Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Крупнейший разработчик технологий для чипов будущего Imec сменит гендира, чтобы преуспеть в эпоху ИИ
29.09.2025 [13:17],
Алексей Разин
В наше время технологии производства полупроводниковых компонентов обретают первостепенное значение, поэтому предстоящая смена генерального директора Imec может оказать серьёзное влияние на всю отрасль. Эта бельгийская исследовательская компания за счёт кадровых перестановок в руководстве надеется лучше адаптироваться под потребности рынка. 
Источник изображения: TSMC О своём готовящемся назначении на пост генерального директора Imec в интервью Reuters рассказал Патрик Ванденамель (Patrick Vandenameele), добавив, что нынешний глава компании Люк ван ден Хов (Luc van den Hove) пойдёт на повышение и станет председателем совета директоров. В условиях бума искусственного интеллекта Imec заинтересована в углублении собственных связей с крупными игроками рынка облачных вычислений, поскольку те становятся крупнейшими заказчиками полупроводниковых компонентов и начинают некоторые из них разрабатывать самостоятельно. Amazon (AWS), Microsoft, Meta✴ и Google (Alphabet) сообща контролируют примерно половину мировых серверных вычислительных мощностей и стремительно расширяют инфраструктуру на фоне бума систем искусственного интеллекта. Масштабы бизнеса заставляют их задумываться о создании более эффективных чипов, которые позволили бы снизить энергопотребление и повысить производительность эксплуатируемых систем. «Они остро нуждаются в решениях для масштабирования с одновременным сохранением энергетического баланса. Энергия в данном случае является ключевой проблемой», — пояснил будущий глава Imec. Начав свою карьеру в 90-е годы прошлого века, 52-летний Ванденамель основал четыре стартапа, прежде чем ему предложили руководящие должности в Qorvo и Huawei. При новом руководителе Imec намерена активнее создавать дочерние компании, которые делились бы своими разработками с молодыми разработчиками и в целом позволяли бы европейским компаниям преодолевать имеющиеся технологические и финансовые трудности. Мелким компаниям сейчас очень сложно конкурировать за доступ к передовым технологиям с крупными игроками рынка. Сейчас Imec стоит пилотную линию по производству чипов с использованием литографических норм менее 2 нм, чтобы предоставить европейским компаниям доступ к данной технологии. На строительство линии власти Евросоюза выделили 2,5 млн евро субсидий. Ведётся плотное сотрудничество между Imec и ASML, которая создаёт передовые литографические сканеры. Кроме того, Imec привлечена к реализации проекта Rapidus по организации производства 2-нм чипов в Японии. У китайских производителей возникли проблемы с созданием скоростной памяти HBM3
28.09.2025 [07:22],
Алексей Разин
Пока одни источники говорят о намерениях китайской YMTC заняться выпуском HBM, другие указывают на наличие проблем в этой сфере у оставшихся участников внутреннего рынка КНР, который пока только готовится к формированию. По крайней мере, CXMT задержится с началом выпуска HBM3, а Huawei на фоне двух других производителей будет выступать в роли догоняющего. 
Источник изображения: Huawei Technologies Не секрет, что компания Huawei Technologies с несвойственной ей открытостью в уходящем месяце заявила о готовности уже в следующем году предложить ускорители вычислений семейства Ascend 950PR, которые получат скоростную память собственной разработки. Судить о её технических характеристиках пока не представляется возможным, но аналитики Counterpoint Research уже сообщают, что разрабатываемая силами Huawei память типа HBM ещё далека от состояния зрелости, а её производительность более чем в два раза уступает стандартной HBM зарубежного производства. В отношении способности CXMT наладить выпуск HBM3 в обещанные сроки у представителей Counterpoint Research тоже имеются определённые сомнения. Поскольку по скоростным характеристикам и уровню тепловыделения такая память ещё далека от целевых показателей, в этом году её поставки вряд ли начнутся. Скорее всего, требующаяся доработка приведёт к тому, что память HBM3 в исполнении китайской компании CXMT на внутреннем рынке страны появится не ранее второй половины следующего года. С массовым выпуском DDR5 у этой компании также наблюдаются схожие проблемы, как отмечалось ранее. Samsung уронила цены на выпуск 2-нм чипов — на треть дешевле TSMC
27.09.2025 [13:46],
Павел Котов
Samsung решила бросить вызов TSMC, которая из-за высокого спроса на свои услуги недавно была вынуждена повысить цены. Производство передовых чипов во всем мире работает на полную мощность, потому что, в частности, Nvidia не может удовлетворить спрос на свою продукцию. Испытывающая трудности с передовыми техпроцессами Samsung решила привлечь клиентов, опустив цены на выпуск чипов по 2-нм нормам (техпроцесс SF2, он же SF3P) примерно на треть ниже расценок тайваньского производителя, узнал DigiTimes. 
Источник изображения: samsung.com Этот агрессивный шаг, вероятно, понадобился Samsung, чтобы не допускать простоя мощностей по производству продукции по нормам 2 нм и обеспечить возврат инвестиций. Выход на 2 нм дался корейской компании нелегко: из-за отсутствия клиентов она в январе была вынуждена сократить инвестиции в полупроводниковое производство и отложить запуск предприятия в Техасе — у TSMC ситуация прямо противоположная. Впрочем, не всё так безнадёжно. Samsung заключила выгодное соглашение на $16,5 млрд с Tesla на выпуск чипов AI6 для автопроизводителя. Они будут выпускаться как раз на заводе корейской компании в Техасе, и для неё это отличный стимул к развитию производства. Samsung, однако, придётся повысить выход годной продукции до 60–70 %, что укрепит позиции компании как высококлассного полупроводникового подрядчика. У Samsung есть опыт работы в условиях ценовой конкуренции. Мощности TSMC функционируют в полную силу, что объясняет рост цен у тайваньского подрядчика, и предложение корейской компании станет заманчивым вариантом для клиентом, у которых нет возможности или желания переплачивать TSMC. Однако TSMC, которая является безусловным лидером в том числе и в сегменте 2 нм, беспокоиться не о чем: на эту продукцию у неё 15 крупных клиентов, включая Intel, AMD и MediaTek и Nvidia — давнего партнёра. Учёные создали невозможный в природе материал для сверхэкономичной памяти
27.09.2025 [11:28],
Геннадий Детинич
В эпоху экспоненциального роста цифровых данных вскоре только на хранение информации может уходить до 30 % глобального энергопотребления, что ставит во главу угла разработку энергоэффективных технологий хранения. Для этого учёные из Технологического университета Чалмерса (Chalmers University of Technology) в Швеции совершили прорыв в материаловедении, создав атомарно тонкий магнитный материал, сочетающий буквально несочетаемое в природе. 
Источник изображения: Chalmers University of Technology Вокруг нас магнетизм (ферромагнетизм) и «антимагнетизм» (антиферромагнетизм) всегда встречаются в разных материалах: первые явно проявляют намагниченность, что выражается в упорядочивании спинов электронов, а вторые её не проявляют, поскольку спины в них разнонаправленные и компенсируют друг друга. Объединив такие материалы, например, в виде многослойной структуры, можно создать ячейку магнитной памяти, управляемую внешним магнитным полем или током. Наведение поля и его снятие сопровождается искомым эффектом памяти. На спины электронов можно воздействовать напрямую, что заметно снижает энергопотребление магнитной памяти по сравнению с обычной, работающей на токе и заряде, как DRAM. Учёные из Швеции поставили перед собой задачу создать магнитную память из однослойного условно двумерного материала, что открыло бы путь к более простой архитектуре и относительно простому производству. Оставалось совместить несовместимое — два разных магнитных свойства в одной кристаллической решётке. У природы такого фокуса не вышло, но у исследователей всё получилось. Используя сплав кобальта, железа, германия и теллура, а также задействовав силы Ван-дер-Ваальса, учёные собрали материал из молекул ферромагнетика и антиферромагнетика. Силы Ван-дер-Ваальса выступили своеобразным «цементом», скрепив кристаллическую решётку из разнородных материалов. В результате получился гибрид с «искривлённым» магнитным полем: упорядоченные и антиупорядоченные спины электронов в материале сплелись в единое магнитное поле, отклонившееся от условно перпендикулярной ориентации. Тем самым для переключения магнитного состояния ячейки памяти из такого вещества требуется значительно более слабое внешнее магнитное поле, что сулит серьёзную экономию энергии. По словам учёных, потребление можно снизить в десять раз. В масштабах глобального дата-центра это обеспечит колоссальную экономию электричества. Трамп собрался привязать пошлины на импортную электронику к числу чипов в ней
27.09.2025 [07:37],
Алексей Разин
Методология расчёта импортных пошлин на ввозимые в США электронные устройства, по данным Reuters, пока обсуждается действующим правительством страны, и одно из предложений подразумевает расчёт пошлины, исходя из количества входящих в состав изделия полупроводниковых компонентов. Такая формула, по замыслу, должна стимулировать производителей чипов размещать предприятия на территории США. 
Источник изображения: Apple Строго говоря, как поясняет Reuters, Министерство торговли США предлагает определять удельный вес импортируемых чипов в себестоимости устройства для расчёта пошлин. Представитель Белого дома Куш Десаи (Kush Desai) на запрос Reuters ответил дежурной фразой: «Америка не может зависеть от импорта полупроводниковых продуктов, которые важны для нашей национальной и экономической безопасности». По его словам, администрация Трампа использует многофакторный подход к возвращению на территорию США критически важных производств, учитывая различные нюансы и применяя тарифы, налоги, правовое регулирование в сочетании с предоставлением доступа к энергетической инфраструктуре. Если такой подход к расчёту пошлин на импортируемую электронику будет реализован, то он повлияет на уровень цен в американской рознице, затронув широкий спектр товаров от электрических зубных щёток до ноутбуков. Некоторые эксперты считают, что рост цен на импортируемую в США электронику подстегнёт инфляцию и не позволит её значению уложиться в таргетируемые регуляторами пределы. Даже собираемые на территории США устройства будут содержать импортируемые компоненты, и это вызовет рост цен на всю продаваемую в стране электронику. В августе Трамп пообещал ввести таможенные пошлины в размере 100 % на импорт полупроводниковых компонентов, но позволил избежать их влияния тем компаниям, которые либо развивают производство на территории США, либо берут на себя обязательства сделать это. Один из вариантов реализации таможенных тарифов в этой сфере, как поясняет Reuters, подразумевает введение пошлин в размере 25 % на устройства, содержащие в составе импортируемые компоненты. При этом электроника из Японии и Евросоюза будет ввозиться по ставке 15 %. Идея о пропорции «1:1» в соотношении завозимых и производимых в США чипов, как поясняет источник, должна применяться при оценке стоимости выпускаемых и импортируемых в страну компонентов, чтобы создать стимул для компаний ускорить локализацию производства. Министерство торговли США также предложило освободить от пошлин оборудование, необходимое для выпуска чипов, поскольку значительная его часть должна завозиться из Евросоюза или Японии. Сообщается, что Трампу идея предоставления льгот в этой сфере в целом не очень нравится. Руководить производством чипов TSMC в США поручено ветерану отрасли с опытом освоения 4-нм техпроцесса
26.09.2025 [14:30],
Алексей Разин
Пытаясь угодить американскому президенту Дональду Трампу (Donald Trump), тайваньская компания TSMC пообещала потратить на строительство предприятий в США впечатляющие $165 млрд и увеличить их количество с трёх до семи штук. Руководить этим хозяйством со следующей недели будет поручено вице-президенту TSMC Рэю Чуану (Ray Chuang), который помогал осваивать 5-нм техпроцесс на Тайване. 
Источник изображения: TSMC Об этом назначении на текущей неделе стало известно из лаконичного заявления TSMC и сопутствующих публикаций тайваньских СМИ. С первого октября Рэй Чуан вступает в должность генерального директора TSMC Arizona, которое отвечает за функционирование и развитие американских предприятий компании в одноимённом штате. Первое из них уже работает и снабжает местных заказчиков 4-нм продукцией. Чуан станет не единственным членом «аризонского десанта», который направляет TSMC для развития локального производства в США. Бывший директор тайваньского предприятия Fab 15B Су Биньцзя (Su Bin-jia), также отправляется в длительную командировку в Аризону. Непосредственно Рэй Чуан с 2020 года возглавлял тайваньскую Fab 18A, где руководил командой специалистов, отвечавших за освоение и внедрение в массовом производстве 5-нм технологии изготовления чипов. В 2022 году Чуан приложил руку к внедрению 4-нм технологии на указанной тайваньской фабрике TSMC. Если учесть, что американские предприятия компании вынуждены отставать от тайваньских по срокам освоения передовых технологий из-за законодательных ограничений, то у нового руководителя американского бизнеса TSMC имеется вполне адекватный опыт для реализации дальнейших планов компании в регионе. Примечательно, что у Чуана имеется опыт работы в компании Intel, так что американская корпоративная культура не совсем ему чужда. Рэй Чуан на посту главы TSMC Arizona сменит Инь-Лан Вана (Ying-Lang Wang), который вернётся на Тайвань и сохранит за собой должно вице-президента по работе фабрик. Его более чем двадцатилетний опыт работы в отрасли, как считается, позволит ему претендовать на повышение в иерархической структуре управления TSMC. Не исключено, что до статуса старшего вице-президента Ван дослужится уже к концу текущего года. Прежнее поколение руководителей TSMC планомерно уходит на пенсию, поэтому на замену им готовятся более молодые преемники с достаточным опытом работы. Китайская YMTC расширит производство 267-слойной флеш-памяти 3D NAND
26.09.2025 [13:11],
Алексей Разин
Даже в условиях усиливающихся санкций китайская компания YMTC сохраняет способность совершенствовать технологии производства твердотельной памяти типа 3D NAND. Ещё в январе независимыми экспертами было установлено, что YMTC начала выпускать память с почти 270 активными слоями. Теперь компания готова расширить производство таких чипов 3D NAND. 
Источник изображения: YMTC Об этом со ссылкой на DigiTimes сообщает ComputeBase.de. В прошлом месяце YMTC получила на отраслевом мероприятии FMS 2025 премию за свою технологию изготовления памяти 3D NAND, именуемую Xtacking 4.0. Последняя позволила компании создавать не только высокопроизводительную, но и экономичную, и при этом ёмкую твердотельную память. Накопители на основе этой памяти применяются как в серверном, так и в потребительском сегментах. Технологию Xtacking 4.0 уже используют накопители X4-9070 на основе 1-терабитных чипов памяти типа TLC, а также X4-6080 на базе 2-терабитной памяти типа QLC. Они обеспечивают высокое быстродействие и впечатляющую ёмкость хранения данных. Надо сказать, что YMTC в числе первых производителей твердотельной памяти начала сращивать кремниевые пластины друг с другом, ещё в 2018 году, но делала это во многом из-за отсутствия доступа к передовым технологиям, позволяющим увеличить количество слоёв в пределах одной пластины. В дальнейшем такой подход взяли на вооружение Kioxia и SanDisk, поскольку он показал себя с лучшей стороны. Заметим, что ранее в этом году SK hynix объявила о запуске массового производства 321-слойной флеш-памяти. Samsung сейчас выпускает 3D NAND с 286 слоями и разрабатывает чипы с более чем 400 слоями. В свою очередь Kioxia анонсировала 332-слойную память 3D NAND, а Micron сейчас выпускает 276-слойные чипы. Сейчас YMTC контролирует около 8 % мирового рынка NAND, но к концу следующего года рассчитывает увеличить эту долю до 15 %. В принципе, это легко будет сделать исключительно за счёт рынка Китая, поскольку он достаточно велик для пропорционального влияния на мировую статистику. Вашингтон под угрозой пошлин заставит чипмейкеров выпускать 50 % продукции для США в самих США
26.09.2025 [09:54],
Алексей Разин
Влияние на бизнес производителей полупроводников в США через регулирование импортных пошлин, как утверждает The Wall Street Journal, будет выражаться в принуждении участников рынка довести долю выпускаемой внутри страны продукции до 50 % для равного соотношения с импортируемой. 
Источник изображения: Intel Об этом накануне сообщило издание The Wall Street Journal со ссылкой на источники, знакомые с ходом обсуждения инициативы. Тем компаниям, которые не доведут долю американской продукции до пропорции «1:1» по отношению к импортируемой, грозят повышенные пошлины на её ввоз. Одним из инициаторов подобных мер является министр торговли США Говард Лютник (Howard Lutnick), который в общении с представителями профильных компаний подчеркивает, что это требуется для обеспечения экономической безопасности страны. Издание даже приводит слова представителя пресс-службы Белого дома Куша Десаи (Kush Desai): «Америка не может зависеть от импорта иностранных полупроводниковых продуктов, которые важны для национальной и экономической безопасности». При этом никто из чиновников официально наличие у правительства соответствующих намерений пока не подтвердил. По данным источников, власти США хотят сформировать систему поощрения развития производства чипов на территории страны, в рамках которой таможенные льготы будут предоставляться тем компаниям, которые заранее возьмут на себя обязательства по локализации выпуска чипов. Другими словами, компаниям придётся обещать достичь определённого уровня локализации, чтобы изначально получить льготы для ввоза компонентов в США. При этом власти будут следить за тем, чтобы компании строили предприятия на территории страны и достигали обещанного уровня локализации. Отстающим от графика будут грозить повышения таможенных тарифов. Micron наладит выпуск кастомизируемой HBM4E в 2027 году при участии TSMC
26.09.2025 [07:50],
Алексей Разин
Американская компания Micron Technology старается не отставать от конкурентов в сфере освоения производства новых типов памяти, и ещё в конце прошлого года заявила, что будет сотрудничать с TSMC при производстве HBM4E, в основе которой будет лежать кастомизируемый кристалл. Недавно руководство Micron пояснило, что выпуск такой памяти будет налажен не ранее 2027 года. 
Источник изображения: Micron Technology Как можно судить по стенограмме выступления представителей Micron Technology на минувшей квартальной отчётной конференции, компания очень гордится тем, что в основе HBM4, которая будет выпускаться в 2026 году, будет лежать базовый кристалл собственного производства, изготавливаемый по технологии КМОП (CMOS). По мнению генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), такое сочетание обеспечит HBM4 производства Micron передовым быстродействием. «HBM4E в масштабах всей отрасли не является продуктом 2026 года, это будет продукт 2027 года, мы поделимся подробностями о нём позже, и у нас будет как стандартный вариант HBM4E, так и кастомизируемый», — пояснил глава Micron на этой неделе. Ранее он отметил, что при производстве базового кристалла для HBM4E компания будет полагаться на технологические возможности TSMC. Кроме того, появление HBM4E в ассортименте продукции Micron позволит компании поднять норму прибыли, особенно в случае кастомизированной версии. В ходе своего выступления на квартальной конференции глава Micron пояснил, что TSMC будет выпускать для компании базовые кристаллы не только стандартной, но и кастомизированной версии HBM4E. В последнем случае подразумевается, что функциональность базового кристалла будет определяться конкретным заказчиком, для которого потом Micron и TSMC будут сообща изготавливать HBM4E. Создавать конкурентоспособный продукт данного поколения Micron поможет не только участие TSMC, но и использование собственного техпроцесса класса 1β для выпуска кристаллов DRAM, а также усовершенствованные технологии упаковки памяти. Главный китайский производитель флеш-памяти YMTC займётся разработкой и выпуском HBM для ИИ-ускорителей
26.09.2025 [06:56],
Алексей Разин
Перед китайскими компаниями ИТ-сектора остро стоит проблема импортозамещения компонентной базы, и до недавних пор считалось, что в сфере поставок памяти типа HBM для ускорителей вычислений они полностью зависят от зарубежных производителей и страдают от санкций. Теперь выясняется, что выпуском HBM в Китае готова заняться не только CXMT, но и конкурирующая YMTC. 
Источник изображения: YMTC Для последней, напомним, профильным видом деятельности исторически являлось производство твердотельной памяти типа NAND, в котором она преуспела настолько, что приблизилась к мировым лидерам буквально на два шага в сложности используемых технологий, после чего и была «удостоена» санкций со стороны США и их ближайших союзников. Ранее уже сообщалось, что ради обеспечения технологического суверенитета КНР компании CXMT и YMTC готовы пойти на сотрудничество, обеспечив в перспективе выпуск памяти типа HBM3 на территории страны. В новой публикации Reuters со ссылкой на осведомлённые источники сообщается, что YMTC начнёт расширять свои производственные линии с прицелом на выпуск памяти типа DRAM. Из соответствующих кристаллов в дальнейшем можно методом штабелирования изготавливать микросхемы памяти HBM, если будут освоены соответствующие технологии их упаковки и вертикального соединения. YMTC уже осваивает соответствующую технологию упаковки чипов DRAM, как поясняет Reuters. Кроме того, компания намерена выделить часть мощностей строящейся третьей фабрики в Ухане под выпуск микросхем DRAM, хотя предприятие в целом будет ориентировано на производство традиционной для этой компании 3D NAND. На эти нужды YMTC предварительно выделила $2,9 млрд. В Ухане уже действуют два предприятия YMTC по выпуску 3D NAND, они способны ежемесячно обрабатывать 160 000 кремниевых пластин типоразмера 300 мм, если ориентироваться на прошлогодние данные. В этом году производительность двух предприятий будет увеличена ещё на 65 000 кремниевых пластин в месяц, как ожидают аналитики Morgan Stanley. Добавим, что усилия по разработке памяти HBM независимо предпринимает и компания Huawei Technologies, в чём она неожиданно призналась в этом месяце. Сложно сказать, насколько усилия YMTC, CXMT и Huawei по выпуску памяти HBM для ускорителей вычислений будут скоординированы, но объёмы выпуска соответствующих компонентов в ближайшие несколько лет придётся существенно нарастить, чтобы достичь поставленных целей в сфере развития национальной инфраструктуры ИИ. ИИ-гонка увеличила мировые расходы на оборудование для производства чипов на 23 % во II квартале
25.09.2025 [13:11],
Алексей Разин
Статистика отраслевых ассоциаций SEMI и SEAJ указывает на то, что расходы производителей полупроводниковых компонентов на закупку технологического оборудования в прошлом квартале выросли на 23 % в годовом сравнении до $33,07 млрд. Китай сохранил за собой статус лидера, но из-за санкций его расходы на эти нужды сократились. 
Источник изображения: Intel Как поясняет SemiWiki, расходы китайских производителей чипов сократились в годовом сравнении сразу на 7 % до $11,36 млрд, но это всё равно позволило им сохранить долю в 34 %. На втором месте оказался Тайвань, где расположена основная часть предприятий крупнейшего в мире контрактного производителя TSMC. На долю острова не только пришлось $8,77 млрд профильных расходов, он продемонстрировал впечатляющий рост на 125 % в годовом сравнении. Влияние TSMC сложно отрицать, поскольку в первой половине этого года капитальные затраты компании выросли на 62 % в годовом сравнении. Южная Корея, являющаяся родиной для двух крупнейших производителей микросхем памяти в мире — Samsung и SK hynix, удостоилась третьего места с $5,91 млрд расходов и ростом на 31 %. Усилия по возрождению национальной полупроводниковой промышленности США вывели Северную Америку на первое место по темпам роста расходов на закупку оборудования для производства чипов в прошлом году — регион продемонстрировал прирост затрат на 163 % до $4,98 млрд при сравнении первого и последнего кварталов 2024 года соответственно. 
Источник изображения: SemiWiki Уже в первом квартале текущего года американские расходы сократились последовательно на 41 % до $2,93 млрд, а по итогам второго квартала они упали до $2,76 млрд. Соответственно, Северная Америка хоть и сократила по итогам прошлого квартала четвёртое место, сильно просела относительно четвёртого квартала прошлого года, когда расходы были на пике. По всей видимости, на статистику повлияли задержки в строительстве предприятий по производству чипов в США, возникшие у Intel, Micron и Samsung. В такой ситуации Северную Америку почти догнала Япония с потраченными в прошлом квартале на закупку оборудования $2,68 млрд и ростом на 66 % в годовом сравнении. Европа ограничилась $0,72 млрд расходов и снижением их величины на 23 %, а потому довольствовалась последним седьмым местом, уступив всем прочим макрорегионам. Во всём остальном мире совокупные расходы хоть и сократились на 28 % до $0,87 млрд, оказались выше европейских. По итогам всего текущего года, как ожидает SemiWiki, капитальные расходы производителей полупроводниковых компонентов вырастут на 3 % до $160 млрд по сравнению с прошлым годом. Прогноз на следующий год сформировать сложно, поскольку многие производители рассчитывают увеличить капитальные расходы из-за бума ИИ, подогревающего спрос на их продукцию, но вот Intel вынуждена будет сократить их по сравнению с суммой текущего года, достигшей $18 млрд. Вместо тысяч рабочих мест Intel принесла жителям Огайо разбитые дороги и шум
25.09.2025 [12:51],
Алексей Разин
Изначально Intel рассчитывала к этому году построить в Огайо два новых передовых предприятия по выпуску чипов, а затем вложить в их развитие около $100 млрд. С тех пор она не только отложила ввод предприятий в строй до 2030 года, но и сменила руководство, которое о перспективах проекта говорит ещё более неопределённо. Всё это негативно сказывается на экономике штата и настроении местных жителей. 
Источник изображения: Intel Комплекс предприятий Intel должен был появиться на участке земли площадью 400 га, в освоении которого были готовы помочь местные власти. Однако из обещанных $2 млрд они успели потратить на субсидирование создания инженерной инфраструктуры и расширение дорожной сети не более $691 млн. Власти штата построили новые дороги и проложили более 25 км ливневой канализации. Сама Intel силами подрядчиков успела залить часть фундамента для первого из предприятий, включая углублённые на 18 м в землю опоры для чувствительного оборудования, используемого при выпуске чипов. В целом, в окрестностях строительной площадки имеются и другие крупные объекты — фармакологические заводы и центры обработки данных, — но Intel с первоначально обещанными инвестициями в размере $28 млрд в строительство двух фабрик перекрывала все местные проекты. Планировалось создать 7000 новых рабочих мест и около 3000 временных. Если учесть, что в Нью-Олбани, где юридически зарегистрированы будущие предприятия Intel, количество жителей не превышает 11 000 человек, то реализация проекта могла бы существенно повлиять на местную инфраструктуру и экономику. К слову, окрестные технопарки уже обеспечивают работой около 26 000 человек, помимо коренных жителей городка. Жители соседнего Джонстауна жалуются, что если Нью-Олбани хотя бы получит приток налоговых поступлений, то им в большей мере достанутся неприятности и неудобства от соседства со строительной площадкой Intel. Сотни курсирующих по улицам Джонстауна грузовиков разбивают дороги и создают высокий уровень шума, а выручка местной столовой, принадлежащей главе городского совета, с момента начала строительства сократилась на 25 %. Затягивание сроков строительства со стороны Intel лишь усугубит проблемы, которые теоретически могли оставаться временными. Владельцы жилья и земельных участков на неизбежный рост цен в сегменте недвижимости реагируют по-разному. Кто-то продал свои дома строителям по дешёвке, поскольку на момент оформления сделки не был осведомлён о грядущем развитии региона, а кто-то, напротив, вынужден платить высокие налоги из-за подорожания недвижимости. Фермеры, владевшие земельными участками на территории современной строительной площадки, также высказываются о ситуации неоднозначно. Одному из них удалось выручить денег столько, что хватило на покупку втрое более крупного участка на удалении от стройки. Другие сетуют на затянувшуюся неопределённость с ценами, поскольку не успели продать землю на пике спроса: они рассчитывали на дальнейший рост и отказывали потенциальным покупателям. В любом случае цены на землю в регионе выросли в несколько раз. Intel попытается привлечь Apple к своему спасению — без надежд на возвращение в Mac
25.09.2025 [04:45],
Алексей Разин
Пока сложно утверждать, что спасать Intel решили всем миром, но американские власти уже вложили в капитал компании почти $9 млрд в обмен на 10 % акций, ещё $2 млрд предоставила SoftBank, а Nvidia не только предложила $5 млрд, но и будет сотрудничать в сфере разработки процессоров. На этом фоне новость о попытках привлечь средства Apple уже не удивляет. 
Источник изображения: Intel Ею со ссылкой на собственные источники поделилось агентство Bloomberg, которое утверждает, что в этом вопросе Intel сама проявляет инициативу и начала переговоры с Apple о возможных инвестициях. Кроме того, компании ищут пути сотрудничества, хотя не факт, что в итоге им удастся о чём-то договориться. На этом фоне курс акций Intel сперва подрос на 6,41 % в ходе основной сессии, а позже поднялся на 2,21 % поле закрытия торгов. Отмечается, что Intel ведёт переговоры о привлечении финансовых ресурсов у других компаний. Вряд ли Apple в рамках возможной сделки вернётся к использованию процессоров Intel, а возможность использования производственных мощностей последней для выпуска компонентов Apple будет сильно зависеть от успеха в освоении передовых литографических технологий. Кроме того, Apple славится своим стремлением размещать крупные заказы на выпуск чипов, а Intel из-за ограниченности финансовых ресурсов была вынуждена замедлить расширение своих предприятий. История сотрудничества Intel и Apple богата на события. До 2020 года Apple использовала центральные процессоры Intel в своих компьютерах, но потом начала миграцию в сторону процессоров собственной разработки с архитектурой Arm. В 2019 году Apple также приобрела у Intel бизнес по разработке модемов, который та унаследовала от Infineon. Теперь модемы Apple получают всё более широкое распространение в экосистеме продукции компании, а от процессоров Intel в новых моделях компьютеров она избавилась полностью. Следует отметить, что под нажимом президента Трампа компания Apple в августе этого года пообещала за несколько лет вложить в развитие производства на территории США около $600 млрд. Глава Apple Тим Кук (Tim Cook) ранее дал понять в интервью CNBC, что хотел бы видеть возвращение Intel, а конкуренция полезна рынку услуг по контрактному производству чипов. SK hynix ускорит закупку EUV‑сканеров, чтобы не отдать Samsung лидерство на рынке HBM
24.09.2025 [15:07],
Алексей Разин
Долгое время считалось, что внедрение сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV) при производстве микросхем памяти себя не оправдывает с экономической и технической точки зрения, но конъюнктура начала меняться по мере роста популярности HBM. В таких условиях SK hynix собирается к 2027 году закупить 20 сканеров класса EUV. 
Источник изображения: SK hynix По сути, как поясняет ET News, тем самым SK hynix удвоит за два года количество эксплуатируемых EUV-сканеров, доведя их к 2027 году до 40 штук. Реализация такого плана потребует от SK hynix капитальных затрат в размере около $4,3 млрд. Часть имеющегося оборудования такого класса компания использует для научно-исследовательской деятельности и экспериментов. Приоритетным получателями новых EUV-сканеров ASML станут площадки M15X в Чхонджу и M16 в Ичхоне. По данным отраслевых источников, SK hynix ускоряет темпы закупок EUV-оборудования для своих нужд. В начале этого месяца компания даже получила от ASML первый экземпляр сканера EXE:5200B, который предназначен для работы с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). По состоянию на конец прошлого года TSMC располагала самым большим парком EUV-сканеров среди производителей полупроводниковых компонентов. На втором месте располагалась южнокорейская Samsung Electronics, на третьем была Intel, а вот SK hynix довольствовалась только четвёртым. На пятом месте расположилась американская Micron Technology. Если SK hynix купит ещё 20 сканеров, то окажется на третьем месте и обойдёт Intel. К концу этого года SK hynix планирует освоить пятое поколение 10-нм техпроцесса (1b) для выпуска кристаллов памяти HBM4, а также начать освоение 10-нм техпроцесса шестого поколения (1c). В следующем году будет освоен техпроцесс 1d. Данные усилия позволят SK hynix удержать рыночные позиции в условиях усиления конкуренции со стороны Samsung. Micron похвалилась, что её HBM4 — самая быстрая память на рынке
24.09.2025 [11:00],
Алексей Разин
Квартальная отчётная конференция Micron Technology оказалась богата на заявления представителей компании, которые позволяли оценить текущие тенденции в развитии сегмента искусственного интеллекта. Этот производитель, например, убеждён, что сможет предлагать самую быструю память типа HBM4 на рынке. 
Источник изображения: Micron Technology Сумит Садана (Sumit Sadana), исполнительный вице-президент и директор по развитию бизнеса Micron Technology, в ходе своего выступления отметил, что по занимаемой доле рынка в сегменте HBM компания по итогам третьего календарного квартала выйдет примерно на уровень своей доли на рынке DRAM в целом, а по итогам следующего календарного года увеличит свою долю в сегменте HBM по сравнению с текущим годом. Во многом такая уверенность, как он пояснил далее, основана на способности Micron Technology предложить клиентам самую быструю память типа HBM4 на рынке. Вот что заявил представитель компании: «Мы верим, что наша HBM4 обеспечивает самое высокое быстродействие на рынке по сравнению с любым из конкурирующих продуктов. Мы уверены, что сможем полностью распродать всю производственную программу на 2026 год». По данным компании, она снабжает своих клиентов образцами HBM4 со скоростью передачи информации 11 Гбит/с. Поскольку в последние месяцы много говорится о принятом крупными производителями DRAM свернуть производство микросхем DDR4, Сумиту Садане не удалось избежать обсуждения этой темы при общении с аналитиками. Он пояснил, что без учёта LPDDR4, сама по себе DDR4 отвечает лишь за несколько процентов всего бизнеса компании. По сути, это указывает на взятый Micron курс на поэтапное прекращение выпуска DDR4. Глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) пояснил, что HBM4 в исполнении этой компании будет оснащаться базовым кристаллом собственной разработки, она станет основным продуктом в этом сегменте рынка, производство которого будет наращиваться в 2026 году. Зато в 2027 году будет налажен выпуск HBM4E, которая будет предлагаться как в стандартизированной, так и в кастомизированной под запросы клиентов форме. В целом, Micron поставляет свою память HBM различных поколений шести крупным клиентам. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
