19.08.2008 [09:59], Александр Харьковский
Представленные компанией TDK контроллеры накопителей серии GBDriver RA8 предназначены для организации подсистем хранения на базе скоростной NAND флэш-памяти формата 2 Кб и 4 Кб на страницу. Поддерживаются чипы одноуровневой (SLC) и многоуровневой (MLC) NAND флэш-памяти, в первом случае объем устройства может находиться в пределах 128 Мб – 16 Гб, во втором – вдвое больше, от 256 Мб до 32 Гб. Контроллеры обеспечивают высокую скорость выполнения управляющих команд, содержат 15-бит схему коррекции ошибок ECC и систему предотвращения ошибок в случае пропадания питания.
В серии GBDriver RA8 реализован новый алгоритм, выравнивающий количество циклов перезаписи на каждый блок, что повышает срок службы чипов NAND флэш-памяти в целом. Кроме того, поддерживаются улучшенные функции SMART, позволяющие получить информацию о количестве ошибок в каждом блоке памяти. Заявлена совместимость представленных контроллеров с режимами PIO0-6, DMA0-4 и UDMA0-6, скорость чтения – до 50 Мб/с, записи – до 35 Мб/с (до 15 Мб/с в случае MLC). Появление на рынке карт памяти CF и твердотельных накопителей, построенных на базе GBDriver RA8, ожидается в ноябре текущего года.
Материалы по теме:
- SSD-новинки OCZ Core V2 ёмкостью до 250 Гб;
- Intel покажет скоростные SSD-накопители на грядущем IDF.
ВКонтакте