25.08.2008 [16:00], Александр Бакаткин

Оперативная память является одним из основных компонентов современного персонального компьютера, и от производительности DRAM-устройств напрямую зависит и производительность всей системы. И здесь первый план выступает рабочая частота микросхем памяти, задержки при доступе к данным и потребляемая мощность. Именно повышенная частота, означающая повышение пропускной способности памяти, а также меньшее энергопотребление (при равной с предыдущим стандартом памяти производительности) и являются основными причинами перехода на "оперативку" нового поколения. Такая ситуация справедлива в случае наблюдаемого сегодня перехода с DDR2 на DDR3, точно такая же ситуация повторится уже в случае появления DDR4.

Пока оперативная память стандарта DDR3 только начинает свое завоевание рынка персональных компьютеров – в большинстве случаев этот тип памяти устанавливается в современные высокопроизводительные компьютеры, а вот мэйнстрим-системы пока довольствуются памятью стандарта DDR2. Однако серьезным подспорьем в деле продвижения «оперативки» нового стандарта на мировом рынке является реализация поддержки DDR3 мобильной платформой Centrino 2, а также скорый выход процессоров Nehalem с интегрированным контроллером памяти DDR3. После завершения этапа популяризации новых устройств нас ждет постепенное повышение рабочих частот – вплоть до 1600 МГц, а затем уже придет черед и снижения потребляемой мощности, в первую очередь благодаря снижению рабочего напряжения до 1,35 Вольт.

Согласно наблюдением за рынком устройств оперативной памяти, с начала прихода на мировой рынок DDR2-памяти до начала выпуска устройств стандарта DDR3 прошло около трех лет. Похожая ситуация повторится и со стандартом DDR4.

Уже в 2012 году впервые на рынке появятся модули оперативной памяти стандарта DDR4, что принесет не только рост рабочей частоты DRAM-микросхем до 2133 МГц, но и снижение потребляемой мощности. Последняя особенность объясняется снижением рабочего напряжения до отметки в 1,2 Вольт, а ровно через год этот параметр в очередной раз снизится – до 1,0 Вольт. Что же касается частоты, то здесь ситуация ровно противоположная – повышение скоростных показателей памяти сохранится, и к 2012 году разработчики освоят выпуск устройств, функционирующих на частоте 2667 МГц.

Материалы по теме:

- IDF SF 2008: Hynix выпускает DDR3-память рекордной емкости;
- Память Transcend aXeRam DDR3-1600 с поддержкой Intel XMP;
- Elpida представляет скоростные микросхемы DDR3-памяти.

• hexus.net