через систему фокусирующих зеркал, тогда как оптическая система современных сканеров работает на просвет. Соответственно, новые фотомаски должны быть зеркальными, а не прозрачными. В общем, нерешённых проблем остаётся много, а времени до желательного начала производства с помощью EUV-сканеров всё меньше. Индустрия жаждет начать коммерческое использование EUV-сканеров в 2018 или в 2019 году — через два-три года.

Общий принцип организации оптической системы EUV-установки

Общий принцип организации оптической системы EUV-установки

Можно ожидать, что многих проблем, связанных с EUV-литографией, в одиночку не решить — они комплексные, а решение требует значительных затрат на исследования. В связи с этим компания GlobalFoundries и Политехнический Институт SUNY (штат Нью-Йорк) договорились создать центр по изучению проблем EUV-литографии. Центр будет решать вопросы с применением EUV-сканеров для производства полупроводников с нормами 7 нм и меньшими. Предусмотренный объём финансирования — 500 млн долларов CША в течение пяти лет. Центр получит один сканер ASML NXE:3300 и примет на работу около 100 человек исследователей. Создаётся ощущение, что организаторы опоздали с этим центром лет на пять, но лишним он всё равно не будет даже сейчас.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.


Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.