12.08.2008 [20:20], Александр Бакаткин
Японская компания Elpida Memory, специализирующаяся на разработке и производстве интегральных микросхемах памяти, сообщила о новом достижении – создании производительной микросхемы оперативной памяти стандарта DDR3, способной передавать данные на скорости до 2,5 Гбит/с. При этом емкость микрочипа составляет 1 Гбит. Согласно информации от разработчиков, их решение позиционируется в сектор оперативной памяти для серверных систем и высокопроизводительных персональных компьютеров.
Одной из особенностей представленных микросхем стало использование меди при формировании проводящих слоев, заменившей алюминий, что и позволило повысить производительность устройств без повышения потребляемой ими мощности.
Новые микросхемы способны работать в нескольких режимах, варьируя свою производительность от 667 Мбит/с до 2,5 Гбит/с, при этом диапазон рабочих напряжений составляет от стандартных 1,5 Вольт до ультранизких 1,35 Вольт и 1,2 Вольт. Отметим, что на сегодняшний день стандартом является пропускная способность в 1,6 Гбит/с при рабочем напряжении 1,5 Вольт.
Таким образом, новинки вполне возможно использовать для создания как высокопроизводительных устройств оперативной памяти, так и рекордно экономичных. Напоследок отметим, что первые поставки образцов микросхем должны стартовать в конце августа.
Материалы по теме:
- DRAM-чипы DDR3-2000 от Elpida с напряжением 1,5 В;
- Память DDR3L - низковольтная версия DDR3;
- Hynix: самые быстрые и ёмкие мобильные чипы LPDDR2.
ВКонтакте