Компания Samsung сообщила о разработке энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X DRAM, обладающей скоростью передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт, что является самым высоким показателем в индустрии. Конкуренты ничего подобного предложить пока что не могут.

Источник изображения: Samsung

Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с производится с применением 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось разработать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.

Новая память Samsung не только обеспечивает на 25 % более высокую производительность и обладает на 30 % более высокой плотностью по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 Гбайт, «что делает её оптимальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, которым требуется высокопроизводительная, более ёмкая и энергоэффективная оперативная память».

Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X сочетает специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, которое регулирует мощность в соответствии с рабочей нагрузкой, а также расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, которые продлевают периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25 % по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её применением обеспечивать более продолжительное время автономной работы.

Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года, следом за всеми необходимыми проверками со стороны производителей мобильных платформ и устройств на их основе.

Компания Corsair решила выйти на рынок оперативной памяти DDR5 для рабочих станций и представила четырёх- и восьмиканальные комплекты модулей оперативной памяти WS DDR5 RDIMM для систем на базе процессоров Intel Xeon Scalable 4-го поколения и AMD Ryzen Threadripper 7000.

Источник изображений: Corsair

Corsair предлагает широкий ассортимент комплектов оперативной памяти WS DDR5 RDIMM. Компания анонсировала комплекты из четырёх модулей по 16 Гбайт общим объёмом 64 Гбайт, из восьми 16-гигабитных модулей общим объёмом 128 Гбайт, из четырёх планок памяти по 32 Гбайт общим объёмом 128 Гбайт, а также восьмиканальный комплект из модулей памяти ёмкостью 32 Гбайт и общим объёмом 256 Гбайт.

Все новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей памяти WS DDR5 RDIMM заявляется скорость до 6400 МТ/с с таймингами CL32-40-40-104 и рабочим напряжением 1,35 В.

На момент публикации данной заметки производитель сообщил стоимость только для комплекта из четырёх модулей DDR5-5600 ёмкостью 32 Гбайт общим объёмом 128 Гбайт. Она составляет $634,99. Также производитель указал стоимость четырёхканального комплекта DDR5-6400 общим объёмом 64 Гбайт. Она составляет $459,99.

Компания V-Color анонсировала двухканальные комплекты оперативной памяти Manta Xfinity RGB DDR5, для которых гарантирована поддержка работы со скоростью 8600 МТ/с через профили разгона Intel XMP 3.0. Совместимость, эффективность и стабильность работы памяти была подтверждена на двух материнских платах от компании ASRock.

Источник изображений: V-Color

Новые модули памяти V-Color Manta Xfinity объёмом 24 Гбайт поддерживают профиль разгона XMP DDR5-8600 с таймингами 40-54-54-132-186 и рабочим напряжением 1,45 В. Стабильность памяти проверялась на недавно представленных материнских платах ASRock Phantom Gaming Z790I Lightning WiFi и Phantom Gaming B760I Lightning WiFi формата Mini-ITX.

По данным V-Color, скорость 8600 МТ/с для памяти достигается при использовании процессоров Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh). Компания не уточнила, возможна ли работа памяти при такой скорости с чипами Core 13-го (Raptor Lake) и 12-го (Alder Lake) поколений.

Производитель показал, что память работает с заявленными характеристиками в системах с процессорами Core i5-14600K и Core i9-14900K.

Появление в продаже модулей ОЗУ Manta Xfinity DDR5-8600 ожидается к середине июня. Стоимость компания не уточнила.

На прошлой неделе Тайвань пережил сильное землетрясение. Два дня назад появились сообщения, что производители памяти перестали публиковать контрактные цены на чипы DRAM, что вызвало беспокойство по поводу возможного повышения цен. Возможно, повышение действительно происходит, но свежий отчёт TrendForce указывает, что последствия землетрясения были устранены производителями DRAM в течение недели. А общее воздействие катаклизма на производство DRAM и вовсе оказалось минимальным — на уровне 1 %.

Источник изображения: Micron

В общей сложности TrendForce провела оценку пяти заводов по производству DRAM, принадлежащих четырём поставщикам, пострадавшим от землетрясения. В их число входят два завода Micron и по одному от Nanya, Winbond и PSMC. Ниже приведена таблица TrendForce с более подробным объяснением этих данных. Из неё следует, что к 8 апреля большинство производителей полностью или почти полностью восстановили выпуск продукции. В целом ситуация в этом сегменте отрасли выглядит оптимистично — по крайней мере, с точки зрения объёмов производства.

Источник изображения: TrendForce

На фоне подтверждённого предстоящего повышения цен на жёсткие диски и флеш-память NAND (по крайней мере, со стороны Western Digital) новости о том, что производители DRAM в основном уже оправились от землетрясения без серьёзных последствий безусловно кажутся поводом для оптимизма.

Хотя большинство производителей, за исключением SK hynix с её мобильной DRAM, до сих пор не обновили свои контрактные цены на память, предполагаемая аналитиками возможная корректировка цен ожидается «умеренной». TrendForce не изменила своего прошлого прогноза относительно ожидаемого роста цен на память DRAM. Во втором квартале он составит 3–8 %, считают эксперты.

Судя по всему, самый высокий потенциал повышения цен у памяти DDR3. Однако здесь всё объясняется, скорее, возрастом самого продукта и, следовательно, дефицитом. Также ожидается некоторый рост цен у высокопроизводительной серверной оперативной памяти. Каких-либо количественных оценок ожидаемого роста цен в этом сегменте памяти на данный момент нет. Однако как сообщается, основная часть ущерба у компании Micron была нанесена оборудованию для производства серверной оперативной памяти. Высокоскоростную память HBM компания Micron выпускает в Японии. На её производство землетрясение не повлияло.

На чипы памяти DDR4 и DDR5 для потребительского сегмента рост цен если и ожидается, то минимальный, поскольку на данную продукцию сейчас наблюдается самый низкий спрос. Большинство людей просто уже закупились памятью DDR4 или DDR5. По мнению TrendForce, с учётом больших запасов этой памяти на рынке «небольшое повышение цен, вызванное землетрясением, будет быстро отрегулировано».

Компания Corsair в рамках коллаборации с китайским производителем видеокарт Yeston представила модули оперативной памяти Vengeance Sakura DDR5. Компания Yeston известна своими необычными яркими дизайнами графических ускорителей, в которых используется тематика аниме.

Источник изображений: Corsair

Модули памяти Vengeance Sakura DDR5 своим внешним видом удачно дополнят системы, в которых установлены видеокарты Yeston. Планки памяти оснащены белыми радиаторами, на которые нанесены изображения девушек в стиле аниме и рисунки лепестков сакуры.

К сожалению, о технических характеристиках представленных модулей ОЗУ Vengeance Sakura DDR5 компания Corsair не говорит. Производитель лишь отмечает, что новинки предложат скорость от 6400 до 7200 МТ/с.

Источник изображения: Yeston

Радиаторы модулей ОЗУ оснащены ARGB-подсветкой. Также можно отметить, что сами платы модулей памяти чёрные, что контрастирует с белыми печатными платами видеокарт Yeston.

Компания Micron показала на конференции Nvidia GTC 2024 необычные модули оперативной памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт. Данные модули с большой высотой предназначены для нового поколения серверных систем, в том числе на базе будущих процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Micron сообщила, что уже начала рассылать образцы заинтересованным покупателям.

Источник изображений: Micron

Продемонстрированные производителем модули памяти MCRDIMM DDR5 объёмом 256 Гбайт работают со скоростью 8800 МГц. Они предназначены для серверных систем формата 1U. В основе указанных модулей памяти используются 32-гигабитные микросхемы DDR5. С каждой стороны такого модуля расположено по 40 чипов памяти. Энергопотребление одного модуля ОЗУ MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт составляет около 20 Вт, что относительно немного, учитывая, что ранее выпущенные тем же производителем модули DDR5-8000 RDIMM объёмом 128 Гбайт при стандартном профиле DDR5-4800 потребляют 10 Вт.

Multiplexer Combined Ranks (MCR) DIMM — тип двухранговых модулей ОЗУ, которые работают параллельно с двумя рангами благодаря использованию специального буфера. Этот буфер позволяет двум физическим рангам действовать так, как если бы они были двумя отдельными модулями памяти, работающими параллельно. Благодаря этому производительность таких модулей эффективно удваивается за счёт одновременного извлечения 128 байтов данных из обоих рангов за такт. Буфер работает со своим хост-контроллером памяти DDR5, что позволяет памяти работать на скорости выше, чем предусмотрено стандартом. В данном случае речь идёт о 8800 МТ/с.

Обычно модули с двумя физическими рангами функционируют как один модуль. Таким образом, центральный процессор или контроллер памяти за один такт извлекает только 64 байта данных. Память MCRDIMM удваивают это значение, тем самым существенно увеличивая ёмкость и производительность каждого модуля.

Тот факт, что Micron решила показать свои модули памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт именно на конференции Nvidia GTC 2024, посвящённой ИИ, может говорить о том, что компания рассматривает этот продукт в качестве решения для ИИ-серверов нового поколения, например, на базе процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Системы на их основе будут использовать огромные объёмы памяти для обучения ИИ-моделей, поэтому указанные модули ОЗУ придутся как нельзя кстати. Сами чипы Intel Xeon Scalable Granite Rapids будут поддерживать 12-канальный режим работы памяти по два модуля на канал. Таким образом, на основе модулей Micron можно будет создавать серверы с 3 Тбайт ОЗУ при использовании 12 слотов памяти и до 6 Тбайт ОЗУ при использовании 24 слотов памяти.

Компания Crucial выпустит для ноутбуков модули памяти SO-DIMM DDR5 нестандартного объёма — 12 Гбайт. Информация о необычной новинке была обнаружена в базе данных торговой площадки Amazon.

Источник изображений: Crucial

Изначально модули ОЗУ стандарта DDR5 выпускались в объёмах 8, 16 и 32 Гбайт. Спустя год с момента релиза Intel и AMD добавили для своих актуальных платформ поддержку модулей памяти объёмом 24 и 48 Гбайт. Недавно производители начали выпускать модули ОЗУ большого объёма 64 Гбайт для энтузиастов. Таким образом, в обычной домашней системе теперь можно использовать до 256 Гбайт оперативной памяти. Скоро на рынке появится ещё один вариант — модули памяти на 12 Гбайт. Правда, речь идёт только модулях SO-DIMM для ноутбуков и компактных ПК с поддержкой такого формата ОЗУ.

Первые модули необычного объёма собирается выпустить компания Crucial. Производитель предложит планки памяти объёмом 12 Гбайт с частотой от 4800 и 5200 МГц. Новинки будут продаваться как по одному модулю, так и в составе двухканальных комплектов.

Согласно данным британского подразделения Amazon, одиночный модуль памяти Crucial 12 Гбайт DDR5-5600 (CT12G56C46S5) будет предлагаться за 45 британских фунтов. Комплект на 24 Гбайт из двух 12-Гбайт модулей DDR5-5600 (CT2K12G56C46S5) оценивается в 88 британских фунтов.

По данным Amazon, поставки модулей памяти Crucial объёмом 12 Гбайт начнутся с 31 марта.

Компания V-Color анонсировала новый комплект оперативной памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 для платформы AMD WRX90, предназначенной для процессоров Ryzen Threadripper 7000 для высокопроизводительных настольных компьютеров (HEDT), а также Ryzen Threadripper PRO 7000 для рабочих станций. Примечательной особенностью нового комплекта является его объём в 768 Гбайт.

Источник изображений: V-Color

В рамках комплекта OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 компания V-Color готова предложить 8 модулей ОЗУ объёмом от 16 Гбайт до 96 Гбайт. Таким образом, общий объём одного комплекта памяти может составлять от 128 до 768 Гбайт. Производитель предлагает модули памяти со скоростью от 5600 до 7200 МГц. Все поддерживают профили разгона AMD EXPO, поскольку платформа AMD WRX90 рассчитана на разгон.

Память не оснащается радиаторами охлаждения. Однако для компонентов элементов питания RCD & PMIC производитель предусмотрел наличие компактного теплового щита.

Производитель отмечает, что комплекты OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 протестированы на материнских платах ASRock WRX90 WS EVO, ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE и решениях компании Supermicro, где показали свою высокую эффективность. Новый комплект ОЗУ разработан специально для использования с процессорами AMD Ryzen Threadripper PRO 7000.

Предзаказы на комплект памяти OC R-DIMM Octo-Kit DDR5 начнут принимать с 5 марта на официальном сайте V-Color. Полноценный старт продаж состоится в середине текущего месяца. Цены варьируются от $1049,99 за комплект памяти DDR5-5600 общим объёмом 128 Гбайт (8x16 Гбайт) и до $4919,99 за набор из восьми модулей DDR5-6000 общим объёмом 768 Гбайт (8x96 Гбайт).

Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 апреля. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Серия настольных гибридных процессоров Ryzen 8000G привлекла внимание энтузиастов поддержкой высокоскоростной оперативной памяти и хорошими возможностями для её разгона. Недавно оверклокерам удалось разогнать память DDR5 до 10 600 МГц и даже выше на системах с Ryzen 7 8700G, причём для этого не пришлось прибегать к экстремальному охлаждению.

Источник изображения: VideoCardz

Различные команды оверклокеров последние несколько дней активно экспериментируют с разгоном оперативной памяти на системах с Ryzen 7 8700G. Например, энтузиаст SafeDisk поделился деталями разгона двухканального комплекта ОЗУ на материнской плате ROG Crosshair X670E Gene до скорости 10 600 МТ/с.

Источник изображения: SafeDisk

Для эксперимента был выбран комплект памяти G.Skill Trident Z5, изначально рассчитанный на работу со скоростью 7800 МТ/с при таймингах CL36.

Источник изображения: SafeDisk

В рамках разгона скорость памяти была увеличена до 10 600 МГц. Но вместе с тем выросли и тайминги. Память заработала при задержках CL50-62-62-127-127 и напряжении 1,4 В. Примечательно, что для разгона ОЗУ энтузиаст не использовал какого-либо экзотического охлаждения, вроде жидкого азота. Сам процессор Ryzen 7 8700G также работал под обычной СЖО.

В базе данных CPU-Z Validator уже успели появиться и более впечатляющие результаты разгона. Например, оверклокер с псевдонимом MSIMAX разогнал память TeamGroup с заявленным профилем разгона 8200 МТ/с до частоты 10 950 МГц на материнской плате Gigabyte B650I Aorus Ultra.

Источник изображения: MSIMAX

Спустя несколько часов другой оверклокер зарегистрировал результат разгона памяти Patriot с профилем 8200 МТ/с до 11 298 МГц на материнской плате Gigabyte Aorus B650E Tachyon.

Источник изображения: CPU-Z Validator

Согласно информации в среде энтузиастов, в новой библиотеке AGESA, на базе которой выпускаются BIOS для материнских плат AMD, обнаружен баг, который приводит к тому, что в результатах разгона могут отображаться более высокие значения частоты памяти, чем есть на самом деле. Тот же оверклокер SafeDisk предоставил фотографию осциллографа, подтверждающую его результат разгона, чего нельзя сказать о двух других экспериментаторах.

Источник изображения: SafeDisk

Хотя результат SafeDisk, согласно данным HWBOT, является не таким высоким, как разгон памяти на платформах Intel, следует отметить, что энтузиасты разгоняют ОЗУ DDR5 с процессорами Ryzen 8000G в двухканальном режиме, а не в одноканальном, как у Intel.

Данные берутся из публикации Компьютер месяца, спецвыпуск. Рассвет эпохи: время переходить на платформы, поддерживающие DDR5-память?

Массовые настольные компьютеры в скором времени получат поддержку до 256 Гбайт оперативной памяти — ещё не так давно пределом были 128 Гбайт. Производители памяти уже готовят модули объёмом 64 Гбайт, а производители материнских плат готовятся обеспечить их поддержку.

Источник изображений: MSI

Долгое время максимальный поддерживаемый объём ОЗУ для настольных ПК составлял 128 Гбайт, а объём одного модуля не превышал 32 Гбайт, так как они строились на 16-гигабитных чипах памяти DRAM. Это изменилось с выпуском модулей памяти на 24 и 48 Гбайт, в которых используются 32-гигабитные микросхемы памяти. Благодаря этому современные материнские платы для платформ Intel и AMD поддерживают установку до 192 Гбайт ОЗУ.

Но вскоре настольные ПК получат поддержку ещё большего объёма оперативной памяти. Компания MSI была одним из первых производителей материнских плат, который стал предлагать поддержку 192 Гбайт памяти для своих решений. Теперь компания стремиться стать первой, кто предложит поддержку 256 Гбайт памяти на настольные ПК.

Источник изображения: Kingston

Компания Kingston в ближайшее время собирается выпустить комплект оперативной памяти Fury Renegade DDR5 на базе новейших 32-гигагибтных чипов памяти Micron на техпроцессе 1-бета. Комплект состоит из четырёх планок памяти объёмом по 64 Гбайт каждая. Таким образом объём всего комплекта составит 256 Гбайт.

Поддержка 256 Гбайт памяти материнскими платами значительно упростит выбор нужного комплекта ОЗУ, поскольку для установки тех же 128 Гбайт памяти теперь потребуется приобрести только две планки, а не четыре как раньше. MSI показала работоспособность комплекта ОЗУ общим объёмом 256 Гбайт на своей материнской плате PRO X670-P WIFI. В тесте также участвовал процессор AMD Ryzen 9 7900X. Также поддержку 256 Гбайт памяти добавят платам на Intel Z790.

Для поддержки 256 Гбайт памяти и модулей объёмом 64 Гбайт потребуется обновление BIOS материнской платы. Та же MSI пока не говорит, когда выпустит нужную прошивку для своих плат.

В свою очередь компания ASRock показала X670E-Taichi и Z790 Nova WiFi с поддержкой 64-Гбайт модулей DDR5.

Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Компания G.Skill представила комплекты модулей оперативной памяти R-DIMM DDR5 Zeta R5 Neo, которые сертифицированы для использования с новейшими высокопроизводительными процессорами AMD Ryzen Threadripper 7000 и Ryzen Threadripper PRO 7000 на материнских платах с чипсетом AMD TRX50. Новинки поддерживают разгон.

Источник изображений: G.Skill

Память G.Skill Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5 доступна в комплектах из четырёх модулей DDR5-6400 объёмом по 16 или 32 Гбайт каждый. Таким образом, общий объём комплектов составляет 64 и 128 Гбайт.

Для обоих наборов модулей оперативной памяти Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 заявляются тайминги CL32-39-39-102 и рабочее напряжение 1,4 В. Новинки поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Следует добавить, что указанные модули ОЗУ уже активно используются различными оверклокерами для установки рекордов разгона процессоров Ryzen Threadripper PRO 7000.

О стоимости модулей ОЗУ Zeta R5 Neo R-DIMM DDR5-6400 производитель не сообщил, однако добавил, что в продаже они появятся в этом месяце.

Компания TeamGroup представила двухканальные комплекты модулей оперативной памяти T-Force Vulcan ECO DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Как заявляет производитель, это первые на рынке модули ОЗУ, оснащённые радиаторами из алюминия, полученного из вторичного сырья.

Источник изображений: TeamGroup

TeamGroup поясняет, что для каждых 10 тыс. радиаторов T-Force Vulcan ECO DDR5, изготовленных из переработанного алюминия, выбросы углекислого газа сокращаются на 73 % или примерно на 1665 кг по сравнению с применением нового алюминия. Это эквивалентно углеродному следу, который оставляют 550 тыс. салфеток для рук, 310 тыс. пластиковых трубочек, 30 тыс. пластиковых пакетов и 10 тыс. ПЭТ-бутылок. Сами модули при этом поставляются в экоупаковке, что ещё больше способствует сокращению материальных и электронных отходов.

Оперативная память TeamGroup T-Force Vulcan ECO DDR5 предлагается в вариантах DDR5-5600 и DDR5-6000. Для первого заявляются тайминги CL40 и рабочее напряжение в 1,2 В. Модули DDR5-6000 будут выпускаться в версиях с таймингами CL30 и рабочим напряжением 1,35 В, а также CL38 и рабочим напряжением 1,25 В.

Модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Новинки оснащены низкопрофильными радиаторами охлаждения без подсветки. Размеры модулей составляют 32,7 × 140 × 7,5 мм. Производитель предоставляет для них пожизненную гарантию.

В продаже модули ОЗУ T-Force Vulcan ECO DDR5 от TeamGroup появятся в середине декабря. О стоимости новинок компания не уточняет.