Princeton выпустила 12 комплектов памяти DDR3-1600

30.05.2012 [17:23], Александр Будик

С широким распространением оперативной памяти стандарта DDR3-1600 японская компания Princeton решила выпустить на рынок целую линейку модулей ОЗУ этого типа. Среди новинок – сразу 12 комплектов памяти  DDR3-1600, включая стандартные модели DIMM, а также SO-DIMM для ноутбуков и моноблочных ПК.

Princeton предложила двухканальные комплекты и одиночные модули ёмкостью 2, 4 и 8 Гбайт. Несмотря на высокую производительность, новинки лишены радиаторов для рассеивания тепла. На модули, функционирующие с эффективной частотой 1600 МГц при задержке CAS 11T, подаётся напряжение питания 1,5 В. Память поддерживает спецификацию JEDEC PC3-12800 и не требует XMP-профилей для работы на заявленной частоте.

Цены на новые модули и наборы начинаются с отметки $68 (для рынка Японии).

Материалы по теме:

• «Вулканическая» оперативная память DDR3 от Team Group;
• JEDEC опубликовала стандарт энергоэффективной памяти LPDDR3;
• Наборы памяти XPG Xtreme Series DDR3-2133X от ADATA.

Источник:

• Hermitage Akihabara

Невероятный результат: память DDR3 разогнана до 1918 МГц

30.05.2012 [16:29], Александр Шеметов

Силами энтузиастов компания AMD продолжает укреплять свои позиции в дисциплине «Memory Clock DDR3» в рамках портала HWbot. Встроенный контроллер памяти процессоров AMD FX оживил интерес к максимальному разгону оперативной памяти. К слову, до выхода чипов Zambezi оверклокеры использовали исключительно платформу Lynnfield (LGA 1156). В начале марта этого года швейцарский энтузиаст Christian Ney смог разогнать память DDR3 до частоты 1868 МГц, что эквивалентно режиму DDR3-3736.   

Материнская плата ASUS Crosshair V Formula, процессор FX-8150 и одна планка памяти G.SKILL PerfectStorm объемом 1 Гбайт потребовались товарищу TK-OC для покорения новой рекордной частоты.

Процессорный стакан и специальная ванночка были до отказа наполнены жидким азотом. Завышенные тайминги памяти и максимальное напряжение сделали свое дело. Новый рекорд зафиксирован в CPU-Z Hall of Fame. Итоговая частота составила 1918,5 МГц (DDR3-3837).

Не за горами тот день, когда умельцы смогут разогнать память стандарта DDR3 до режима DDR3-4000.  

Материалы по теме:

• Еще один рекорд за AMD Bulldozer: память DDR3 разогнана до 3311 МГц;
• Платформа Socket FM1 ставит рекорд: DDR3 разогнана до 3737 МГц.
• Еще один выход FX-8150 на высоту «8,2 ГГц».

Источник:

• hwbot.org

Память AMD Memory Performance

12.05.2012 [14:00], Константин Ходаковский

В конце прошлого года компания AMD заявила о решении выпускать модули оперативной памяти под своим брендом. Первые продукты AMD Memory были выпущены в августе прошлого года для OEM-производителей. Затем компания решила представить продукты, ориентированные на конечных потребителей. В начале года было объявлено о скором старте продаж трёх линеек памяти: Entertainment, Performance и Radeon Edition, которые отличаются штатной частотой и ориентированы на различные группы пользователей.

Про память линейки Entertainment мы уже писали (во время тестирования она продемонстрировала более чем пристойные результаты) — теперь пришло время поговорить о линейке Performance, предназначенной для использования в игровых станциях и просто компьютерах, ориентированных на решение ресурсоёмких задач, требующих стабильной работы и высокой производительности системы.

Набор AMD Memory Performance содержит два двухсторонних модуля (ёмкость каждого из них варьируется от 2 до 8 гигабайт, нам на тест пришёл сет из двух четырёхгигабайтных плашек). На каждом из модулей расположены 16 микросхем AMD 23EY4587MB6C, базово ориентированных на работу при напряжении 1,65 В и таймингах 8-9-8-24. Плашки снабжены алюминиевыми низкопрофильными радиаторами, которые обеспечивают отличный теплоотвод даже при нештатных условиях работы.

Собираем модули обратно, вставляем в тестовую систему на базе AMD FX-8150 и заводим все при штатных параметрах и частоте 1600 МГц. Система работает как часы, тестовый пакет AIDA выдал скорость чтения 13581, записи — 11022, 13123 — копирования (мегабайт в секунду, разумеется). Похожие результаты были показаны и на платформе на базе процессора Intel, что вполне пристойно.

Попытка разгона памяти увенчалась немедленным успехом — Performance легко и беззаботно разогналась до 1866 МГц, после чего показатели производительности выросли в среднем на 15- 30 процентов. Никаких ошибок в ходе довольно-таки длительного тестирования замечено не было, система работала как часы.

В общем, по результатам нашего знакомства с новым продуктом Advanced Micro Devices память можно смело рекомендовать всем, кто интересуется разгоном или просто заинтересован в стабильной и быстрой работе своего компьютера. Играть будет комфортно! К тому же память недорога, а приобрести её можно у официальных дилеров компании AMD в России — OCS и «Мерлион» и на Украине — компания «Техника для бизнеса».

Материалы по теме:

• Наборы оперативной памяти AMD Memory Entertainment Edition и их тесты;
• Сравнительное тестирование памяти DDR2 и DDR3 на платформе AMD Socket AM3;
• AMD готовит запуск мобильных Trinity в мае, планшетных Hondo — в августе;
• HP представила ультрабуки Envy Sleekbook/Ultrabook, в том числе и с чипами AMD;
• Фото дня: ноутбук Acer Aspire E1-421 на базе платформы AMD Brazos 2.0.

Источник:

• amd.com

Centon выпустила 16-Гбайт модули ОЗУ для серверов

10.04.2012 [10:23], Александр Будик

Для пользователей серверных систем, нуждающихся в больших объёмах ОЗУ, компания Centon Electronics разработала 16-Гбайт модули RDIMM. Также выпущены модели ёмкостью 8 Гбайт.

Предлагаются модели в форм-факторах VLP (Very Low Profile) и LP (Low Profile). Рабочее напряжение составляет всего 1,35 В. Из характеристик новинок отмечаются производительность до 1600 МТ/с, рабочий температурный диапазон от 0 до +95 градусов Цельсия, задержка CL11.

Производитель нацеливает свои модули на графических дизайнеров, сетевых администраторов, веб-хостинги, ИТ-профессионалов.

Материалы по теме:

• PNY обновила серию производительной памяти XLR8;
• Модули памяти DDR3-1333 объёмом 8 Гбайт от I-O DATA;
• Наборы оперативной памяти AMD Memory Entertainment Edition и их тесты.

Источник:

• Centon

inSpectrum: цены на DDR3-чипы остаются стабильными

09.04.2012 [23:51], Александр Будик

Согласно данным аналитического агентства inSpectrum, уже четвёртую неделю подряд цены на 2-Гбит DDR3-микросхемы остаются стабильными. Спот-цены в начале апреля по-прежнему составляют чуть более $1.

Спрос пока остаётся низким, так как покупатели приняли стратегию ожидания. Поставщики, в свою очередь, отказываются снижать цены на продукцию. По состоянию на 6 апреля, средняя цена на брендовые 2-Гбит DDR3-чипы составила $1,06. Безымянные чипы немного дешевле – около $0,92.

Цены на флеш-память также пока практически неизменны. Немного подешевели лишь 64-Гбит TLC NAND-чипы – с $4,21 до $4,19. 

Материалы по теме:

• MOSAID выпустила 16-кристальный NAND-чип с одним каналом;
• DRAM-память дорожает, а NAND-чипы дешевеют;
• PNY обновила серию производительной памяти XLR8.

Источник:

• inSpectrum

Hynix Semiconductor сменила имя и лого

28.03.2012 [11:28], Александр Будик

Один из крупнейших игроков на рынке памяти, компания Hynix Semiconductor заявила о переименовании. Отныне она называется SK Hynix, что отражает её новоиспечённое партнёрство с промышленной группой SK Group. Новый шаг в своей истории компания отпраздновала на специальной торжественной церемонии.

SK Group выкупила 21% акций Hynix. Сделка была полностью завершена в феврале этого года. SK Hynix в рамках проведённого мероприятия обозначила свои планы на будущее. Она намерена расширить свою бизнес-деятельность и включить в ассортимент новые виды полупроводниковой продукции. Кроме того, компания метит в лидеры на мировом рынке полупроводников.

Компания SK Hynix была образована в 1983 году под именем Hyundai Electronics Industries. В 1999 году произошло слияние с LG Semiconductor, после чего в 2001 году она стала называться Hynix Semiconductor. Что касается SK Group, то это один из крупнейших конгломератов Южной Кореи. Дочерней компанией SK Group является телекоммуникационный провайдер SK Telecom.

Материалы по теме:

• Hynix переоборудует DRAM-фабрику для выпуска NAND-памяти;
• IHS iSuppli: Micron и Nanya получат наибольшую выгоду от банкротства Elpida;
• inSpectrum: банкротство Elpida привело к росту цен на DRAM-чипы.

Источник:

• SK Hynix

inSpectrum: банкротство Elpida привело к росту цен на DRAM-чипы

07.03.2012 [23:44], Александр Будик

Рынок оперативной памяти мгновенно отреагировал на недавнее заявление компании Elpida Memory о банкротстве. Как отмечает аналитическое агентство inSpectrum, спот-цены на 2-Гбит DDR3-чипы достигли отметки в $1.

В конце прошлой недели средние цены безымянных 2-Гбит DDR3-чипов повысились на 20% – до $1. При этом брендовые микросхемы такой же ёмкости подорожали на 15% – до $1,1. В сегменте DDR2-памяти ценовые колебания оказались едва заметными. Брендовые чипы подорожали с $1,33 и $1,36, а цены безымянных чипов и вовсе остались на прежней отметке – $1,2. Что касается рынка флеш-памяти, то спот-цены 32-Гбит микросхем повысились с $3,16 до $3,22, а 64-Гбит чипы, наоборот, подешевели – с $5,58 до $5,54.

Аналитики предполагают, что это только начало и вскоре стоит ожидать ещё более впечатляющих ценовых флуктуаций.

Материалы по теме:

• Специализированная DRAM-память будет дорожать;
• IC Insights: NAND-рынок будет активно расти в 2012 году;
• Micron анонсировала DDR3Lm-память для планшетов и ультрабуков;
• Цены на NOR-чипы стабилизируются в 2012 году.

Источник:

• Digitimes

Платформа Socket FM1 ставит рекорд: DDR3 разогнана до 3737 МГц

01.03.2012 [11:49], Александр Шеметов

С недавнего времени оверклокерам стала доступна дисциплина «Memory Clock DDR3» в рамках портала HWbot. До появления процессоров Zambezi только чипы с архитектурой Lynnfield (LGA 1156) могли вывести энтузиаста на олимп обсуждаемого теста. После появления платформы Bulldozer все изменилось. Контроллер памяти процессоров AMD FX оказался настолько хорош, что рекорды по разгону ОЗУ посыпались один за другим. Но, оказывается, не только решения с разъемом Socket AM3+ способны на рекорд.

Швейцарский энтузиаст Christian Ney в рамках проводимого компанией Gigabyte состязания умудрился при помощи материнской платы  GA-A75-UD4H, процессора A8-3870K (Socket FM1) и антикварной видеокарты 3dfx Voodoo3 2000 PCI разогнать одну планку памяти G.Skill RipjawsZ 4 Гбайт до частоты 1868 МГц, что эквивалентно режиму DDR3-3736.

Столь высокий результат был получен при использовании самодельной «азотной ванночки», которая смогла охладить микросхемы памяти Hynix до температуры минус 197 градусов по шкале Цельсия. Такой маневр позволил подать на память убийственное напряжение в 2 В.

Материалы по теме:

• Еще один рекорд за AMD Bulldozer: память DDR3 разогнана до 3311 МГц;
• Еще один выход FX-8150 на высоту «8,2 ГГц»;
• Компания Intel представила Core i7-2700K.

Источник:

• hwbot.org

Новые 8- и 16-Гбайт модули DDR3 RDIMM от Super Talent

01.03.2012 [05:40], Александр Будик

Производитель накопителей на основе NAND-памяти и модулей ОЗУ, компания Super Talent Technology анонсировала выпуск новой линейки оперативной памяти, функционирующей с эффективными частотами 1066 и 1333 МГц.

Новинки представляют собой регистровые DDR3 RDIMM-модули и нацелены на использование в высокопроизводительных серверных системах. Как отмечают разработчики, многие новые серверные ПК поддерживают 16-ядерные процессоры и требуют наличия поддержки четырёхканальных комплектов ОЗУ. Особенностью 1066-МГц модулей Super Talent является их разбиение на четыре физических банка (ранка), что позволяет предоставить модели более высокой ёмкости по сравнению с «двухранковыми» решениями.

В новой линейке представлены модули ёмкостью 8 (W13RB8G4S, 1333 МГц) и 16 (W10RC16G4S, 1066 МГц) Гбайт. Максимальная ёмкость ОЗУ в системе при использовании 16-Гбайт моделей составляет 256 Гбайт. Все новинки уже отгружаются заказчикам.

Материалы по теме:

• Samsung выпустила 30-нм 4-Гбит чипы LPDDR2;
• Производители начали наращивать объёмы выпуска DRAM-чипов;
• Корейские производители контролируют 74,6% рынка Mobile DRAM;
• Nanya: DRAM-модули могут подорожать уже в текущем месяце.

Источник:

• Super Talent

Samsung выпустила 30-нм 4-Гбит чипы LPDDR2

25.02.2012 [16:21], Александр Будик

Требования, предъявляемые производителями смартфонов к комплектующим, постоянно растут. Желая удовлетворить спрос, компания Samsung Electronics разработала чипы оперативной памяти типа LPDDR2 ёмкостью 4 Гбит.

Новые микросхемы нацелены на смартфоны среднего уровня. Производитель уверен, что в 2012 году память именно такого объёма станет массовой в отрасли мобильных устройств связи. Чипы спроектированы на основе 30-нм техпроцесса и способны функционировать на скорости до 1,6 Гбит/с. При объединении микросхем можно обеспечить пропускную способность 6,4 Гбит/с. Напряжение питания при этом составляет 1,2 В.

Samsung планирует использовать данные чипы в своих смартфонах и, возможно, планшетах.

Материалы по теме:

• Производители начали наращивать объёмы выпуска DRAM-чипов;
• Корейские производители контролируют 74,6% рынка Mobile DRAM;
• Nanya: DRAM-модули могут подорожать уже в текущем месяце.

Источник:

• Samsung

Производители начали наращивать объёмы выпуска DRAM-чипов

20.02.2012 [13:43], Александр Будик

Согласно данным отраслевых источников, вслед за стабилизацией цен на рынке производители чипов памяти немного увеличили объёмы выпуска своей продукции. В совокупности в первом квартале текущего года было выпущено на 100 тысяч больше кремниевых пластин. Но спешить им не стоит, отмечают эксперты, ведь спрос растёт малыми темпами и слишком быстрое наращивание объёмов производства вновь приведёт к снижению цен.

В четвёртом квартале компании Elpida Memory и Nanya Technology ощутимо «урезали» производство с целью обезопасить отрасль от дальнейшего падения цен. В 2012 году ожидается рост этого рынка. Ранее аналитики прогнозировали рост производства DRAM-чипов в текущем году на 22%, но теперь этот показатель увеличен до 30%.

В начале февраля OEM-поставщики персональных компьютеров активно наполняли свои складские запасы комплектующими, в том числе, и памятью. Это привело к ощутимому рост контрактных цен. Средняя цена на 4-Гбайт DDR3-модули увеличилась на 6% – до $18.

Материалы по теме:

• Корейские производители контролируют 74,6% рынка Mobile DRAM;
• Nanya: DRAM-модули могут подорожать уже в текущем месяце;
• Специализированная DRAM-память будет дорожать.

Источник:

• Digitimes

Корейские производители контролируют 74,6% рынка Mobile DRAM

16.02.2012 [01:03], Александр Будик

Растущая популярность смартфонов и планшетных компьютеров привела к повышению спроса на чипы мобильной памяти в 2011 году. Тайваньские компании Nanya Technology, Powerchip Technology и Winbond Electronics уже представили свои продукты в этом сегменте, в котором доминируют корейские производители.

Согласно данным аналитического агентства DRAMeXchange, лидером рынка Mobile DRAM остаётся южнокорейский гигант Samsung Electronics с долей 53,8% в четвёртом квартале 2011 года. Второе место удерживает другая корейская компания – Hynix Semiconductor с долей 20,8%.

Winbond является единственной тайваньской компанией, которая вошла в пятёрку крупнейших отраслевых игроков. Она уступает японским Elpida Memory и Micron Technology. В четвёртом квартале прошлого года Winbond контролировала около 1% рынка мобильной памяти.

Samsung в настоящее время производит чипы Mobile DRAM с использованием 35-нм техпроцесса. Hynix находится в процессе перехода с 44- на 38-нм проектные нормы.

Материалы по теме:

• Windows Phone Tango предложит поддержку папок и смартфонов с 256 Мбайт ОЗУ?
• Elpida и Micron объединятся на рынке DRAM;
• DRAMeXchange: цены на DRAM-чипы готовы к рывку вверх.

Источник:

• Digitimes

Nanya: DRAM-модули могут подорожать уже в текущем месяце

15.02.2012 [13:34], Александр Будик

В ближайшем будущем подорожает не только специализированная DRAM-память. Аналитики компании Nanya Technology прогнозируют рост контрактных цен на чипы ОЗУ уже в текущем месяце. Производители оговаривают возможное повышение цен с OEM-клиентами.

В январе контрактные цены в отрасли стабилизировались. Несмотря на то, что на спот-рынке после Китайского нового года не зафиксировано особого оживления, эксперты ожидают роста контрактных цен в феврале.

В настоящее время спот-цены на 2-Гбит DDR3-чипы mainstream-класса остаются ниже $1. Согласно данным аналитического агентства DRAMeXchange, в конце января контрактные цены 4-Гбайт DDR3-модулей повысились на 5% – до $17,25, тогда как цены 2-Гбайт модулей остались на прежнем уровне – $9,25.

Материалы по теме:

• IC Insights: NAND-рынок будет активно расти в 2012 году;
• Micron анонсировала DDR3Lm-память для планшетов и ультрабуков;
• Наборы «оверклокерской» памяти Ares Series DDR3 от G.Skill;
• Цены на NOR-чипы стабилизируются в 2012 году.

Источник:

• Digitimes

Специализированная DRAM-память будет дорожать

14.02.2012 [23:21], Александр Будик

Согласно данным отраслевых источников, цены на специализированные DDR-чипы ёмкостью 512 Мбит и DDR2-чипы ёмкостью 1 Гбит вскоре будут повышаться. Это связано с тем, что спрос в отрасли начал превышать предложение.

Спрос существенно вырос со стороны производителей потребительской электроники. При этом ранее поставщики чипов запланировали снижение объёмов выпуска своей продукции, что привело к дефициту специализированных DRAM-чипов. А вот в 2011 году рынок был буквально наводнён специализированными DRAM-чипами. В перепроизводстве были виноваты, главным образом, тайваньские компании, наращивающие объёмы выпуска микросхем памяти.

512-Мбит DDR-чипы используются в телевизорах, ТВ-приставках, сетевых приложениях. Дефицит этой памяти не будет удовлетворен вплоть до марта, считают источники. На данный момент крупнейшим в мире поставщиком специализированной DRAM-памяти является компания Hynix Semiconductor. Среди других игроков рынка можно отметить Nanya Technology, Winbond Electronics, Etron Technology, Elite Semiconductor Memory Technology.

Материалы по теме:

• IC Insights: NAND-рынок будет активно расти в 2012 году;
• Micron анонсировала DDR3Lm-память для планшетов и ультрабуков;
• Цены на NOR-чипы стабилизируются в 2012 году;
• В январе доходы в сегментах DRAM и NAND упали на 20-30%.

Источник:

• Digitimes

IC Insights: NAND-рынок будет активно расти в 2012 году

14.02.2012 [17:30], Александр Будик

Согласно данным аналитической компании IC Insights, среди 33 ключевых категорий полупроводниковой продукции, определённых Международной статистикой по торговле полупроводниками, 27 категорий покажут рост в 2012 году. При этом 11 сегментов отличатся лучшим ростом, чем в среднем по отрасли, а для 6 из них рост составит десятки процентов.

Одним из лидеров рейтинга является флеш-память типа NAND, тогда как NOR-микросхемы находятся в хвосте списка с большим снижением продаж. В текущем году спрос на NAND-чипы будет стимулировать растущая популярность SSD-накопителей, отмечают аналитики.

Интересно отметить, что цены в сегменте DRAM-памяти продолжат снижаться. Таким образом, в 2012 году отрасль NAND имеет шансы обогнать рынок DRAM впервые за свою историю.

Также ожидается стремительный рост на рынке процессоров приложений, используемых в смартфонах и планшетных компьютерах, и 32-разрядных микроконтроллеров. Спрос на чипы NOR, SRAM, EEPROM и DRAM снизится.

Материалы по теме:

• Macronix анонсировала свои первые чипы SLC NAND;
• Micron анонсировала DDR3Lm-память для планшетов и ультрабуков;
• Цены на NOR-чипы стабилизируются в 2012 году.

Источник:

• Digitimes