Акции технологических компаний в Азии продолжили в понедельник падение, начавшееся с американского рынка на прошлой неделе. Южнокорейские производители памяти Samsung Electronics и SK Hynix, завершили торговую сессию снижением на 10,18 % и 7,68 % соответственно. Индекс Kospi упал на 8,29 %, до 7484,4 пункта поскольку на долю этих двух компаний приходится более 40 % индекса.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Jason Briscoe/unsplash.com

До этого, на прошлой неделе американский индекс Nasdaq, в котором преобладают технологические компании, упал более чем на 4,5 %, сообщил CNBC. «Обвал, вызванный технологическим сектором, привел к потере примерно $1,8 трлн рыночной капитализации S&P 500», — говорится в записке банка United Overseas Bank (UOB), опубликованной в пятницу.

Акции TSMC опустились в понедельник на 2,96 %, Hon Hai Precision (Foxconn) — на 5,27 %. Ценные бумаги японского технологического конгломерата SoftBank Group подешевели на 6,1 %, а Tokyo Electron и Advantest — на 7,45 и 5,72 % соответственно.

Акции производителей микросхем в Европе последовали за азиатскими аналогами, снизившись в начале торговой сессии, но затем восстановились и вышли в положительную зону к середине дня. Акции BE Semiconductor выросли на 1,4 %, ASML — на 0,2 %, Infineon — на 0,9 %, а STMicroelectronics — на 0,3 %. Акции ASM International снизились на 0,7 %.

Падение рынка было спровоцировано публикацией отчёта Broadcom за второй финансовый квартал на прошлой неделе. Прогноз роста её выручки не оправдал ожиданий Уолл-стрит, что привело к резкому падению акций компании и вызвало цепную реакцию в технологическом секторе.

Как отметил ресурс CNBC, инвесторы предпочитают не рисковать на фоне ожиданий того, что процентные ставки в США могут оставаться высокими в течение длительного времени после публикации на прошлой неделе данных по рынку труда, которые значительно превзошли прогнозы.

«Мы переносим последние два снижения ставок в нашем прогнозе ФРС на июнь и декабрь 2027 года. Рынок труда оказался сильнее, чем мы ожидали», — сообщается в записке Goldman Sachs, опубликованной в пятницу.

Основатель и бессменный лидер Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) во время своего визита в Южную Корею не стал ограничиваться заявлениями о том, что все три крупнейших поставщика HBM4 прошли сертификацию и будут снабжать ускорители Vera Rubin эти типом памяти. Компания SK hynix была выделена из числа партнёров Nvidia, поскольку именно с ней было заключено долгосрочное соглашение о сотрудничестве.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: Nvidia

Стороны будут на протяжении нескольких лет сотрудничать в сфере разработки и производства чипов, как можно понять из публикации Bloomberg. По всей видимости, данное соглашение усиливает роль SK hynix в создании новых поколений HBM и других видов памяти, которые Nvidia сочтёт привлекательными для применения. К слову, данные новости не уберегли акции SK hynix от снижения в цене на 10 % на торгах в понедельник, поскольку коррекция на фондовом рынке, которая в США наблюдалась в пятницу, эхом отразилась на азиатских площадках в первый рабочий день новой недели.

По словам Хуанга, сотрудничество между Nvidia и SK hynix будет охватывать широкий спектр технологий, от передовых ИИ-моделей до агентских решений и физического воплощения ИИ. Все эти задачи потребуют использования памяти, причём разных типов. Центральные процессоры Vera, как добавил глава Nvidia, также будут использовать память DRAM производства SK hynix. Второе полугодие и весь следующий год, по словам Хуанга, будут очень насыщенными с точки зрения взаимодействия Nvidia и SK hynix.

Уже в следующем квартале должны начаться поставки серверных систем поколения Vera Rubin, которые будут оснащаться одноимёнными ускорителями Nvidia с памятью типа HBM4. Как признался на этой неделе глава и основатель компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang), все три крупнейших поставщика HBM4 прошли процедуру сертификации своей продукции под требования Nvidia.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: Samsung Electronics

Напомним, для Samsung Electronics данный вопрос остаётся болезненным, поскольку оставаясь крупнейшим производителем памяти в целом, она уступила более мелкой SK hynix пальму первенства в сегменте HBM3E, поскольку её собственная память данного поколения долгое время не могла пройти сертификационные испытания Nvidia. Фактически, прогресс в этой сфере был достигнут к моменту, когда уже пришло время налаживать поставки HBM4. Память последнего типа Samsung начала отгружать клиентам самой первой, как она поспешила заявить ещё в середине февраля, а недавно она призналась, что начала снабжать клиентов и образцами более современной HBM4E.

Возвращаясь к комментариям генерального директора Nvidia, можно отметить, что сертификацию HBM4 под её требования прошли компании Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology. Только они приступили к производству HBM4, поэтому список и ограничивается тремя поставщиками. Наличие у Nvidia трёх поставщиков позволяет снизить риски, связанные с чрезмерной зависимости от одного партнёра в данной сфере. Кроме того, это даёт Nvidia больше возможностей для торга при закупке HBM4. «Все три вендора прошли квалификацию. Все три вендора сейчас занимаются производством, и все они торопятся обеспечить поддержку Vera Rubin», — заявил Дженсен Хуанг во время своего визита в Сеул. Ускорители данного семейства уже выпускаются в массовых количествах, на рынок они поступят в третьем квартале текущего года. В Южной Корее у главы Nvidia запланированы встречи с руководством различных местных компаний, предсказуемо включая Samsung и SK hynix, а также посещение бейсбольного матча в выходные. По его словам, Nvidia активно нанимает персонал для своего нового южнокорейского исследовательского центра.

Значимость производителей памяти подчёркивается хотя бы тем фактом, что председатель совета директоров южнокорейской SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) оказался приглашён на отраслевую выставку Computex 2026 на Тайване, где сделал несколько важных заявлений. В частности, он пообещал удвоить мощности SK hynix по производству памяти за последующие пять лет.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: SK hynix

Он же в марте этого года, как напоминает Reuters, сообщил о возможности сохранения дефицита памяти на мировом рынке до 2030 года. SK hynix, которая в составе упоминаемого южнокорейского конгломерата занимается выпуском памяти, нуждается в расширении круга своих партнёров на Тайване, и дело не должно ограничиваться одной лишь TSMC, как отметил глава холдинга.

Чхэ Тхэ Вон выразил надежду, что SK hynix сможет остаться крупнейшим поставщиком HBM для ускорителей Nvidia Vera Rubin. Как известно, на этот статус претендует конкурирующая Samsung Electronics, но SK hynix явно не собирается сдаваться без боя. На прошлой неделе капитализация SK hynix впервые в истории превысила $1 трлн, что говорит об уверенности инвесторов в способности этого производителя памяти развивать бизнес в условиях бума ИИ. По данным Counterpoint Research, в первом квартале текущего года SK hynix сохраняла за собой 58 % мирового рынка HBM, а Samsung и Micron досталось по 21 %.

1 июня 2026 года на территории кампуса SK hynix в Чхонджу, Южная Корея, произошёл пожар, вызвавший утечку фтороводорода (HF). Была проведена экстренная эвакуация всех 3600 сотрудников заводов M15 и M15X. Представитель SK hynix сообщил, что в момент происшествия на месте аварии находились 10 работников. Семь человек были госпитализированы для тщательного обследования, поскольку они оказались в зоне утечки газа.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: SK hynix

По сообщениям СМИ, пожар в четвёртом кампусе SK hynix в Чхонджу начался около 10:32 утра по местному времени (04:32 мск) в газовом помещении на шестом этаже между зданиями M15 и M15X. Из-за утечки токсичного газа, сопровождавшей пожар, компания в качестве меры предосторожности эвакуировала всех 3600 сотрудников с этих заводов. По предварительным оценкам причиной пожара стала проблема с газопроводом. SK hynix пообещала выяснить точную причину и последовательность событий.

Хотя распространение огня было пресечено системой пожаротушения, токсичный для человека фтороводород распространился внутри помещения, поэтому семь сотрудников были доставлены в больницу. Пять человек сообщили о раздражении глаз, у двух других не было особых симптомов, но их доставили в больницу для тщательного обследования, поскольку они находились в зоне утечки газа.

SK hynix в настоящее время проводит работы по ликвидации последствий аварии с использованием оборудования для очистки окружающей среды и разрешит сотрудникам вернуться на рабочие места после завершения проверок безопасности, включая анализы качества воздуха. Компания добавила, что производство не будет прервано, поскольку пожар не затронул оборудование.

27 мая 2026 года около 10:30 утра (04:30 мск) на заводе SK hynix в Чхонджу (M11) также произошло возгорание оборудования для обработки полупроводников. Внутренняя система пожаротушения справилась с инцидентом, но рабочие были эвакуированы примерно на час. Представитель SK hynix заверил, что производство полупроводников не пострадало, а компания ведёт расследование происшествия.

Тот факт, что на территории кампуса SK hynix в Чхонджу менее чем за неделю произошло два инцидента, связанных с возгораниями, привлёк пристальное внимание отрасли.

Производители памяти Micron, Samsung и SK hynix впервые оказались дороже крупнейших нефтяных компаний мира. Однако, как считает Wall Street Journal, их акции по-прежнему выглядят недооценёнными благодаря буму искусственного интеллекта и переходу отрасли на долгосрочные контракты.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображений: micron.com

Рыночная капитализация трёх крупнейших в мире производителей памяти Micron, Samsung и SK hynix сейчас превышает $1 трлн каждой, и в сумме это на 22 % выше аналогичного показателя трёх самых дорогих нефтяных компаний мира, даже с учётом $1,8 трлн у одной только Saudi Aramco. С учётом цепочки производства памяти стоимость ещё выше: капитализация Sandisk с марта почти утроилась и почти сравнялась с показателем PetroChina — крупнейшего производителя нефти в Азии.

Столь стремительные успехи вызывают опасения, что акции производителей памяти вот-вот рухнут, особенно с учётом высокой цикличности в этой отрасли. Но недавние изменения в деловой практике говорят об обратном: они скорее недооценены. Память, как и нефть, считается товаром, который подвержен резким колебаниям цен. Но спрос на эти чипы сейчас определяет отрасль искусственного интеллекта, поэтому цены продолжают расти. А производители используют рычаги влияния, чтобы заставить клиентов подписывать долгосрочные соглашения — при достаточном количестве таких сделок волатильность цен удастся обуздать.

Micron объявила о заключении первого пятилетнего соглашения в марте; Sandisk доложила, что заключила долгосрочные соглашения уже с пятью клиентами; SK hynix подобных сведений не привела, но и она явно обсуждала с клиентами их будущие потребности, потому что отметила, что в ближайшие три года спрос «значительно превышает» её производственные мощности. В следующем году на долю таких контрактов придутся до 30 % поставок, гласят оценки аналитиков — они также считают, что технологические гиганты Microsoft, Google (Alphabet) и Amazon обеспечили себе около двух третей мирового производства чипов памяти для серверов.

Долгосрочные контракты делают будущую прибыль производителей памяти более предсказуемой. И она существенна. Скорректированная прибыль Micron на акцию за завершившийся в феврале квартал выросла до $12,20 с $1,56 за аналогичный период годом ранее. По итогам финансового года, который закончится в августе, этот показатель достигнет $60, а в следующий финансовый год составит около $106. При текущей рыночной капитализации более $1 трлн акции Micron торгуются по цене, менее чем десятикратно превышающей прогнозируемую прибыль компании за следующие четыре квартала — то есть компания входит в 10 % самых недооценённых из индекса S&P 500.

Sandisk имеет капитализацию примерно в 10,5 раза выше прогнозируемой прибыли; у Samsung и SK hynix этот показатель составляет от шести до семи. Для сравнения, средний мультипликатор тридцати компаний в индексе PHLX Semiconductor составляет около 26. Иными словами, память всё больше напоминает новую нефть эпохи ИИ, однако рынок пока оценивает её производителей заметно дешевле большинства крупных полупроводниковых компаний.

Сегодня, 27 мая 2026 года, акции SK hynix прибавили в цене 11 %, и рыночная капитализация корейского производителя чипов памяти поднялась выше $1 трлн. За достижение ей следует благодарить инвесторов, которые активно вкладывают средства в связанных с отраслью искусственного интеллекта производителей полупроводников.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: skhynix.com

С начала года рост акций SK hynix составил около 250 % — этому способствовал растущий спрос на высокоскоростные компоненты памяти, которые используются в серверах и ускорителях ИИ. Компания выступает крупнейшим поставщиком памяти для Nvidia — мирового лидера в области оборудования для ИИ. Перед закрытием торгов акции SK hynix сократили рост и окончательный показатель составил 9,21 %; для сравнения, акции Samsung Electronics подорожали на 2,68 %. Американский производитель чипов памяти Micron также взял отметку в $1 трлн.

Samsung преодолела отметку в $1 трлн в начале месяца. На долю двух производителей чипов приходятся более 40 % южнокорейского индекса Kospi, то есть его динамика тесно связана с мировым спросом на полупроводники и чипы памяти для ИИ-оборудования. С начала года этот индекс вырос более чем вдвое. Такая концентрация грозит усилением волатильности рынка, а индекс может стать уязвимым к рискам, таким как сбои в цепочках поставок и охлаждение инвесторов к сегменту центров обработки данных.

Рост акций SK hynix ещё может продолжиться — прогнозы по прибыли компании опережают даже её стремительный рост акций, указывают эксперты.

SK hynix представила решение под названием iHBM: интегрированные охлаждающие элементы (ICE) встроили в корпус чипов высокоскоростной памяти HBM нового поколения.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: skhynix.com

Управление тепловыделением становится критической проблемой по мере развития технологии HBM и увеличения количества слоёв — оно необходимо для повышения скорости и удовлетворение спроса на обработку данных в области искусственного интеллекта. Эффективное управление плотностью мощности на физическом уровне D2D (Die-to-Die Physical Layer) — интерфейсе, который соединяет память с графическим процессором — выступает ключевым фактором, определяющим конкурентоспособность HBM нового поколения.

В решении iHBM компания применила структурный подход к решению проблемы управления тепловыделением. В существующих продуктах HBM используется косвенный метод охлаждения, предусматривающий отвод тепла через ядро кристалла. Схема iHBM предусматривает размещение ICE непосредственно в области D2D PHY, где концентрация тепла наиболее высока — там создаётся дополнительный путь для его рассеивания. Новое решение помогает снизить тепловое сопротивление на 30 %, обеспечивая стабильную работу чипов даже в условиях высоких температур и давления.

Решение адаптировано под нужды массового производства: разработанный в SK hynix процесс Wafer Level Packaging (WLP) на основе технологии Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) способен обеспечить стабильный крупномасштабный выпуск чипов с iHBM. Предусмотрена и высокая совместимость с существующими архитектурами System-in-Package (SiP): клиенты могут внедрять новое решение с минимальными изменениями в конструкции. SK hynix намеревается внедрить iHBM в архитектуру HBM5.

С осени 2022 года власти США запретили поставки в Китай оборудования, позволяющего выпускать местным компаниям память 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук. Samsung и SK hynix, которые значительную часть своей памяти выпускают именно в Китае, получили освобождение от этих правил. Первой из них это позволит освоить в Сиане выпуск 286-слойной 3D NAND уже в следующем году.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: Samsung Electronics

Разумеется, южнокорейские производители взялись гарантировать властям США, что получаемое ими для своих китайских предприятий оборудование никуда на сторону не попадёт. В конце марта, как сообщает TrendForce со ссылкой на Sisa Journal, компания Samsung начала на своём китайском предприятии в Сиане массовый выпуск 236-слойной памяти 3D NAND. Сейчас на этой площадке сворачивается производство устаревшей 128-слойной памяти, чтобы к следующему году наладить массовый выпуск 286-слойной памяти. Какое-то время она будет здесь производиться бок о бок с 236-слойной памятью. В Сиане Samsung производит около 40 % объёмов 3D NAND, поставляемых ею на мировой рынок.

На родине в Южной Корее Samsung уже готовится начать выпуск памяти более нового поколения, которое поднимет количество слоёв за пределы 400 штук. Соответствующее производство должно стартовать во второй половине текущего года. Конкурирующая SK hynix в ближайшие два года рассчитывает запустить серийное производство 300-слойной памяти с технологией гибридного соединения. Сейчас она производит 321-слойную память по классическому методу. Китайская YMTC в условиях адресных американских санкций уже освоила выпуск 270-слойной памяти. Более того, Huawei недавно продемонстрировала способ повышения ёмкости твердотельных накопителей без увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

В своё время память типа HBM, характеризуемая вертикальной компоновкой нескольких кристаллов, была предложена именно ради повышения пропускной способности и ёмкости при ограниченных площадных габаритах. Тем не менее, потребности чипов ускорителей в объёме памяти и её пропускной способности явно превышают возможности производителей HBM, поэтому они задумал «отселить» её с чипа GPU.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: Nvidia, ZDNet

Как поясняет ZDNet со ссылкой на одного из южнокорейских производителей памяти, инженеры компании думают о перспективе переноса HBM с общей с GPU упаковки на отдельную печатную плату. При этом скоростной обмен данных планируется организовать при помощи оптических интерфейсов, которые будут соединять блок памяти с GPU. Такая компоновка позволит увеличить объём доступной одному GPU памяти типа HBM в несколько раз. Обсуждением этой концепции производители HBM уже занимаются со своими клиентами, как сообщает источник.

Прежний метод масштабирования ёмкости HBM за счёт наращивания количества слоёв в стеке рано или поздно себя изживёт. Уже сейчас предлагается память с 16-ярусной компоновкой, в перспективе количество слоёв вырастет до 20 штук, но сложность и стоимость производства такой памяти при этом увеличивается экспоненциально. При этом увеличивать количество чипов HBM вокруг GPU также проблематично, поскольку они не могут удаляться от него достаточно сильно без потери скорости передачи информации. Остаётся только работать над более скоростным интерфейсом, который позволит увеличить длину соединений без потери для быстродействия.

Отдельной проблемой является поиск места для расположения чипов HBM, поскольку печатная плата ускорителя с GPU и без того плотно населена различными элементами. Возможно, чипы памяти будут располагаться на собственной небольшой печатной плате, которая будет монтироваться на основную вторым ярусом с оборотной стороны. Новый подход к размещению HBM также требует согласования с компаниями, специализирующимися на упаковке чипов, поскольку им предстоит внедрить оптический интерфейс.

Корейский производитель чипов памяти SK hynix вплотную подобрался к рыночной капитализации в $1 трлн — совсем недавно этот рубеж преодолел её основной конкурент в лице Samsung Electronics. Южная Корея оказалась крупнейшим в Азии выгодоприобретателем бума технологий искусственного интеллекта.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: skhynix.com

В 2025 году акции SK hynix подорожали на 274 %, а с начала текущего года прибавили ещё 200 % — успеху способствовал спрос со стороны отрасли ИИ на чипы обычной памяти и компоненты высокоскоростной HBM. Если SK hynix вслед за Samsung преодолеет порог рыночной капитализации в $1 трлн, Южная Корея станет второй после США страной, в которой более одной компании с такой стоимостью. Самой дорогой компанией в Азии остаётся тайваньская TSMC с рыночной капитализацией более $1,83 трлн.

Вместе с производителями растёт и южнокорейский индекс KOSPI — в местных производителей чипов стали вкладываться как мелкие, так и крупные инвесторы. В 2025 году KOSPI взлетел на 75 %, показав лучший результат с 1999 года и став самым успешным крупным фондовым рынком в мире; в этом году он поднялся дополнительно на 86 %.

Всего 16 месяцев назад SK hynix стоила менее $100 млрд, а сейчас она подобралась к величине рыночной капитализации розничного гиганта Walmart и инвестиционного фонда легендарного Уоррена Баффета (Warren Buffett) Berkshire Hathaway. Накануне акции SK hynix упали на 0,48 %, а ценные бумаги Samsung прибавили 3 % и обновили исторический максимум; рынок показывал рост на 0,9 % — недалеко от исторического максимума, достигнутого на этой неделе. По состоянию на среду, 13 мая 2026 года, рыночная капитализация SK hynix состояла около $948 млрд.

Если Samsung Electronics располагает вертикально интегрированным бизнесом, в составе которого есть подразделение по контрактному производству чипов, то SK hynix приходится при производстве передовой памяти класса HBM сильно полагаться на партнёров. Одним из них может стать Intel со своей технологией EMIB.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечает ZDNet, к этой методике упаковки чипов в исполнении Intel как раз присматривается SK hynix, планируя найти ей применение при производстве памяти поколения HBM4. Намерений одной только SK hynix в этой сфере мало — её заказчики также не должны возражать, чтобы память для них упаковывалась на предприятиях корпорации Intel.

До сих пор SK hynix полагалась на TSMC и её метод упаковки CoWoS, но пределы возможностей последнего постепенно достигаются, а потому производители чипов начинают присматриваться к альтернативам, и одной из них может стать EMIB в исполнении Intel. Монолитный кристалл, который в состоянии выпустить TSMC, имеет площадь не более 830 мм², а многокристальная упаковка типа 2.5D позволяет раздвинуть пределы компоновки. Считается, что будущие поколения HBM будут гораздо сильнее учитывать пожелания конкретных разработчиков ИИ-ускорителей по интеграции памяти, поэтому SK hynix вынуждена расширять круг своих партнёров в сфере передовых методов упаковки чипов. Исследовательская работа в направлении использования EMIB со стороны SK hynix уже ведётся, как сообщают источники.

Дефицит памяти, сложившийся в условиях бума ИИ, воодушевил производителей не только ростом цен и прибыли, но и появлением возможности заключать долгосрочные контракты с клиентами. Последние во многих случаях даже готовы оплатить строительство новых линий по выпуску продукции для своих нужд.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: SK hynix

По крайней мере, с такой ситуацией столкнулась южнокорейская SK hynix, как отмечает Reuters. Крупные заказчики готовы ради ускорения доступа к желаемым объёмам продукции оплачивать не только строительство новых предприятий и линий, но и закупку необходимого для них технологического оборудования. Разумеется, подобные инвестиции клиенты SK hynix предлагают на условиях исключительного использования полученных дополнительных мощностей для выпуска микросхем памяти под собственные нужды.

Подобные предложения SK hynix оценивает критически, как поясняют источники, поскольку особые соглашения с отдельными клиентами могут создать напряжённость из-за неравенства в условиях поставок, включая объёмы партий, порядок приоритета и цены, по которым привилегированные клиенты смогут закупать память. При этом сейчас у SK hynix нет свободных мощностей, и обеспечить кого-либо выделенными производственными линиями она просто не может, даже если бы захотела. Кроме того, производители памяти просто не хотят «сделать ставку не на ту лошадь» в гонке ИИ, оказавшись связанными обязательствами с компанией, сотрудничество с которой для них будет невыгодным.

По словам источников, впервые подобное предложение поступило от некоего клиента SK hynix на этапе строительства первой очереди комплекса по производству DRAM в южнокорейском Йонъине. Долгосрочные контракты с клиентами пытаются заключать и другие производители памяти, включая Samsung Electronics и Micron, но их специфические условия не раскрываются. Представители SK hynix лишь отделались комментарием о том, что стараются рассматривать различные условия долгосрочных контрактов, которые могут отличаться от традиционных. Для производителей памяти важно, чтобы клиенты в будущем не отказались от своих обязательств в части выкупаемых объёмов продукции или цены. Пока у первых есть возможность защищать свои интересы, они стараются предусмотреть выгодные для себя условия долгосрочных контрактов. Как правило, в таких соглашениях заранее оговаривается диапазон цен, поскольку исторически рынок памяти был очень волатильным с этой точки зрения на среднесрочных интервалах. Производители памяти также могут сейчас брать от 30 до 40 % предоплаты с клиентов.

Как уже отмечалось ранее, заметно окрепший профсоюз сотрудников Samsung теперь требует не только повышения базовой зарплаты рабочим, но и распределения в качестве премий до 15 % годовой операционной прибыли компании. На прежнем этапе переговоры сторон провалились из-за того, что руководство Samsung не захотело закрепить новый порядок расчёта премии в правилах и сделать её ежегодной.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом сообщает издание Financial Times со ссылкой на знакомые с ходом переговоров источники. Руководство Samsung Electronics согласилось было пустить на выплату годовой премии до 13 % операционной прибыли компании, но не было готово закрепить новый порядок расчёта в правилах, по которым он осуществлялся бы на ежегодной основе. Для сравнения, SK hynix взяла на себя обязательство распределять в виде премий между сотрудниками 10 % операционной прибыли на протяжении последующих десяти лет. Если исходить из текущих прогнозов по годовой операционной прибыли SK hynix, то в этом году каждый сотрудник компании сможет получить по $475 000 в виде годовой премии.

Профсоюз Samsung настаивает, что базовый уровень оплаты труда нужно поднять на 7 %, а на премирование ежегодно пускать по 15 % операционной прибыли. У конкурирующих южнокорейских производителей памяти иные пропорции базовой зарплаты и годовой премии. В частности, в Samsung последняя не может превышать 50 % от годовой зарплаты, а вот SK hynix готова предлагать своим сотрудникам в шесть или семь раз больше денег в виде годовой премии, чем Samsung. Даже без учёта сверхприбылей в период бума ИИ, рядовой сотрудник SK hynix может рассчитывать на годовую прибыль в размере до $207 000. Сотрудник Samsung в подобных условиях сможет претендовать только на $31 000, но профсоюз намерен добиться увеличения этой суммы сразу на порядок.

При этом выборочное поощрение сотрудников в структуре многопрофильного холдинга Samsung Electronics может вызвать недовольство у рабочих, занятых в других подразделениях, которые не связаны с выпуском микросхем памяти. Представители структуры Samsung, которая занимается выпуском смартфонов и телевизоров, от участия в намеченной на 18 мая всеобщей забастовке отказались. Выплата крупных премий занятым в производстве чипов сотрудникам Samsung вызовет справедливое недовольство всех остальных. Эксперты считают, что для нормализации ситуации полупроводниковый бизнес в составе Samsung должен будет обрести своего рода самостоятельность. Это позволит более свободно назначать премиальные выплаты.

Являясь крупнейшим производителем памяти, южнокорейская Samsung Electronics старается своевременно переходить на использование более современных литографических норм, поскольку это в долгосрочной перспективе позволяет сократить издержки на выпуск памяти. Недавно компания получила первый работоспособный кристалл DRAM, изготовленный по технологии тоньше 10 нм.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображения: Samsung Electronics

Традиционно литографические нормы в сфере производства микросхем памяти отстают от сферы логических компонентов, поскольку в первом случае передовые технологии просто не требуются и себя не оправдывают. Так или иначе, до недавних пор производители памяти активно осваивали техпроцессы 10-нм класса, которые ранжировались в такой последовательности: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d (в порядке убывания параметров геометрии). Samsung недавно получила первый работоспособный образец кристалла DRAM, изготовленный по техпроцессу поколения 10a, который открывает эпоху литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти. Линейные размеры в данном случае варьируются в диапазоне от 9,5 до 9,7 нм, как уточняет The Elec.

Последующие этапы внедрения данного техпроцесса подразумевают начало его использования при массовом производстве чипов памяти в 2028 году. Три последовательных технологии (10a, 10b и 10c) будут подразумевать использование архитектуры ячеек 4F² и транзисторов с вертикальным каналом (VCT). В рамках последующей технологии 10d компания собирается перейти на 3D DRAM. Samsung подстраховалась на тот случай, если 10a не получится внедрить в массовом производстве, параллельно разрабатывая альтернативные технологии, но получение работоспособных образцов позволяет надеяться, что основной сценарий сработает.

Внедрение 10a влечёт для Samsung риски, связанные с увеличением плотности размещения ячеек памяти. Структура 4F² подразумевает увеличение количества ячеек на единице площади кристалла на 30–50 %. Одновременно транзисторы с вертикальным каналом (VCT) позволяют разместить конденсатор над транзистором, также увеличивая плотность компоновки элементов на кристалле. Периферийные схемы будут изготавливаться на отдельном кристалле и монтироваться под основной методом гибридного соединения пластин. Изменения в компоновке повлекли и замену химического состава элементов. Вместо кремния Samsung будет изготавливать каналы транзисторов из оксида индия, галлия и цинка (IGZO) для подавления токов утечки и обеспечения более стабильного хранения данных в ячейках памяти более компактной структуры.

В выборе материала для слововой линии Samsung рассматривала две альтернативы: нитрид титана и молибден, но второй обладает повышенной коррозионной активностью и требует внедрения нового оборудования, поэтому чаша весов пока не склонилась к какому-то конкретному варианту. Вертикальные каналы в транзисторах, по мнению экспертов, являются первым шагом к созданию 3D DRAM, поэтому Samsung движется к этой технологии эволюционным путём. В то же время, Micron Technology и китайские производители памяти собираются миновать этап 4F² и VCT, рассчитывая сразу перейти к 3D DRAM. Трёхмерная компоновка, помимо прочего, позволит наладить выпуск памяти с более высокой плотностью без использования сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV), которая требует более дорогого оборудования. Для китайских производителей это вдвойне актуально с учётом отсутствия доступа к такому оборудованию в условиях западных санкций. Корейская SK hynix по примеру Samsung намерена применять 4F² и VCT, но только в рамках техпроцесса 10b, а не 10a.