Samsung раскрыла подробности о 1,4-нм техпроцессе — компания повторит разработку Intel

На днях вице-президент подразделения Samsung по контрактному производству чипов Чон Ги Тхэ (Jeong Gi-Tae) в интервью изданию The Elec сообщил, что в будущем техпроцессе SF1.4 (класс 1,4 нм) количество каналов в транзисторах будет увеличено с трёх до четырех, что принесёт с собой ощутимые преимущества в плане производительности и энергопотребления. Это произойдёт на три года позже выпуска аналогичных по строению транзисторов Intel, что заставит Samsung догонять конкурента.

Источник изображения: Samsung

Компания Samsung первой начала выпускать транзисторы с затвором, полностью окружающим каналы в транзисторах (SF3E). Это произошло больше года назад и используется довольно избирательно. Например, такого рода 3-нм техпроцесс задействован для выпуска чипов для майнеров криптовалюты. Каналы в транзисторах в новом техпроцессе представляют собой тонкие нанолисты, размещённые друг над другом. В транзисторах Samsung три таких канала, которые со всех четырёх сторон окружены затвором и поэтому ток через них течёт под точным контролем с минимальными утечками.

Планы Samsung по введению новых техпроцессов

Компания Intel, напротив, свои первые транзисторы с каналами-нанолистами начнёт выпускать в 2024 году с использованием 2-нм техпроцесса RibbonFET Gate-All-Around (GAA). С самого начала они будут иметь по четыре нанолистовых канала в каждом. Это означает, что GateGAA-транзисторы Intel будут более производительные, чем аналогичные по строению транзисторы Samsung, смогут пропускать больший ток и окажутся более энергоэффективными, чем транзисторы южнокорейского конкурента. Это будет длиться около трёх лет, пока Samsung не начнёт выпускать чипы на техпроцессе SF1.4, что ожидается в 2027 году. Как теперь стало известно, они тоже станут «четырёхлистовыми» — получат по четыре канала каждый вместо сегодняшних трёх.

Архитектура будущих 2-нм транзисторов Intel с нанолистовыми каналами, полностью окружёнными затвором. Источник изображения: Intel

Другое дело, будет ли Samsung на самом деле отставать от Intel в плане технологичности? К тому времени у южнокорейской компании будет пять лет опыта по массовому выпуску GAA-транзисторов, тогда как Intel будет оставаться новичком. А с производством таких транзисторов вряд ли всё просто, раз Samsung использует этот техпроцесс очень и очень избирательно. В любом случае, переход на новую архитектуру транзисторов станет для отрасли полупроводников заметным прорывом и позволит ещё на несколько лет отодвинуть барьер, за которым традиционное производство полупроводников перестанет находиться на острие прогресса.