27.02.2008 [20:15], Вячеслав Кононов
На проходящей в г. Сан-Хосе (США) конференции по развитию литографического оборудования SPIE Advanced Lithography Conference, представители компаний AMD и IBM показали собравшимся работающую микросхему, в производстве которой использовалась литография жестким ультрафиолетовым излучением (EUV). Особенность новинки заключается в том, что это первая микросхема, произведенная с использованием полного операционного поля EUV-сканера (22 х 33 мм), согласно нормам 45-нм технологического процесса.
Первоначально кремниевые пластины были обработаны на Fab 36 в г. Дрезден (ФРГ) с помощью современного 193-нм иммерсионного сканера, где на их поверхность были нанесены сами транзисторы. После этого подложку доставили в Исследовательский центр IBM при Колледже нанотехнологий (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE) в г. Олбани (США), где инженеры IBM с помощью EUV-сканера от ASML (на фото) нанесли полный рисунок первого слоя металлических межсоединений. Последующее тестирование полученных микросхем не выявило электрических отклонений от их аналогов, целиком произведенных на 193-нм иммерсионных сканерах.
Следующим вполне логичным шагом, по задумке партнеров, будет подготовка оборудования и технологий EUV-литографии для производства всей микросхемы, а не только отдельных ее слоев. Сканеры, пригодные для коммерческого использования, увидят свет, по мнению специалистов AMD и IBM, к 2016 году, ко времени ввода в строй 22-нм технологического процесса.
Материалы по теме:
- Nikon выпустит сканер для 32-нм техпроцесса до конца 2008 года;
- Рынок литографического оборудования достигнет $14,4 млрд. к 2012 году;
- Путь Toshiba: EUV-литография и 450-мм производство.
ВКонтакте