Сегодня 09 июня 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → g.skill
Быстрый переход

Новая статья: Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Данные берутся из публикации Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Репортаж со стенда G.Skill на Computex 2026: модули DDR5 будущего с очень низкими задержками, высокой скоростью и объёмом до 512 Гбайт

В отличие от большинства производителей памяти, G.Skill редко привозит на Computex новые линейки продуктов в привычном понимании этого слова. Вместо этого она использует выставку как площадку для демонстрации того, чего удалось добиться на текущем этапе развития памяти. Нынешняя экспозиция тоже оказалась не столько рассказом о новых сериях модулей, сколько взглядом в будущее.

Одной из интересных частей экспозиции стали демонстрации памяти в рамках инициативы AMD EXPO Ultra Low Latency. Если прежде производители памяти в первую очередь стремились поднять частоту, то сегодня всё больше внимания уделяется задержкам.

На нескольких демонстрационных системах G.Skill показывала комплекты DDR5-6000 объёмом 32 Гбайт с таймингами CL26, CL28 и CL30. Особенно выделялся вариант DDR5-6000 CL26-36-36-32 на чипах SK hynix. Для платформы Socket AM5 такие задержки выглядят весьма агрессивно и позволяют получить дополнительную производительность без необходимости переходить на более высокие частоты.

Рядом были представлены комплекты на микросхемах Samsung и Micron. Все они работали на одинаковой частоте DDR5-6000, что позволяло наглядно сравнить потенциал разных типов памяти. Такие демонстрации хорошо показывают, насколько сильно характеристики модулей зависят от используемых чипов.

Впрочем, полностью отказываться от традиционной гонки скоростей индустрия явно не собирается. Значительная часть стенда G.Skill была посвящена различным демонстрациям высокоскоростной памяти CUDIMM со встроенным тактовым генератором. Этот формат памяти сегодня рассматривается как следующий этап развития настольной DDR5, поскольку позволяет преодолеть ограничения обычных UDIMM и добиться существенно более высоких частот.

Одной из наиболее интересных демонстраций стала система с памятью DDR5-9200 объёмом 32 Гбайт, работавшей при стандартном напряжении 1,1 В. Обычно для достижения подобной скорости памяти требуется заметное повышение напряжения питания, что ведёт к увеличению энергопотребления и тепловыделения.

По соседству работала ещё более впечатляющая конфигурация с комплектом DDR5-10933 объёмом 48 Гбайт в составе двух модулей по 24 Гбайт. Подобные системы пока остаются демонстрацией возможностей современных платформ Intel, однако именно такие стенды позволяют оценить пределы развития памяти нынешнего поколения.

Также на стенде G.Skill демонстрировались комплекты CUDIMM DDR5-8000 объёмом 128 и 256 Гбайт. Особенно интересным выглядел набор из двух четырёхранговых модулей CUDIMM DDR5-8000 по 128 Гбайт каждый.

Также был показан комплект традиционной памяти UDIMM DDR5-8000 объёмом 128 Гбайт. Ещё недавно подобные объёмы были характерны исключительно для серверов, тогда как сегодня они начинают появляться и в настольных платформах.

Большие объёмы памяти — это не всё, что нужно рабочей станции. Для систем, в которых важна не только производительность, но и надёжность работы памяти, G.Skill показала комплект DDR5-6400 ECC CUDIMM объёмом 256 Гбайт. Это память со встроенным механизмом коррекции ошибок.

G.Skill также показала россыпь комплектов регистровой памяти RDIMM, которые ориентированы на рабочие станции, системы моделирования и локальные ИИ-комплексы, требующие больших объёмов оперативной памяти.

Наиболее необычной выглядела совместная демонстрация G.Skill и ElmorLabs. В системе на базе Intel Xeon использовались восемь модулей DDR5 RDIMM по 64 Гбайт каждый, что обеспечивало общий объём памяти 512 Гбайт. При этом память работала на эффективной частоте DDR5-10000. Для регистровой памяти такие показатели особенно примечательны, поскольку традиционно RDIMM ориентирована прежде всего на стабильность и масштабируемость, а не на скорость.

Наконец, отдельный раздел экспозиции был посвящён платформам AMD Threadripper. Компания демонстрировала систему на базе Ryzen Threadripper Pro 9995WX с 512 Гбайт памяти DDR5-7200, а также конфигурацию с Ryzen Threadripper 9980X и 256 Гбайт DDR5-8000. Эти стенды показывали, насколько далеко продвинулись современные HEDT-платформы по сравнению с предыдущими поколениями.

Помимо новых скоростных комплектов, G.Skill привезла на выставку и необычный проект MasterDIMM, разработанный совместно с Cooler Master. Это модули памяти с довольно крупным радиатором, внутри которого установлен компактный вентилятор, обеспечивающий дополнительный обдув микросхем памяти. По данным разработчиков, это позволяет снизить температуру модулей примерно на 15 градусов по сравнению с традиционными конструкциями. Решение выглядит нишевым, но хорошо отражает растущие требования к охлаждению высокоскоростной DDR5.

Традиционно важной частью стенда G.Skill оставались соревнования по экстремальному разгону. На выставке вновь проходили OC World Cup 2026 и площадка OC World Record Stage, где оверклокеры демонстрировали возможности новейших платформ Intel и AMD с использованием жидкого азота.

Стенд G.Skill на Computex 2026 оказался интересен прежде всего тем, что отражает вектор развития рынка памяти. Производители продолжают увеличивать частоты и устанавливать новые рекорды производительности, однако всё больше внимания уделяется снижению задержек, энергоэффективности и наращиванию объёмов. Именно сочетание этих факторов будет определять развитие DDR5 в ближайшие годы.

G.Skill показала самую быструю память для рабочих станций — восьмиканальный комплект DDR5-10000 ECC RDIMM

Компания G.Skill показала на выставке Computex 2026 впечатляющие конфигурации оперативной памяти для рабочих станций. Одной из них стал восьмиканальный комплект DDR5-10000 ECC RDIMM общим объёмом 512 Гбайт.

 Источник изображений: TechPowerUp

Источник изображений: TechPowerUp

В составе комплекта DDR5-10000 ECC RDIMM используются восемь модулей памяти G.Skill DDR5-10000 RDIMM ёмкостью по 64 Гбайт каждый. Память установлена в систему с материнской платой Asus Pro WS W890E-SAGE SE и 24-ядерным 48-поточным процессором Intel Xeon 658X (Granite Rapids).

Согласно тестам, система обеспечивает скорость чтения памяти 602,34 Гбайт/с, скорость записи 487,45 Гбайт/с и скорость копирования 537,33 Гбайт/с при задержке 86 нс. G.Skill также показала аналогичную систему, но с 768 Гбайт (8 × 96 Гбайт) оперативной памяти DDR5-8800 RDIMM.

Для платформы AMD Ryzen Threadripper компания продемонстрировала комплект памяти DDR5-7200 RDIMM ёмкостью 512 Гбайт (8 × 64 Гбайт). Он работал на материнской плате ASRock WRX90 WS EVO в тандеме с 64-ядерным 128-поточным процессором Ryzen Threadripper PRO 9985WX. Для памяти заявлены относительно низкие тайминги CL46-56-56-115.

Возможно, наиболее интересной конфигурацией с точки зрения рядовых потребителей оказалась система с процессором Intel Core Ultra 7 270K Plus, материнской платой Asus Pro WS W880-ACE SE и 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) оперативной памяти DDR5-6400 ECC CUDIMM.

Функция коррекции ошибок (ECC) поддерживается процессорами Arrow Lake Plus, но для этого необходимо использовать материнские платы на чипсете Intel W880.

G.Skill показала модули DDR5-9200 без экстремального напряжения и перегрева

Компания G.Skill показала работу нового высокоскоростного двухканального комплекта оперативной памяти Trident Z5 CK CUDIMM DDR5 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Он работает в режиме DDR5-9200 с таймингами CL74-74-74-148, но при этом сохраняет очень низкое напряжение в 1,1 В, что в свою очередь позволяет избегать перегрева.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

По словам производителя, память проходила тестирование на флагманской материнской плате MSI MEG Z890 Godlike. Модули ОЗУ прошли стресс-тест в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 270K Plus, продемонстрировав высокую оптимизацию разгона на новейшей платформе.

Компания отмечает, что такая высокая скорость оперативной памяти обычно достигается на специализированных оверклокерских материнских платах, оснащённых только двумя разъёмами DIMM для ОЗУ, что обеспечивает более высокую целостность сигнала между процессором и слотами памяти. MSI MEG Z890 Godlike хоть и является флагманской моделью, но в эту категорию не входит, поскольку оснащена четырьмя слотами DIMM.

G.Skill не сообщила, когда указанные модули памяти появятся в продаже.

Cooler Master и G.Skill представили толстый модуль DDR5 со встроенным активным охлаждением

Cooler Master и G.Skill анонсировали модули памяти MasterDimm AC поколения DDR5 — их отличает встроенный в конструкцию модуля вентилятор и радиатор для лучшего охлаждения. Продукт продемонстрируют в рамках выставки Computex 2026 в штаб-квартире Cooler Master в Тайбэе.

 Источник изображений: Cooler Master, G.SKILL

Идея проекта — обеспечить стабильную работу модулей DDR5 большой ёмкости и высокой частоты при длительных нагрузках, а не только в коротких тестах на производительность. Модули памяти предлагают до 6000 МТ/с и сверхнизкие задержки CL26 при работе с AMD EXPO; а также сверхвысокие скорости до 8400 МТ/с в исполнении CU-DIMM для Intel XMP 3.0. Активное охлаждение MasterDimm AC помогает снизить температуру на величину до 15 °C; при этом уровень шума составляет менее 35 дБ. Поддерживаются комплекты до двух планок по 64 Гбайт.

Идея проекта поднимает очевидный вопрос: помимо блоков питания, процессоров и видеокарт, вентиляторы охлаждения теперь устанавливаются на SSD и вот уже на модули оперативной памяти. Вероятно, на очереди — материнские платы. К слову, это уже не первые модули памяти со встроенными вентиляторами — ранее подобные представила Origin Code.

G.Skill заплатит $2,4 млн за «лишние мегагерцы» — покупатели разглядели обман в быстрых модулях DDR4 и DDR5

Производитель оперативной памяти G.Skill согласился в досудебном порядке урегулировать коллективный иск путём выплаты компенсации в размере $2,4 млн. Иск был подан по обвинению в обмане при рекламе и указании скорости комплектов памяти DDR4 и DDR5, продававшихся в период с января 2018 года по январь 2026 года. Компания отрицает все обвинения.

 Источник изображения: G.Skill

Источник изображения: G.Skill

Согласно документам по делу, первоначальный коллективный иск был подан по обвинению в том, что «G.Skill обманным путём рекламировала и указывала для своих продуктов памяти DDR4 и DDR5 (не для ноутбуков) скорость более 2133 МГц или 4800 МГц соответственно, и таким образом G.Skill несёт ответственность за нарушение законов о защите прав потребителей и нарушение гарантийных обязательств».

G.Skill, как и другие производители, указывает для своих модулей памяти максимальную частоту, которую они способны развить в разгоне. Например, модули DDR5-8000 всё равно по умолчанию работают с эффективной частотой 4800 МГц, но производитель заверяет, что они в состоянии стабильно работать в режиме DDR5-8000 при разгоне. Последний требует изменения параметров в BIOS. Тем не менее истцы посчитали, что «их ввели в заблуждение, заставив поверить, что заявленные скорости являются „готовыми“ скоростями, не требующими никаких дополнительных настроек их ПК».

Вместо доведения дела до суда обе стороны договорились о мировом соглашении на сумму в $2,4 млн. В связи с этим «все лица в Соединённых Штатах, которые приобрели один или несколько продуктов памяти G.Skill DDR4 и DDR5 DRAM (не для ноутбуков) с номинальной скоростью более 2133 МГц или 4800 МГц соответственно в период с 31 января 2018 года по 7 января 2026 года», входят в состав группы истцов, участвующих в мировом соглашении, и имеют право на выплату. В судебных документах также указано, что участники коллективного иска имеют право на покрытие до пяти соответствующих покупок ОЗУ на одно домохозяйство при наличии подтверждающих документов.

Помимо денежной выплаты, соглашение также включает положения о том, что G.Skill предпримет «коммерчески обоснованные усилия для внесения изменений» в упаковку, страницы товаров на веб-сайте и технические характеристики, предоставляемые розничным продавцам, чтобы более чётко указать максимальные скорости работы своей оперативной памяти. В судебных документах отмечается, что заявленные скорости должны обозначаться с припиской «до», а упаковка комплектов памяти должна содержать следующее предупреждение: «Требуется разгон/настройка BIOS. Максимальная скорость и производительность зависят от компонентов системы, включая материнскую плату и процессор».

G.Skill объяснила, почему оперативная память резко подорожала — без сюрпризов

Компания G.Skill опубликовала короткий комментарий относительно резкого повышения цен на память DRAM в четвёртом квартале этого года. По словам производителя ОЗУ, в настоящее время на рынке DRAM наблюдается дефицит предложения по всей отрасли, а спрос со стороны производителей ИИ подталкивает цены вверх.

 Источник изображения: G.Skill

Источник изображения: G.Skill

Компания также отмечает рост собственных затрат на закупку, поэтому её цены следуют за ростом стоимости микросхем DRAM у поставщиков и могут продолжать меняться в зависимости от рыночной конъюнктуры.

Комплекты ОЗУ от G.Skill часто приводят в качестве наглядного примера того, насколько сильно изменились розничные цены на DDR5 в последнее время, поэтому реакция компании не является неожиданностью. В то же время заявление G.Skill не раскрывает ничего нового для тех, кто следит за рынком памяти.

«Цены на DRAM демонстрируют значительную волатильность в масштабах всей отрасли из-за серьезных глобальных ограничений и дефицита поставок, вызванных беспрецедентно высоким спросом со стороны индустрии искусственного интеллекта. В результате этого затраты G.Skill на закупку и снабжение существенно возросли. Цены на модули памяти G.Skill отражают общеотраслевое увеличение стоимости компонентов от поставщиков микросхем и могут изменяться без предварительного уведомления в зависимости от рыночных условий. Покупателям следует учитывать цены перед покупкой. Спасибо», — заявил производитель ОЗУ.

В своём сообщении компания не отвечает на самый важный для покупателей вопрос: неизвестно, когда цены могут стабилизироваться или снизиться. Впрочем, G.Skill вряд ли сама знает ответ на этот вопрос, как и другие производители модулей памяти. Его следует адресовать в первую очередь производителям чипов DRAM. К сожалению, G.Skill также не разъясняет свою текущую ситуацию с закупками DRAM. В частности, неясно, обеспечивает ли компания достаточные поставки на ближайшие месяцы и в какой степени ценообразование находится под её контролем по сравнению с поведением розничных продавцов в условиях дефицита.

Новая статья: Тестируем DDR5-6000 CL26 — память, которой не хватало Ryzen

Данные берутся из публикации Тестируем DDR5-6000 CL26 — память, которой не хватало Ryzen

DDR5 раскочегарили до 13 322 МГц: рекорд разгона памяти обновлён четвёртый раз за месяц

Ещё в октябре казалось, что на существенный прогресс в экстремальном разгоне оперативной памяти типа DDR5 в ближайшее время рассчитывать не приходится, но после преодоления рубежа DDR5-13000 у оверклокеров буквально открылось второе дыхание, и они начали покорять новые рекорды один за одним. В четвёртый раз за ноябрь лучшее достижение в этой сфере сменилось новым значением.

 Источник изображения: HWBot, CENS

Источник изображения: HWBot, CENS

Новый мировой рекорд в сфере разгона памяти соответствует режиму DDR5-13322, который был зафиксирован немецким энтузиастом CENS при использовании единственного модуля памяти G.Skill серии Trident Z5 объёмом 24 Гбайт и материнской платы Asus ROG Maximus Z890 Apex, в которую был установлен процессор Intel Core Ultra 9 285K семейства Arrow Lake-S. Как и модуль памяти, центральный процессор охлаждался жидким азотом, предыдущее достижение удалось превзойти на символичные 111 МГц.

 Источник изображения: CPU-Z

Источник изображения: CPU-Z

Модуль памяти G.Skill Trident Z работал в режиме DDR5-13322 при значениях таймингов CL68-127-127-127-2 и делителе частоты 3:194. Достижение интересно тем, что при разгоне памяти впервые удалось преодолеть рубеж DDR3-13300. Результат прошёл валидацию CPU-Z, а потому может считаться новым официальным мировым рекордом разгона DDR5. Для компании Asus это тоже своего рода реванш, поскольку три предыдущих рекорда были установлены с использованием материнской платы конкурирующей марки Gigabyte. Разумеется, для G.Skill это тоже очередная победа, поскольку предыдущие эксперименты подразумевали использование модулей памяти Adata, Corsair и Patriot.

G.Skill показала экстремальный разгон DDR5 без экстремального охлаждения — 48 Гбайт довели до 10 600 МГц

Принято считать, что эксперименты по экстремальному разгону являются «вещью в себе» и больше напоминают «спорт высоких достижений», где главной пользой для рекордсменов является реклама комплектующих и своего мастерства. G.Skill решила доказать практическую ценность более приближённых к реальности режимов, показав способность пары модулей памяти объёмом по 24 Гбайт работать в режиме DDR5-10600.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

Напомним, на текущий момент рекордом разгона памяти считается режим DDR5-13010, но он подразумевает экстремальное охлаждение жидким азотом не только центрального процессора, но и единственного модуля памяти скромного объёма. Правила проведения подобных экспериментов довольно просты и обычно подразумевают как максимальное сокращение количества активных ядер у процессора, так и объёма памяти и количества активных каналов — всё ради достижения стабильности работы системы в предельных режимах. Задержки при этом стараются ослабить, и с точки зрения быстродействия в вычислительных тестах это не самый удачный компромисс.

Тайваньский производитель модулей памяти G.Skill накануне сообщил о другом достижении. Специалистам по разгону удалось добиться стабильной работы пары модулей памяти объёмом по 24 Гбайт каждый в режиме DDR5-10600 при значении таймингов 50-62-60-88-96. Процессор AMD Ryzen 5 8500G со встроенной графикой при этом был установлен в материнскую плату Asus B850M-AYW, которую нельзя отнести к флагманским, всё ограничивалось стандартными воздушными средствами охлаждения. Более того, процессор сохранил активность всех шести ядер. G.Skill приводит и обозначение того комплекта памяти, который участвовал в эксперименте — это пара модулей DDR5-6000 объёмом по 24 Гбайт серии Trident Z5 Royal Neo. Указанные режимы работы памяти и конфигурация системы гораздо ближе к реальным условиям эксплуатации, чем эксперименты с жидким азотом. Более того, в режиме DDR5-10600 память и прочие компоненты системы проходят испытания в MemTest, а не просто позируют для скриншотов.

G.Skill представила 512-Гбайт комплект оперативной памяти DDR5-6400 для самых мощных Ryzen

Компания G.Skill представила комплект оперативной памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт, состоящий из восьми модулей по 64 Гбайт каждый. По заявлению производителя, комплект специально оптимизирован для новых процессоров AMD Ryzen Threadripper Pro 9000 и материнских плат с чипсетом AMD WRX90.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

В основе модулей памяти T5 Neo DDR5-6400 RDIMM используется 16-слойный текстолит, что повышает надёжность передачи сигнала в условиях высоких нагрузок. Модули поддерживают профили разгона AMD EXPO.

Каждый модуль серии G.Skill T5 Neo DDR5 RDIMM оснащён двумя двунаправленными TVS-диодами и предохранителем, которые обеспечивают стабильное напряжение и защищают устройство от перепадов.

Для представленных модулей заявлены тайминги CL38-48-48-102. Комплект успешно прошёл проверку в приложении Memtest на материнской плате ASUS Pro WS WRX90E-SAGE SE в сочетании с процессором Ryzen Threadripper Pro 9945WX.

В продажу комплект G.Skill T5 Neo DDR5-6400 RDIMM объёмом 512 Гбайт поступит в августе. Стоимость производитель пока не раскрыл.

Установлен новый рекорд разгона оперативной памяти — 12 872 МТ/с

Компания G.Skill похвасталась установкой нового мирового рекорда разгона оперативной памяти. Его автором стал французский оверклокер под псевдонимом bl4ckdot. Он разогнал модуль памяти G.Skill Trident Z5 DDR5 объёмом 24 Гбайт до скорости 12 872 МТ/с.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

Компания отмечает, что в составе разогнанного модуля используются высокопроизводительные чипы памяти SK hynix DDR5. Разгон проводился на материнской плате ASUS ROG Maximus Z890 Apex с процессором Intel Core Ultra 9 285K. Для охлаждения использовался жидкий азот.

Результат разгона модуля ОЗУ до DDR5-12872 был зафиксирован платформами валидации HWBOT и CPU-Z.

Добавим, что предыдущий рекорд разгона оперативной памяти составлял 12 842 МТ/с, и был установлен с помощью модулей Corsair Vengeance.

 Источник изображения: HWBOT

Источник изображения: HWBOT

С каждым новым рекордом скорость памяти DDR5 становится ближе к психологической отметке 13 000 МТ/с.

G.Skill начала продажи комплектов DDR5-6000 256 Гбайт и DDR5-6400 128 Гбайт с низкими задержками для платформ AMD и Intel

Компания G.Skill сообщила о доступности комплектов разогнанной оперативной памяти большой ёмкости: DDR5-6000 объёмом 256 Гбайт (4 × 64 Гбайт) и DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт (2 × 64 Гбайт). Новые комплекты разработаны для высокопроизводительных вычислений, создания контента, приложений искусственного интеллекта и профессиональных рабочих станций. Однако ничто не мешает использовать их и в составе мощных игровых ПК.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

Комплекты памяти G.Skill DDR5-6000 объёмом 128 и 256 Гбайт доступны с таймингами CL32-44-44, CL34-44-44 и CL36-44-44. В свою очередь комплект памяти DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт предлагает тайминги CL36-44-44. Комплекты G.Skill DDR5-6000 поддерживают профили разгона AMD EXPO и будут предлагаться в виде модулей памяти серий Trident Z5 Neo RGB и Flare X5.

В свою очередь комплект DDR5-6400 объёмом 128 Гбайт прошёл проверку совместимости с платформами Intel и поддерживает профили разгона XMP 3.0.

Поддержка подобных комплектов оперативной памяти большой ёмкости потребует обновления BIOS материнских плат до последних версий, в которых реализована поддержка модулей ОЗУ объёмом 64 Гбайт.

Новые комплекты в ближайшее время поступят в продажу. Их стоимость компания G.Skill не раскрывает.

G.Skill продемонстрировала в деле модуль памяти CAMM2 DDR5-10000

Компания G.Skill продолжает изучать разгонный потенциал нового формата оперативной памяти CAMM2 DDR5 и сообщила об успешном проведении тестов модуля CAMM2 объёмом 64 Гбайт в режиме DDR5-10000. Тестирование проводилось на модифицированной материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Hero в сочетании с процессором Intel Core Ultra 7 265K.

 Источник изображений: G.Skill

Источник изображений: G.Skill

Производитель отмечает, что разогнанный модуль памяти CAMM2 DDR5-10000 успешно прошёл тест в программе Memtest. Память работала с задержками CL52-70-70-160 при напряжении 1,45 В.

Модули памяти формата CAMM2 обладают рядом преимуществ перед обычными модулями DIMM. Они занимают меньше места на материнской плате, поддерживают широкую шину памяти на одном модуле (один модуль может работать в двухканальном режиме, обеспечивая высокую пропускную способность), отличаются улучшенной целостностью сигналов, более высоким разгонным потенциалом и упрощённым охлаждением.

К сожалению, производители материнских плат пока не спешат переходить на новый формат ОЗУ. Платы с поддержкой модулей CAMM2 демонстрируются на различных выставках электроники, но в продаже практически не встречаются. Тем не менее, некоторые производители уже выпускают ноутбуки с поддержкой нового формата памяти.

G.Skill представила сверхскоростную оперативную память — DDR5-10600 и CAMM2 DDR5-10000

Компания G.Skill анонсировала на выставке Computex 2025 высокоскоростные модули оперативной памяти DDR5 и CAMM2. В числе первых — двухканальный комплект памяти Trident Z5 NeoX RGB общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с заявленной скоростью 10 600 МТ/с и таймингами CL58-63-63.

 Источник изображений: TechPowerUp

Источник изображений: TechPowerUp

Модули памяти серии G.Skill Neo поддерживают профили разгона AMD EXPO. В качестве демонстрации производитель показал систему на базе Ryzen 5 8500G (Phoenix 2), оснащённую ОЗУ с эффективной скоростью 5300 МГц (DDR5-10600) и таймингами 62-63-63-126, работающей при напряжении 1,4 В. Это весьма впечатляющий показатель для платформы AMD.

Производитель также представил новый модуль памяти CAMM2 объёмом 64 Гбайт, работающий на скорости DDR5-10000, что делает его, возможно, самым быстрым модулем ОЗУ в таком форм-факторе. Память функционирует с таймингами CL56-70-70.

Следует напомнить, что память CAMM2 — двухканальная. Благодаря этому в систему можно установить всего один такой модуль, и он будет сразу работать в двухканальном режиме. Для этого материнская плата должна поддерживать формат CAMM2, но это позволяет существенно сэкономить пространство на самой плате. Работа модуля CAMM2 DDR5-10000 была протестирована на системе с Intel Core Ultra 9 285K.

Также G.Skill продемонстрировала память Trident Z5 NeoX RGB, работающую в режиме DDR5-10747 с таймингами CL68-128-128. Модули были протестированы на ПК с Core Ultra 9 285K. Готовящиеся к выпуску планки памяти Trident Z5 NeoX RGB будут доступны в белом, оранжевом и флуоресцентно-зелёном вариантах исполнения.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Госдума ударила по авторизации через Google и Apple — сайтам грозят штрафы до 700 тысяч рублей 14 мин.
Meta убрала алгоритм распознавания лиц из программного кода для умных очков 20 мин.
Более миллиона игроков добавили Warhammer 40,000: Dawn of War 4 в список желаемого Steam 2 ч.
Все смартфоны в России поставят на учёт по IMEI — Госдума приняла пакет законов «Антифрод 2.0» 2 ч.
«Люди разучились ждать»: похоже, многострадальная The Wolf Among Us 2 выйдет целиком, а не по эпизодам 4 ч.
На iPhone наконец можно будет регулировать громкость звонка, будильника и уведомлений по-отдельности 5 ч.
Nvidia выпустила Hotfix-драйвер 610.52 для решения проблем Smooth Motion, G-Sync и ошибок EDID 5 ч.
Кодзима оказался «не заинтересован» в ИИ на фоне массовой критики ИИ-рекламы Prada с его участием 5 ч.
Октябрьский скачок цен на Game Pass обернулся для Xbox потерей «миллионов подписчиков» 6 ч.
Google экстренно обновила Chrome, закрыв уязвимость нулевого дня, которую эксплуатировали хакеры 7 ч.