Сегодня 25 мая 2016
18+
3DNewsНовости Hardwareмодули ОЗУ, карты памяти, флеш-накопител...Samsung первой осваивает массовый выпуск...
Новости Hardware

Samsung первой осваивает массовый выпуск 18-нм памяти DRAM

На фоне снижения спроса на персональные компьютеры дешевеет компьютерная память типа DRAM. Для производителей памяти это означает, что надо либо снижать объёмы производства, чтобы спрос стабильно превалировал над предложением (спекуляция), либо совершенствовать производство и выпускать память с меньшей себестоимостью.

Все предшествующие годы вопрос со снижением себестоимости решался относительно просто — производители снижали технологические нормы производства и повышали число кристаллов на пластине. Например, переход с 30-нм норм производства DRAM на 20-нм нормы увеличивал число кристаллов на пластине на 30 %. Непосредственно себестоимость снижалась на меньшее значение (мешали сопутствующие переходу затраты), но в случае массового производства экономия получалась существенная. И всё было хорошо, пока производители не упёрлись в проблемы дальнейшего снижения масштаба техпроцесса.

Микросхемы памяти компании Samsung (Samsung)

Микросхемы памяти компании Samsung (Samsung)

С переходом на нормы производства класса 10 нм возникли следующие основные трудности. Во-первых, для переноса изображения на пластину требуется уже не два, а три и даже четыре фотошаблона и, соответственно, такое же увеличение числа циклов обработки пластины. Во-вторых, конденсатор ячейки памяти для хранения заряда (информации) стал настолько мал, что для повышения его ёмкости до необходимой требуется его физически очень сильно растягивать, что чревато появлением дефектов. В-третьих, из-за сближения ячеек (конденсаторов) электроны начинают туннелировать между конденсаторами и происходит потеря данных. Помимо перечисленных есть масса других трудностей, но это основные.

Инновационная сотовая структура памяти DRAM компании Samsung для техпроцессов от 20 нм и меньше (Samsung)

Инновационная сотовая структура памяти DRAM компании Samsung для техпроцессов от 20 нм и меньше (Samsung)

Как сообщают южно-корейские источники, компания Samsung успешно решила все проблемы и готова во втором квартале приступить к массовому производству памяти DRAM с использованием 18-нм техпроцесса. Это будет первое в мире производство кристаллов памяти с нормами класса 10 нм. Утверждается, что компания Micron отстаёт в этом от Samsung на целых два года. Ранее также сообщалось, что компания SK Hynix приступит к опытному производству 18-нм кристаллов DRAM в конце 2016 года. Иначе говоря, в условиях сжимающегося рынка Samsung сможет предложить более интересную по цене память.

Впрочем, на первых порах компания намеревается продвигать 18-нм микросхемы DRAM в наиболее прибыльных сегментах — для серверов и ноутбуков. Для расширения выпуска 18-нм микросхем DRAM компания будет докупать производственное оборудование во второй половине текущего года и после его ввода в строй начнёт предлагать 18-нм DRAM для настольных ПК.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.


Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.