Китайскому производителю оперативной памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. удалось в судебном порядке доказать свою непричастность к краже коммерческих секретов американской Micron Technology, в которой его обвиняли в США. Об этом сообщил ресурс Bloomberg.

Источник изображения: Fujian Jinhua Integrated Circuit

Спустя пять лет после того, как Fujian Jinhua была внесена Министерством торговли США в чёрный список как угроза национальной безопасности, окружной судья США Максин М. Чесни (Maxine M. Chesney) в Сан-Франциско признала компанию невиновной и сняла с неё ранее предъявленные обвинения в экономическом шпионаже и других преступлениях.

В своём постановлении судья отметила, что прокуратуре не удалось доказать, что Fujian Jinhua незаконно присвоила разработки Micron Technology, которые предположительно поступили к ней через тайваньскую United Microelectronics Corp. (UMC) в рамках производственной сделки. В 2020 году UMC признала себя частично виновной в краже коммерческой тайны и выплатила штраф в размере $60 млн.

В связи с решением суда Micron Technology выступила с заявлением, в котором указала, что достигла глобального мирового соглашения с Fujian Jinhua, в рамках которого они отказались от всех претензий друг к другу. Сюда входит гражданский иск, поданный американской компанией за год до того, как Министерство юстиции США выдвинуло уголовные обвинения против китайской фирмы, поддерживаемой правительством Китая. Свой иск против Fujian Jinhua и её тайваньского партнёра UMC с обвинением в краже коммерческой тайны, касающейся производства чипов памяти, американская компания подала в 2017 году.

Декабрьское соглашение об урегулировании было подписано Micron Technology после того, как китайское правительство запретило использование её чипов в критической инфраструктуре из-за серьёзных рисков для национальной безопасности. По данным американской компании, на предприятия, базирующиеся в материковом Китае и Гонконге, приходится около четверти всего её дохода.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.

Компания Micron Technology представила два новых продукта из серии Crucial Pro — семейство модулей оперативной памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition и твердотельный накопитель Crucial T705 стандарта PCIe 5.0. Первые обзоры говорят, что это самый быстрый потребительский SSD в мире.

Источник изображений: Micron

Твердотельные накопители Crucial T705 стандарта PCIe 5.0 будут выпускаться в виде моделей объёмом 1, 2 и 4 Тбайт. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи производительность новинок достигает 1,55 млн и 1,8 млн IOPS соответственно. Причём самыми быстрыми являются версии на 2 Тбайт.

Производитель отмечает, что в составе накопителей Crucial T705 используются 232-слойные чипы флеш-памяти TLC NAND от самой Micron со скоростью 2400 МТ/с. Новый SSD построен на контроллере Phison E26. Имеется и кеш из памяти LPDDR4. На все модели SSD компания предоставляет пятилетнюю гарантию.

Твердотельные накопители Crucial T705 будут выпускаться как с комплектным алюминиевым радиатором охлаждения чёрного цвета, так и без него. Кроме того, компания предложит специальную версию Crucial T705 объёмом 2 Тбайт с белым радиатором.

Предварительные продажи новинок начнутся 12 апреля. Стоимость начинается от $239,99 за версию на 1 Тбайт без радиатора и доходит до $729,99 за 4-Тбайт накопитель в модификации с радиатором.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition выделяется задержками CL36-38-38-80, которые на 25 % ниже, чем у ранее выпущенных модулей ОЗУ Crucial DDR5 Pro Memory Plug and Play Edition. Рабочее напряжение новых модулей памяти составляет 1,35 В. Эффективная частота модулей памяти Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition составляет 6000 МГц. Они совместимы с профилями разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Оперативная память Crucial DDR5 Pro: Overclocking Edition будет выпускаться в виде двухканальных комплектов, состоящих из двух модулей DDR5-6000 объёмом по 16 Гбайт (общий объём 32 Гбайт), а также двухканальных комплектов из двух модулей по 24 Гбайт (общий объём 48 Гбайт). Первые появятся в продаже с 27 февраля, вторые компания выпустит позже в этом году.

Crucial одной из первых начала массовый выпуск потребительских твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 в прошлом году. Её дебютный SSD T700 обеспечивает скорость до 12 Гбайт/с при последовательном чтении и записи. Этот показатель значительно превосходит возможности накопителей стандарта PCIe 4.0, но далёк от предела возможностей самого стандарта PCIe 5.0. Приблизиться к последнему Crucial собирается с помощью новой серии SSD T705.

Источник изображений: Overclock3d

Стало известно, что Crucial ведёт разработку SSD T705, который предложит скорости последовательного чтения до 14 500 Мбайт/с, что сделает его одним из самых быстрых твердотельных накопителей стандарта PCIe 5.0 на рынке. Согласно утечке, новинка будет предлагаться в версиях как с радиатором, так и без него. Кроме того, SSD будет выпущен в специальной версии, оснащённой белым радиатором.

На данный момент неизвестно, какой контроллер памяти используется в новой модели SSD Crucial T705. Например, в тех же накопителях Crucial T700 применяется флагманский контроллер Phison E26 первого поколения. Можно предположить, что в составе новинки используется тот же контроллер, но более скоростные микросхемы памяти, аналогично эталонному SSD Phison E26 Max14um.

Если верить данным утечки, в составе Crucial T705 будут использоваться 232-слойные чипы флеш-памяти TLC 3D NAND от Micron, родительской компании Crucial. Самой быстрой моделью Crucial T705 будет версия объёмом 2 Тбайт, которая предложит скорость последовательного чтения 14 500 Мбайт/с и последовательной записи до 12 700 Мбайт/с. В состав серии также войдёт модель объёмом 4 Тбайт, которая будет чуть медленнее 2-Тбайт версии, и вариант на 1 Тбайт, который будет медленнее остальных. Тем не менее, все три новинки будут значительно быстрее первых накопителей стандарта PCIe 5.0, предлагавших скорости до 10–12 Гбайт/с

Стоимость накопителей Crucial T705 неизвестна. Информации о том, когда новинка поступит в продажу, пока тоже нет.

Принадлежащий Micron потребительский бренд Crucial Memory продемонстрировал на выставке CES 2024 пару внешних твердотельных накопителей с интерфейсом USB4, пишет AnandTech. Это устройства, которые ещё находятся на стадии разработки, и едва ли в таком виде они выйдут на рынок.

Источник изображений: anandtech.com

Отличительной особенностью обоих устройств стал контроллер ASMedia ASM2464PD, обеспечивающий связь USB4 со скоростью 40 Гбит/с и интерфейса PCIe 4.0 x4 — в нём также реализован компонент USB Type-C PD. Портативный вариант твердотельного накопителя выполнен в формфакторе gumstick: в прозрачном корпусе разместился M.2 2280 — в данном случае 2-Тбайт Micron 3400 OEM.

Предполагается, что относительно крупного корпуса ему хватит, чтобы обойтись пассивным охлаждением. К примеру, SanDisk Extreme Pro V2 при всех своих недостатках демонстрирует высокую производительность, и с переходом на USB4 традицию можно было бы продолжить. Хотя в ADATA решили перестраховаться и остановились на активном охлаждении.

Более крупный настольный накопитель Micron с USB4 получился по-своему уникальным. В корпус с небольшим вентилятором установили SSD формфактора U.3. Ранее OWC разместила в крупном корпусе массив M.2 в программном RAID, но в Micron остановились на одном диске большой ёмкости — 8 Тбайт в демонстрируемом образце. Такому накопителю требуется внешний источник питания, но он и сам способен подавать питание на ноутбук по USB4, что можно считать компромиссом. Устройство было бы привлекательнее, получи оно несколько портов USB Type-A/Type-C, но здесь в приоритете производительность и стабильность, учитывая активное охлаждение и PCIe 4.0.

Micron в этой демонстрации сделала ставку на производительность, пожертвовав энергоэффективностью, но эти задачи будут решены с USB4-контроллером Phison U21 и находящимся в разработке аналогом от Silicon Motion. Но едва ли внешние накопители нового поколения выйдут на рынок в первой половине 2024 года.

Компания Micron сообщила, что первой на рынке выпустила модули оперативной памяти нового стандарта LPCAMM2 (Low-Power Compression Attached Memory Module), доступные в вариантах от 16 до 64 Гбайт. Они предлагают более высокую производительность и энергоэффективность, обеспечивают экономию места и сохраняют модульность, то есть возможность апгрейда ПК.

Источник изображений: micron.com

Массовое производство модулей LPCAMM2 компания Micron запустит в первой половине 2024 года — это новый революционный формфактор с момента выхода стандарта SODIMM в 1997 году. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.

Модули памяти LPCAMM2 на чипах LPDDR5X достигают скорости 9600 Мбит/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 демонстрируют 5600 Мбит/с. В режиме ожидания экономия энергии достигает 80 %, что способствует увеличению автономной работы мобильных компьютеров; в задачах, связанных с производством цифрового контента, прирост производительности составляет 7 %.

Micron будет реализовывать память LPCAMM2 под брендом Crucial не только производителям компьютеров, но и конечным пользователям — геймеры и профессионалы смогут самостоятельно заменять модули памяти. Продукция нового формата выйдет на рынок в первой половине 2024 года.

Как стало известно источнику, на прошедшей в декабре конференции IEDM 2023 компания Micron за закрытыми дверями сообщила о разработке и применении кристалла памяти FeRAM огромной ёмкости. Память FeRAM производится около 20 лет, но это традиционно чипы малой ёмкости от 8 до 128 Мбит. Разработка Micron на этом фоне поражает воображение ёмкостью кристалла 32 Гбит, что можно сравнить с восходом новой энергонезависимой памяти.

Фрагмент документа Micron с презентации двухслойной памяти FeRAM. Источник изображения: https://blocksandfiles.com

Память FeRAM работает быстрее памяти NAND. По этому показателю она приближается к оперативной памяти DRAM. При этом чипы FeRAM сохраняют заряд в ячейках даже без подачи питания на них, как и прочая энергонезависимая память. Также память FeRAM более устойчива к износу, что снова делает её предпочтительнее для использования в устройствах для хранения данных. Наконец, FeRAM не боится радиации, магнитных полей и скачков температуры, что предопределило её судьбу оказаться в станках, приборах и в бортовом оборудовании аэрокосмической отрасли.

Несмотря на большой набор преимуществ, память FeRAM не стала массовым явлением. Плотность размещения ячеек у неё очень и очень низкая, и массовая память NAND с её кристаллами колоссальной ёмкости не дала FeRAM никакого шанса проникнуть в область хранения данных. Впрочем, это не удалось даже памяти 3D XPoint (торговая марка Intel Optane), которую Micron разработала вместе с Intel. Доступность и дешевизна NAND сыграла свою негативную роль в печальной судьбе и этой, казалось бы, перспективной энергонезависимой памяти.

Нетрудно представить, что неформальный анонс 32-Гбит кристалла FeRAM компанией Micron может считаться знаменательным событием. Сайт Blocks & Files приводит фрагмент изображения документа с презентации чипа памяти, который недоступен для публичного просмотра.

По словам Micron, чипы FeRAM большой ёмкости подтолкнут развитие генеративных моделей искусственного интеллекта. Они работают быстрее NAND и обладают колоссальной износостойкостью. Опытный чип Micron выдерживает до 10¹⁵ циклов перезаписи. Это на несколько порядков больше, чем у конкурирующих чипов FeRAM компаний Fujitsu, Infineon, SK Hynix и Toshiba, не говоря о жалких тысячах циклов, если мы говорим об устойчивости к износу чипов NAND. Кстати, новую память компания называет NVDRAM (non-volatile dynamic random access memory). Назвать её NVRAM, очевидно, она не решилась, чтобы её FeRAM не путали с другими типами энергонезависимой памяти.

Заявленная компанией скорость записи чипов FeRAM составляет 70–120 нс, тогда как цикл записи NAND приближается к 300 мкс. Время удержания данных в памяти FeRAM (заряда в ячейке) достигает 10 лет.

Можно предположить, что компания Micron получила доступ к патентам и технологиям FeRAM после приобретения активов японской компании Elpida в 2013 году. Сама Elpida этот тип памяти не развивала, но принадлежащие ей на тот момент заводы тайваньских Inotera Memories и Nanya Technology были раньше в собственности компании Infineon и выпускали чипы памяти FeRAM.

Переключающий элемент FeRAM обычно выполнен из пьезокерамики в виде цирконат-титаната свинца (PZT). Этот материал сохраняет поляризацию даже после снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного поля. Грубо можно сказать, что каждая ячейка FeRAM состоит из управляющего транзистора и пьезокерамического конденсатора. Именно вкрапление пьезокерамического элемента делает ячейку очень большой. Как эту проблему решила Micron, не сообщается.

Криптовалютный бум вынуждал NVIDIA платить поставщикам миллиарды долларов авансом каждый квартал, чтобы обеспечить рост производства необходимых компонентов. Сейчас ситуация изменилась лишь в том отношении, что на первое место вышли поставки ускорителей вычислений для ИИ, а крупные авансовые платежи от NVIDIA получают поставщики памяти типа HBM.

Источник изображения: SK hynix

Во всяком случае, об этом со ссылкой на южнокорейское издание Chosun Biz сообщает DigiTimes. По данным источников, компании SK hynix и Micron каждая получили от NVIDIA крупные платежи в размере от $540 до $770 млн. Эти средства должны гарантировать поставки для нужд NVIDIA указанными компаниями необходимого количества микросхем памяти HBM соответствующих поколений. Скорее всего, как предполагают корейские источники, речь идёт о микросхемах памяти типа HBM3e, которые понадобятся NVIDIA в наступающем году для производства нового поколения ускорителей вычислений.

Для производителей памяти уходящий 2023 год был тяжёлым с финансовой точки зрения, поэтому нехарактерные для этого рынка крупные авансовые платежи могут стать для них хорошим стимулом к наращиванию объёмов производства HBM3e. Такая память довольно сложна в производстве, поэтому расширение профильных мощностей требует существенных инвестиций.

Попутно сообщается, что Samsung Electronics всё же прошла сертификационные процедуры, позволяющие ей поставлять микросхемы памяти типа HBM3 и HBM3e для нужд NVIDIA, но проблема заключается в том, что последнюю разновидность памяти корейский гигант выпускает по 10-нм технологии четвёртого поколения, тогда как конкурирующая SK hynix уже освоила 10-нм технологию пятого поколения, получив преимущество по себестоимости такой продукции.

Micron Technology урегулировала судебный спор с ключевым китайским конкурентом — компанией Fujian Jinhua Integrated Circuit, которую ранее обвинила в краже интеллектуальной собственности, пишет Bloomberg, объясняя этот шаг желанием американской компании восстановить заметно ухудшившиеся отношения с официальным Пекином.

Источник изображения: Micron

Micron заявила, что достигла глобального мирового соглашения с Fujian Jinhua, поддерживаемой китайским государством. «Каждая из двух компаний в глобальном масштабе отклонит свои иски против другой стороны и прекратит все судебные разбирательства с ней», — сообщила представительница Micron в электронном письме Bloomberg, отказавшись предоставить подробности соглашения.

До этого в мае китайское правительство запретило использование чипов Micron в критической инфраструктуре из-за серьёзных рисков для национальной безопасности. США также взаимодействуют с союзниками с целью помешать Китаю получить передовые чипы и заблокировать доступ к новейшим технологиям производства полупроводников, в том числе и компьютерной памяти.

В июне Micron сообщила, что из-за действий Китая может пострадать около половины её продаж, связанных с клиентами из этой страны. По словам компании, на предприятия, базирующиеся в материковом Китае и Гонконге, приходится около четверти её глобального дохода.

Напомним, что ещё в 2017 года Micron подала в суд США на компанию Fujian Jinhua и её тайваньского партнёра United Microelectronics Corp. (UMC) с обвинением в краже коммерческой тайны, касающейся производства её чипов памяти. После этого UMC урегулировала спор с Micron, в то время как конфликт американской компании с Fujian продолжался.

В календаре Micron Technology тридцатого ноября завершился первый квартал фискального 2024 года, и говоря о показателях второго квартала, руководство сформировало благоприятный прогноз, который превзошёл ожидания аналитиков. Результаты минувшего квартала тоже оказались лучше прогнозных значений.

Источник изображения: Micron Technology

Выручка Micron в минувшем квартале выросла на 16 % до $4,73 млрд против ожидавшихся $4,54 млрд. Чистые убытки за период составили $1,05 млрд или $1,23 млрд, в зависимости от методики расчёта. Операционные расходы удалось немного сократить по сравнению с аналогичным периодом предыдущего фискального года, до $1,093 млрд. Норма операционных убытков составила 23,9 %, операционные убытки достигли $1,128 млрд. Выручка от реализации памяти типа DRAM достигла $3,4 млрд или 73 % от совокупной. Профильная выручка последовательно выросла на 24 %, объёмы поставок в натуральном выражении выросли более чем на 20 %, а средняя цена реализации выросла на несколько процентов. На долю NAND пришлись $1,2 млрд или 26 % общей выручки, на этом направлении выручка выросла на 2 % последовательно, а средняя цена реализации увеличилась на 20 %. С точки зрения сегментов рынка самым активно растущим оказался мобильный, он увеличил свою часть выручки Micron на 97 % до $1,3 млрд.

По словам генерального директора Micron Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), в прошедшем квартале компания добилась успехов не только за счёт повышения операционной дисциплины, но благодаря более высоким ценам на память по сравнению с ожидавшимися. В 2024 году, как он заявил, фундаментальные показатели деятельности компании будут улучшаться на протяжении всего периода, а ёмкость рынка по итогам 2025 календарного года достигнет рекордного значения. Особая ставка делается на продвижение памяти типа HBM в свете высокого спроса на системы искусственного интеллекта. Компания уже распродала всю память типа HBM, которую способна будет выпустить в 2024 году. В одноимённом фискальном периоде реализация HBM принесёт Micron сотни миллионов долларов выручки, по словам руководства. С технической точки зрения память этого типа является самым сложным видом продукции Micron, но и самым прибыльным. В минувшем фискальном квартале Micron уже отгрузила первым клиентам образцы микросхем типа HBM3E, которые обеспечивают на 10 % более высокое быстродействие и на 30 % сниженное энергопотребление по сравнению с конкурирующими предложениями этого типа.

О сотрудничестве с NVIDIA в этой сфере в презентации Micron было сказано отдельно. Сейчас память типа HBM3E производства Micron проходит последние этапы квалификационных испытаний, что позволит соответствующим микросхемам использоваться при производстве ускорителей NVIDIA GH200 и H200. Кроме того, микросхемы памяти Micron типа LPDDR5X уже используются в сочетании с процессорами NVIDIA Grace. Массовое производство HBM3E компания собирается начать в следующем календарном квартале.

В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить от $5,1 до $5,5 млрд, что выше ожидавшихся аналитиками $4,99 млрд. Убытки в пересчёте на одну акцию ограничатся диапазоном от 21 до 35 центов, тогда как аналитики прогнозировали до 62 центов убытков на одну акцию компании. После закрытия торгов акции Micron Technology выросли в цене на 4,8 %, хотя в ходе основной торговой сессии потеряли 4,2 %.

Глава Micron пояснил, что с точки зрения динамики цен 2024 год станет для отрасли по производству микросхем памяти периодом перехода к росту, но наращивать объёмы выпуска продукции компания будет осторожно. Сегмент ПК в 2024 календарном году вырастет на 2–5 %, как считает руководство Micron, сегмент смартфонов тоже демонстрирует признаки восстановления, но в 2024 году вырастет незначительно. В любом случае, в этих сегментах рынка покупатели хотя бы избавились от излишков памяти, как пояснил Мехротра. На ценах это сказывается благоприятным для производителей образом. С точки зрения баланса спроса и предложения на микросхемы памяти следующий год обеспечит возвращение к историческим уровням, как считает руководство компании. Предложение, во всяком случае, нормализуется уже в первой половине следующего года. В начале наступающего года DDR5 начнёт доминировать над DDR4 в структуре поставок продукции Micron. Для производства микросхемы HBM эквивалентной ёмкости требуется в два раза больше кремниевых пластин, чем для DDR5.

Распространение во второй половине следующего календарного года ПК с функцией ускорения работы систем искусственного интеллекта, по мнению представителей Micron, позволит увеличить среднее содержание оперативной памяти на один ПК на величину от 4 до 8 Гбайт, попутно увеличится и средняя ёмкость используемых твердотельных накопителей. В сегменте смартфонов прирост объёма оперативной памяти в силу появления такого фактора будет примерно таким же.

По итогам текущего года спрос на DRAM должен вырасти на 8–9 %, в сегменте твердотельной памяти он достигнет 19–19 %. В последующие годы спрос на DRAM будет измеряться 18–19 % в год, а на направлении NAND он достигнет 21–23 %. В 2024 году спрос на DRAM приблизится к этим показателям, а вот на рынке NAND темпы роста окажутся ниже. На протяжении 2024 года компания собирается удерживать поставки на уровне ниже потребностей рынка, чтобы способствовать реализации сохраняющихся складских запасов продукции.

Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Акции компании Micron Technology, крупнейшего американского производителя микросхем оперативной и флеш-памяти, заметно упали сегодня на предварительных торгах, несмотря на повышение производителем прогноза по квартальной выручке, сообщает издание Bloomberg.

Источник изображения: Micron

Хотя Micron повысила прогноз по скорректированной выручке в первом квартале финансового года с 4,6 до 4,7 млрд долларов, акции компании упали на 4 % по состоянию на 9:11 утра в Нью-Йорке. Micron также заявила, что ожидает скорректированных операционных расходов в размере $990 млн, что намного превышает ожидания аналитиков.

В отрасли многие ожидали более значительного повышения прогнозов Micron по выручке на фоне восстанавливающего спроса на чипы памяти, как NAND, так и DRAM. Инвесторы рассчитывали на поворотный момент, который завершит тяжёлый год для рынка компьютерной памяти.

Как пишет Bloomberg, за текущий год акции Micron выросли на 55 % на ожиданиях завершения исторического спада в сфере производства микросхем оперативной и флеш-памяти.

Китайские производители чипов или оборудования для их производства периодически становятся подозреваемыми в делах о промышленном шпионаже, но существуют и противоположные по схеме взаимодействия прецеденты. Недавно китайская компания YMTC обвинила американского производителя памяти Micron Technology в нарушении восьми своих патентов.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает Reuters, девятого ноября YMTC подала иск в Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии, обвинив в нарушении прав на использование интеллектуальной собственности Micron Technology и её подразделение по работе с потребительскими продуктами Micron Consumer Product Group. Какие именно технологии Micron, по мнению YMTC, незаконно у неё позаимствовала, не уточняется, но американская компания обвиняется истцом в использовании интеллектуальной собственности YMTC для конкуренции с этой компанией и укрепления своих позиций на рынке.

Представители YMTC в комментариях Reuters подтвердили существование такого иска, заодно пояснив, что он имеет отношение к патентам компании, описывающим технологии разработки, изготовления и функционирования памяти типа 3D NAND. Напомним, что китайская YMTC с лета начала снабжать своих клиентов 232-слойной памятью типа 3D NAND, вплотную приблизившись к технологическим возможностям зарубежных конкурентов, а в показателях плотности хранения информации даже превзойдя их. Представители YMTC выразили надежду, что иск будет рассмотрен органами правосудия США в сжатые сроки.

Напомним, что с мая текущего года продукция Micron Technology, в соответствии с решением китайских властей, не может использоваться на объектах критически важной информационной инфраструктуры КНР. При этом сама компания Micron не отказывается от намерений вложить $603 млн в расширение китайских мощностей по тестированию и упаковке памяти. От выпуска чипов типа DRAM на территории КНР она отказалась в прошлом году, хотя до этого китайский рынок обеспечивал до половины всей выручки Micron. В прошлом году эта доля не превысила 16 %. В 2018 году Micron обвинила в хищении своей интеллектуальной собственности китайскую компанию Fujian Jinhua, так что взаимоотношения с местными производителями у неё уже давно не самые благоприятные.

Компания Micron представила модули регистровой оперативной памяти (RDIMM) для серверов ёмкостью 128 Гбайт, способные работать со скоростью до 8000 МТ/с. В их составе используются 32-гигабитные монолитные чипы DDR5, производящиеся с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя. Массовое производство этих модулей ОЗУ начнётся в следующем году. Ещё компания поделилась планами на будущее.

Источник изображений: Micron

По словам компании, задействованная технология для производства 32-гигабитных монолитных кристаллов памяти DDR5 обеспечивает ряд преимуществ перед конкурирующей технологией 3DS TSV (Through-Silicon Via). Так, для новых чипов заявлены повышение битовой плотности более чем на 45 %, увеличение энергоэффективности до 24 %, снижение задержек до 16 % и повышение эффективности в задачах обучения ИИ до 28 %. Отказ от 3DS TSV позволил Micron лучше оптимизировать буферы ввода данных и критические схемы ввода-вывода, а также уменьшить ёмкость выводов на линиях данных.

Micron в прошлом удваивала плотность монолитных кристаллов памяти примерно каждые три года. С дальнейшим развитием технологий производитель планирует перейти к выпуску 48-гигабитных и 64-гигабитных монолитных кристаллов памяти, которые откроют перспективу создания модулей ОЗУ объёмом 1 Тбайт.

В дополнение к анонсу модулей памяти RDMIMM DDR5-8000 на 32-гигабитных чипах памяти на техпроцессе 1β, компания также опубликовала обновлённые планы по выпуску будущих продуктов. С середины 2024 года планируется начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду).

С 2024 года компания также планирует начать выпуск памяти RDIMM, MCRDIMM и решений CXL ёмкостью 128–256 Гбайт, а в 2026 году — объёмом более 256 Гбайт. С 2026 года производитель также начнёт выпуск энергоэффективных модулей памяти LPCAMM2 объёмом до 192 Гбайт и скоростью до 9600 МТ/с. Кроме того, планируется выпуск памяти HBM4 и HBM4E. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.

В мае этого года власти КНР заявили, что продукция американской компании Micron Technology может содержать некие угрозы для национальной безопасности, поэтому микросхемы памяти этой марки было запрещено применять в объектах критически важной информационной инфраструктуры. Теперь же КНР выразили благожелательность по отношению к намерениям Micron развивать свой бизнес в этой стране.

Источник изображения: Micron Technology

По информации Reuters, министр торговли Ван Вэньтао (Wang Wentao) на встрече с генеральным директором Micron Technology Санджеем Мехротрой (Sanjay Mehrotra) пообещал, что власти Китая будут создавать благоприятные условия для иностранных инвестиций и предоставлять инвесторам определённые гарантии. «Мы приветствуем решение Micron Technology укореняться на китайском рынке и достигать нового уровня развития с учётом соблюдения законов и правил КНР», — заявил чиновник.

Напомним, что в мае этого года китайский регулятор заявил, что продукция американского производителя микросхем памяти Micron Technology не прошла проверку на безопасность. Тогда сообщалось, что это решение может затронуть самые разные отрасли — от телекоммуникаций до транспорта и финансов — в соответствии с широким определением критической информационной инфраструктуры, принятым в Китае. «В ходе проверки было установлено, что продукция компании Micron имеет серьезные риски сетевой безопасности, что создает значительные угрозы безопасности цепочки поставок критической информационной инфраструктуры Китая и влияет на национальную безопасность страны», — было сказано в заявлении Управления киберпространства Китая (CAC).

А в июне представители Micron подтвердили готовность компании вложить $603 млн в расширение и модернизацию своего предприятия в Китае. При этом намерения Micron получать субсидии властей США на строительство новых предприятий на территории страны накладывают на компанию определённые ограничения на расширение своей деятельности в Китае. Очевидно, американский производитель нашёл какой-то компромисс в своих инвестиционных планах в обеих странах. Встреча министра торговли КНР и главы Micron прошла в рамках подготовки к встрече на высшем уровне между президентом США Джозефом Байденом (Joseph Biden) и Си Цзиньпином (Xi Jinping), которая может состояться в конце текущего года.