09.11.2006 [11:06], Александр Будик  

Для более удобного восприятия материала, рекомендуем нашим читателям ознакомиться со статьей, в которой в доступной форме рассказывается об основах работы этого типа памяти. Сама технология FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory – сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом) уже давно не нова, но всё же пока еще не так часто в прессе встречаются заметки о ней.

Одной из проблем является разработка материала для сегнетоэлектрической памяти. Компания Epson предложила своё решение – PZTN. Теперь поподробнее опишем, что это за загадочная аббревиатура. PZT является сегнетоэлектрическим сплавом, состоящим из титана (Ti), кремния (Si) и свинцового сурика (Pb3O4). А PZTN основывается на PZT, только частично титан замещают ниобием (Nb). Таким образом, PZTN имеет более стабильную кристаллическую структуру. Используя новый материал, основанный на 0,35-мкм КМОП-технологии, Epson удалось создать долговечную FeRAM-память. Как сообщает разработчик, новая FeRAM позволяет добиться в 10 раз большего количества циклов перезаписи, чем существующие решения других производителей.

Но не только долговечностью отличается новая разработка. Память на новом материале работает в 100000 (!) раз быстрее, чем EEPROM, а энергии потребляет в 15 раз меньше. Как заявляет Epson, такие показатели позволяют не только использовать FeRAM в традиционных для энергонезависимой памяти приложениях, но и в некоторых случаях потеснить полупроводниковую память.

Достижения Epson будут продемонстрированы на Embedded Technology 2006, которая стартует 15 числа этого месяца.

Тематические материалы в статьях:

- Безоблачное будущее флэш-памяти;
- Трехмерная память от Matrix;
- smartSD-карты Panasonic с FeRAM памятью.