Правительство США с начала текущего года активизировало свою деятельность по распределению субсидий и льготных кредитов по «Закону о чипах» среди тех компаний, которые хотят построить на территории страны новые современные предприятия по выпуску полупроводниковых компонентов. Министр торговли США Джина Раймондо (Gina Raimondo) заявила, что оставшиеся средства будут распределены между соискателями до конца текущего года.

Источник изображения: Micron Technology

Эти слова, по данным CNBC, прозвучали на церемонии, посвящённой выделению компании Samsung Electronics субсидий в размере $6,4 млрд на строительство четырёх новых объектов на территории штата Техас. Среди них, напомним, будет предприятие по выпуску 2-нм продукции, а также линия по производству памяти HBM и упаковке её на одну подложку с чипами сторонней разработки. До этого власти США уже выделили $8,5 млрд субсидий компании Intel и $6,6 млрд тайваньской компании TSMC, которые также взяли на себя обязательства построить в США новые предприятия по выпуску чипов.

Как поясняет Seeking Alpha, в совокупности с первыми субсидиями по этому закону, которые достались GlobalFoundries, BAE Systems и Microchip, правительство США сейчас располагает примерно $16 млрд оставшихся средств, которые будут направлены на субсидирование строительства новых предприятий. Отдельно распределяются льготные кредиты, их общая сумма достигает $75 млрд, но $11 млрд из этого количества уже обещаны Intel, а $5 млрд — компании TSMC. Министр торговли США заявила на этой неделе, что весь оставшийся бюджет по принятому ещё в 2022 году «Закону о чипах» будет распределён до конца текущего года. Напомним, что непосредственно на субсидирование строительства предприятий было выделено $39 млрд, а оставшаяся часть общей суммы в $52,7 млрд должна быть направлена на поддержку научно-исследовательской деятельности в США.

Интересно, что оставшиеся в бюджете средства Раймондо пообещала направить на поддержку преимущественно проектов, связанных с производством микросхем памяти и имеющих отношение к поставкам расходных материалов типа кремниевых пластин и химикатов. Стало быть, Micron Technology вполне может претендовать на часть из оставшихся $16 млрд, поскольку собирается развивать на территории двух американских штатов производство микросхем памяти.

Пока СМИ активно обсуждали выделение субсидий властями США на строительство предприятий Intel и TSMC, а также предстоящее аналогичное событие у Samsung, все как-то забыли, что американская Micron Technology ещё в позапрошлом году пообещала, что потратит более $100 млрд на строительство предприятий в США в течение ближайших двух десятилетий. Эксперты считают, что компания вполне может рассчитывать на субсидии в размере более $5 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

Напомним, в октябре 2022 года Micron Technology объявила о намерениях построить в штате Нью-Йорк огромный производственный комплекс по выпуску микросхем памяти, который обеспечит работой 50 000 человек. Только в текущем десятилетии на эти нужды Micron собиралась потратить $20 млрд, а всего за два десятилетия была готова выделить $100 млрд на развитие одной только этой площадки. Кроме того, в штате Айдахо компания собирается построить предприятие стоимостью $15 млрд, растянув эти расходы на ближайшие десять лет.

Словом, Micron рассчитывает серьёзно вложиться в развитие национальной полупроводниковой промышленности. Представители Citi считают, что это позволяет компании рассчитывать на получение субсидий в размере более $5 млрд. Это не так уж мало, если учесть, что без предполагаемой доли Samsung в оставшемся бюджете Министерства США на выделение субсидий сейчас находится около $20 млрд, после достижения договорённостей с Intel ($8,5 млрд) и TSMC ($6,6 млрд). Если ещё $6,6 млрд достанутся Samsung, то в распоряжении чиновников останутся около $13,3 млрд, из них Micron Technology могла бы претендовать на $5 млрд, как считают аналитики Citi. Ожидается, что решение о выделении субсидий Samsung Electronics будет принято властями США на следующей неделе, сроки согласования субсидий для Micron пока не уточняются.

Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4. Предсерийные образцы этих стеков появятся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году.

Источник изображения: samsung.com

О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.

Образец 16-слойного стека был изготовлен на оборудовании Semes — дочерней компании Samsung. В Samsung рассматривали возможность использовать гибридное соединение или термокомпрессионную непроводящую плёнку (TC-NCF) для памяти HBM4, тестирование которой начнётся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году, пояснил господин Ким.

В чипах HBM3E компания Samsung применяет технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоёв без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via).

Вчерашний пример с демонстрацией TSMC более амбициозных планов по экспансии производства в США показывает, что местные власти готовы предоставлять довольно щедрые субсидии, но при условии опережающего развития зарубежными компаниями своих предприятий по производству чипов в США. По некоторым данным, Samsung сможет претендовать на $6,6 млрд государственной поддержки по «Закону о чипах».

Источник изображения: Samsung Electronics

Церемония в Тейлоре, где Samsung Electronics уже построила первое из нескольких новых предприятий по контрактному выпуску чипов, должна состояться в следующий понедельник, по информации Reuters, но президент Джозеф Байден (Joseph Biden) мероприятие пропустит по политическим соображениям, поскольку ловить что-то в Техасе с его сильными позициями республиканцев с точки зрения предвыборной кампании нечего.

По данным источников, Samsung пришлось пойти на уступки американским властям, и увеличить планируемые капитальные затраты на развитие предприятий в Тейлоре с $17 до $44 млрд. Данные о количестве запланированных к строительству предприятий разнятся. Пару лет назад Samsung обещала потратить до $200 млрд на строительство 11 предприятий в Техасе, но сделать это она собиралась на протяжении двадцати лет. На днях стало известно о готовности Samsung в ближайшие годы построить в Тейлоре три предприятия по контрактному производству чипов. Агентство Reuters ведёт разговор о четырёх объектах, лишь два из которых будут заниматься производством чипов. Ещё один сосредоточится на тестировании и упаковке чипов, а рядом с ним расположится профильный научно-исследовательский центр. Более того, данными объектами в Тейлоре дело не ограничится, ибо Samsung также собирается расширять своё присутствие в США за пределами этого города. Будет ли это обживаемый компанией с 1996 года соседний Остин, не уточняется.

Напомним, что корпорация Intel первой из крупных игроков полупроводникового рынка, если не считать GlobalFoundries, получила гарантии выделения средств по «Закону о чипах». Ей достанутся $8,5 млрд безвозвратных субсидий, $11 млрд льготных кредитов и до $25 млрд в виде налоговых вычетов. Компания TSMC получит $6,6 млрд безвозвратных субсидий и $5 млрд льготных кредитов, но в обмен пообещала увеличить инвестиции в свои американские предприятия с $40 до $65 млрд, а также освоить к 2028 году выпуск 2-нм продукции на одном из предприятий в Аризоне. К 2030 году TSMC должна будет построить в Аризоне своё третье предприятие. Всего «Закон о чипах» подразумевает выделение $52 млрд субсидий, из которых $39 млрд будут предназначаться компаниям, строящим в США предприятия по выпуску чипов, а дополнительные $75 млрд будут распределены в виде льготных кредитов. Получается, что более половины лимита субсидий власти США уже распределили между тремя крупнейшими производителями чипов, а желающих получить поддержку немало и среди производителей микросхем памяти. Micron и SK hynix тоже намерены строить новые предприятия в США.

На мероприятии GTC 2024 компания Nvidia показала чипы памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 Гбит/с и объёмом 2 Гбайт от компании Samsung. Новая память на 33 % быстрее актуальных решений GDDR6 и GDDR6X. Благодаря этому будущие видеокарты с такими чипами памяти смогут обеспечить гораздо более высокий показатель пропускной способности.

Источник изображения: Overclock3d

Первые чипы памяти GDDR7 в составе будущих видеокарт по причинам энергоэффективности будут обеспечивать скорость передачи данных, ограниченную до 28 Гбит/с. Они будут на 17 % медленнее максимального показателя их возможной скорости, но в то же время значительно быстрее актуальных чипов памяти GDDR6 и GDDR6X, которые используются в современных графических ускорителях.

Источник изображения: HardwareLuxx

Напомним, что в рамках GTC 2024 компания Nvidia также представила новое поколение специализированных графических процессоров Blackwell для ИИ. Правда, они будут оснащаться не памятью GDDR7, а набортной высокоскоростной памятью HBM3E.

Весьма вероятно, Nvidia будет использовать микросхемы памяти GDDR7 в составе своих будущих игровых видеокарт GeForce RTX 50-й серии. По слухам, именно флагманская модель будущей серии предложит скорость памяти на уровне 28 Гбит/с на контакт.

Последние слухи также говорят в пользу того, что условная GeForce RTX 5090 получит 512-битную шину памяти. Таким образом, новинка не только предложит на 33 % более скоростную память, чем у GeForce RTX 4090, но также получит на 33 % более широкую шину памяти. Всё это совокупно может увеличить пропускную способность памяти будущей флагманской видеокарты на 77 % по сравнению с флагманом текущего поколения.

На этой неделе стало окончательно ясно, что в стремлении наладить к 2030 году на территории США выпуск 20 % мирового количества передовых чипов, власти страны делают серьёзную ставку на корпорацию Intel. Она, согласно предварительной договорённости, получит $8,5 млрд прямых безвозвратных субсидий, $11 млрд в форме льготных кредитов и налоговый вычет в размере 25 % на сумму инвестиций до $100 млрд.

Источник изображения: Intel

Как подчёркивается в совместном заявлении представителей Министерства торговли США и компании Intel, соглашение носит предварительный характер, и ведомство ещё должно окончательно согласовать условия поддержки данной компании в реализации инвестиционных проектов в полупроводниковую отрасль страны. Генеральный директор Intel Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) признался, что компания рассчитывала примерно на такие меры поддержки, которые получила, но подчеркнул, что для основательного возрождения национальной полупроводниковой отрасли США может потребоваться второй «Закон о чипах».

Кроме того, в отношении оборонных контрактов с Intel было сказано, что выделяемые Министерством торговли США субсидии покрывают только расходы компании в коммерческом секторе, без учёта финансирования оборонных заказов. Переговоры с профильными заказчиками ведутся, но глава Intel по понятным причинам не готов раскрывать их специфику.

Итак, по первому и единственному на данный момент «Закону о чипах» правительство США готово предоставить $8,5 млрд безвозвратных субсидий на строительство предприятий по выпуску чипов и их упаковке на территории страны. Ещё $11 млрд можно будет получить в форме долгосрочных кредитов под весьма низкую процентную ставку, но эти средства всё же придётся вернуть. Щедрым выглядит и предложение властей США предоставить Intel 25-процентный налоговый вычет на общую сумму $100 млрд из тех средств, которые компания изыщет на покрытие своих капитальных расходов сама. Руководство Intel дало понять, что воспользуется налоговым вычетом в полной мере, рассчитывая вернуть в течение нескольких лет до $25 млрд потраченных на строительство предприятий средств.

К слову, структура собственных расходов Intel на создание новых предприятий подразумевает, что непосредственно на возведение корпусов и зданий уйдёт около 30 % средств, а оставшиеся 70 % будут направлены на закупку и монтаж технологического оборудования. Напомним, помимо двух предприятий в Аризоне, компания собирается построить два предприятия по обработке кремниевых пластин в Огайо, расширить и модернизировать своё предприятие и исследовательский центр в Орегоне, а также переоборудовать предприятия в Нью-Мексико под тестирование и упаковку чипов. Примечательно, что воспользоваться налоговыми льготами Intel сможет уже сейчас.

Гелсингер подтвердил, что предприятия в Огайо не будут введены в строй ранее 2027 или 2028 года, но не стал конкретизировать причины задержки относительно первоначального срока (2025 год). Решение по Intel стало уже четвёртым в рамках «Закона о чипах», но при этом крупнейшим по выделяемой сумме субсидий. Ранее власти США одобрили выделение $35 млн компании BAE, $162 млн компании Microchip Technologies, а наиболее крупной суммой оказались $1,5 млрд для компании GlobalFoundries. В ближайшие недели, как ожидается, Министерство торговли США определится с заявками TSMC и Samsung на предоставление им субсидий.

Европейский союз (ЕС) планирует оценить риски, связанные с применением китайских полупроводников, выполненных по зрелым технологиям, в своей промышленности. Это решение согласуется с инициативами США, направленными на выявление потенциальных угроз для национальной безопасности и стабильности глобальных цепочек поставок.

Источник изображения: AzamKamolov / Pixabay

Проект документа, на который ссылаются в Bloomberg, указывает, что ЕС рассматривает возможность анализа глубины интеграции зрелых полупроводников в европейские промышленные сети. Такой шаг стал бы зеркальным отражением инициативы администрации Байдена по оценке рисков, связанных с использованием чипов, которые не являются передовыми, но жизненно важны для военных и других отраслей — от электромобилей до инфраструктуры.

Эта инициатива Европейской комиссии представляет собой первый шаг к разработке совместных мер с США, включая введение ограничений против Китая, ведь полупроводники предыдущих поколений играют ключевую роль в мировой экономике. Увеличение инвестиций Китаем в строительство фабрик по их производству вызывает опасения на обоих берегах Атлантики относительно укрепления позиций китайских компаний на этом рынке и формирования критической зависимости у Запада, подобно тому, как это произошло в секторах солнечной энергетики и стали.

«ЕС и США продолжат собирать и обмениваться неконфиденциальной информацией и рыночными данными о нерыночной политике и практике, обязуясь консультироваться друг с другом по поводу планируемых действий», — говорится в проекте документа, который должен быть представлен на апрельском Совете ЕС и США по торговле и технологиям (TTC) в Бельгии.

Ожидается, что эта тема станет одной из центральных на предстоящем мероприятии. Также на TTC будут обсуждаться продление совместных договорённостей по механизмам раннего предупреждения о нарушениях в цепочках поставок и обмен информацией о государственной поддержке сектора полупроводников.

Предполагается, что страны подтвердят приверженность принципам риск-ориентированного подхода к искусственному интеллекту (ИИ), разработке критериев для оценки генеративных ИИ-моделей, согласованию общих принципов и стандартов для исследований и разработки систем беспроводной связи 6G, а также сотрудничество в стандартизации новых технологий, включая биотехнологии.

Власти Китая негласно попросили производителей электромобилей, таких как BYD и Geely, резко увеличить объемы закупки автомобильных чипов у местных производителей. Данный шаг направлен на снижение зависимости Поднебесной от импорта из западных стран и развитие собственной полупроводниковой отрасли.

Источник изображения: SMIC

В сообщении сказано, что Министерство промышленности и информационных технологий Китая в этом году обратилось к автопроизводителям с просьбой расширить закупки отечественных компонентов, чтобы ускорить процесс внедрения китайских чипов. По данным источника, ранее ведомство поставило перед производителями негласную цель, в рамках которой компании должны к 2025 году закупать пятую часть используемых чипов у местных поставщиков.

Чиновники остались недовольны темпами исполнения этого поручения, поэтому теперь автопроизводители получили прямые инструкции, согласно которым им следует избегать использование чипов зарубежного производства везде, где это возможно. Это может означать, что зарубежным производителям полупроводниковой продукции придётся задействовать китайские компании, такие как Semiconductor Manufacturing International Corp. и Hua Hong Semiconductor Ltd., для выпуска своей продукции. Другой источник сообщил, что в рамках проведённого недавно одним китайским брендом тендера один из иностранных участников не смог получить контракт, несмотря на то, что его предложение было на 30 % более выгодным, чем у победителя.

Эти события отражают усилия китайских властей по активизации собственного технологического сектора, что стало ответом на попытки США ограничить разработку полупроводниковой продукции в стране за счёт введения санкций и ограничений на импорт готовой продукции. Директива по автомобильным чипам может навредить зарубежным производителям такой продукции, включая Nvidia Corp., NXP Semiconductor NV, Renesas Electronics Corp. и Texas Instruments Inc. На этом фоне курс акций европейских производителей автомобильных чипов начал неуклонно снижаться.

Два года назад недавно вступивший в должность генерального директора Intel Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) делился наполеоновскими планами по строительству новых предприятий в США и Европе, но без правительственных субсидий такое количество новых проектов реализовать будет сложнее. Ожидается, что президент США на следующей неделе подтвердит их выделение для нужд Intel, а вот в Италии предприятие компания пока строить не будет.

Источник изображения: Intel

Агентство Reuters накануне собрало всю неофициальную информацию на эту тему. По крайней мере, данные о решении Intel воздержаться от строительства предприятия в Италии в ближайшие годы прозвучали из уст местного министра промышленности Адольфо Урсо (Adolfo Urso). Он дал понять, что пока Intel предпочитает заморозить проекты по строительству предприятия по упаковке чипов в Италии и исследовательского центра во Франции, сосредоточившись на строительстве двух предприятий по выпуску чипов в Германии. На субсидии европейских властей Intel в любом случае рассчитывает, но даже готовность итальянского правительства поддержать компанию при реализации локального проекта не убедила руководство корпорации приступить к строительству предприятия по упаковке чипов. Напомним, оно должно было обойтись в 4,5 млрд евро и завершиться в период с 2025 по 2027 годы, обеспечив работой до 1500 местных жителей.

Как подчеркнул итальянский министр, власти страны готовы обеспечить Intel всемерное содействие, если та вдруг передумает замораживать проект. Представители Intel данную информацию никак не прокомментировали. Зато Reuters отметило, что сингапурский стартап Silicon Box, основанный выходцами из Marvell Technology, реализует в Италии проект по строительству предприятия, выпускающего так называемые «чиплеты». Инициатива подразумевает инвестиции в размере 3,2 млрд евро и создание 1600 новых рабочих мест. Итальянское правительство в предыдущие месяцы также вело переговоры с представителями тайваньского бизнеса по поводу локализации производства чипов, поэтому проект Silicon Box может оказаться не единственным.

Агентство Reuters также сообщает, что президент США Джозеф Байден (Joseph Biden) и министр торговли Джина Раймондо (Gina Raimondo) на следующей неделе посетят Аризону для объявления о выделении Intel определённой суммы на строительство предприятий в США. Помимо самой Аризоны, Intel намеревается построить два предприятия в Огайо, но неофициальные источники некоторое время назад сообщили, что они будут готовы не ранее 2026 года во многом как раз из-за проблем с финансированием. В случае, если Intel действительно задержится со строительством предприятий в Огайо, выпуск продукции по передовой технологии Intel 18A она наладит сперва на опытной линии в Орегоне, а затем и в Аризоне, причём и для сторонних клиентов тоже.

Ожидается, что Intel получит около $10 млрд от властей США на реализацию указанных проектов, но в конечную сумму могут войти и льготные кредиты, а не просто безвозвратные субсидии. Один только проект в Огайо потребует затрат в размере $20 млрд, поэтому Intel рассчитывает за счёт государственного финансирования покрывать от 20 до 30 % собственных расходов на строительство новых предприятий. Из $39 млрд, выделяемых по «Закону о чипах» на субсидирование строительства предприятий в США, около $28 млрд будут предназначены для передовых линий с точки зрения используемых литографических норм, указанные инициативы Intel как раз попадают под это определение. Считается, что $6 млрд достанутся Samsung, а TSMC ограничится $5 млрд поддержки от властей США при строительстве двух предприятий в штате Аризона.

Первый квартал подходит к концу, а это значит, что Министерство торговли США должно скоро определиться с размером субсидий, которые будут направлены по «Закону о чипах» на поддержку проектов различных компаний по строительству предприятий, выпускающих чипы на территории страны. По некоторым данным, корейская Samsung Electronics получит более $6 млрд.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, на эту сумму ссылается публикация Bloomberg. Напомним, что Samsung Electronics уже строит в штате Техас новое предприятие, на котором изначально предполагалось уже с июля начать выпуск 4-нм продукции. Скорее всего, запуск производства задержится до следующего года, но это не отменяет намерений Samsung потратить на строительство и оснащение этого предприятия в Техасе около $17 млрд. В целом за пару десятилетий Samsung рассчитывает построить на территории Техаса 11 предприятий по выпуску чипов, попутно развивая уже существующий комплекс в Остине.

Предполагаемые $6 млрд субсидий, как отмечает Bloomberg, будут охватывать не только проект в техасском Тейлоре, но куда они будут направлены в целом, не уточняется. Как сообщает источник, министерство и компания Samsung уже заключили предварительное соглашение. Напомним, что принятый ещё в 2022 году «Закон о чипах» предусматривает выделение на строительство предприятий по выпуску полупроводниковой продукции в США около $39 млрд, причём на поддержку проектов с использованием передовой литографии планируется потратить основную часть этих средств. Предприятие Samsung в Тейлоре как раз попадает под это определение.

Если Samsung достанутся $6 млрд, а тайваньская TSMC на строительство своих предприятий в Аризоне получит $5 млрд, то вместе с причитающимися Intel $10 млрд субсидии трём этим компаниям исчерпают более половины суммы прямых субсидий, предусмотренных законом. На передовую литографию предполагалось потратить $28 млрд, и только три перечисленных проекта потребуют уже $21 млрд. Впрочем, на возвратной основе власти США готовы выделить ещё $75 млрд, но Samsung негласно дала понять, что кредиты и ссуды её в этом контексте не интересуют. С размером субсидий для Intel американские чиновники должны определиться на следующей неделе, прочие компании наверняка получат одобрение следом, как считают источники.

Данные берутся из публикации Будущее чипмейкерства: FEL, SSMB, наноимпринт — или всё-таки LPP EUV?

Корпорация Intel до сих пор претендовала не только на субсидии со стороны Министерства торговли США в рамках так называемого «Закона о чипах», но и на прямую поддержку со стороны Пентагона в размере $2,5 млрд, которая помогла бы компании наладить на территории страны выпуск передовых компонентов для нужд военных заказчиков. Теперь оборонное ведомство пытается переложить бремя поддержки Intel целиком на Министерство торговли США.

Источник изображения: Intel

Об этом накануне сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на источники, знакомые с ситуацией. При такой схеме финансирования проектов Intel на территории США компания может получить меньшую совокупную сумму, чем планировала ранее, поскольку сам по себе «Закон о чипах» предусматривает выделение не более $39 млрд на строительство предприятий по выпуску полупроводниковых компонентов в США, а претендентов на эти деньги нашлось очень много. Intel до сих пор рассчитывала получить не менее $10 млрд для строительства в США четырёх предприятий по выпуску чипов, но величина субсидий до сих пор не определена Министерством торговли.

Предполагалось, что из $3,5 млрд, предназначенных Intel на развитие производства передовых чипов в США для нужд оборонной промышленности, торговое ведомство страны выделит не более $1 млрд, а оставшиеся $2,5 млрд поступят компании по линии Пентагона. В бюджете оборонного ведомства США необходимых средств для финансирования Intel в итоге не нашлось, как уточняют источники. Если разницу придётся покрывать из фонда так называемого «Закона о чипах», то на реализацию коммерческих инициатив Intel останется меньше средств, чем планировалось изначально, поскольку как минимум $3,5 млрд придётся закрепить за оборонными инициативами. Впрочем, окончательная схема субсидирования проектов Intel до сих пор не определена, поэтому выводы делать рано.

Компания Micron сообщила о старте массового производства высокопроизводительной памяти HBM3E в формате 8-этажных стеков объёмом 24 Гбайт. Такие микросхемы будут использоваться в составе специализированных ИИ-ускорителей NVIDIA H200, массовые поставки которых начнутся во втором календарном квартале 2024 года.

Источник изображения: Microsoft

В Micron заявляют, что растущий спрос на ИИ-вычисления требует новых высокопроизводительных решений в вопросе памяти. Новые микросхемы HBM3E от Micron полностью отвечают этим требованиям.

Для своих 8-слойных стеков памяти HBM3E объёмом 24 Гбайт компания Micron заявляет скорость передачи данных в 9,2 Гбит/с на контакт и пропускную способность более 1,2 Тбайт/с. По словам Micron, её чипы памяти HBM3E до 30 % энергоэффективнее аналогичных решений от других производителей.

Компания также отмечает, что большая ёмкость в 24 Гбайт чипов памяти HBM3E позволяет центрам обработки данных беспрепятственно масштабировать свои задачи, связанные с ИИ, будь то обучение массивных нейронных сетей или ускорение инференса.

Компания Micron производит чипы памяти HBM3E с использованием своего самого передового технологического процесса 1β (1-beta), а также передовой технологии сквозных соединений TSV (Through-silicon via) и других инновационных решений, связанных с упаковкой микросхем. Micron будет производить свои чипы памяти HBM3E на мощностях компании TSMC.

Производитель также сообщил, что в марте этого года начнёт рассылать производителям образы передовых 12-слойных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт, которые обеспечат пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с.

По словам генерального директора NVIDIA Дженсена Хуанга (Jensen Huang), в настоящее время компания предлагает клиентам для тестирования образцы двух ИИ-ускорителей, создаваемых для Китая. Ранее сообщалось о подготовке трёх антисанкционных чипов — H20, L20 и L2. Они включают в себя большинство новейших функций NVIDIA для работы с ИИ, но их вычислительная мощность снижена для соответствия правилам экспортного контроля США.

Источник изображения: NVIDIA

Разработка новых ускорителей — уже не первая попытка NVIDIA защитить своё доминирование на китайском рынке, попавшем под суровые экспортные ограничения со стороны властей США. Первоначально ожидалось, что H20 станет доступен в ноябре 2023 года, но затем его выпуск был отложен из-за проблем, с которыми столкнулись производители серверов при интеграции чипа.

«Сейчас мы тестируем их [чипы ИИ] среди клиентов. Оба соответствуют новым экспортным правилам [правительства США] и не требуют получения лицензии. Мы с нетерпением ждём отзывов клиентов, — сообщил Хуанг после публикации квартальных результатов NVIDIA. — Мы ожидаем, что нам... придётся бороться за свой бизнес, и, надеюсь, мы сможем успешно обслуживать рынок». Хуанг не уточнил о каких конкретных чипах идёт речь и не назвал потенциальных клиентов.

Источник изображения: Intel

Ранее в этом месяце агентство Reuters сообщило, что NVIDIA начала принимать предварительные заказы на H20, самый мощный из трёх чипов, предназначенных для китайского рынка, и её дистрибьюторы установили цену на него наравне с конкурирующим продуктом от Huawei.

Бизнес NVIDIA в Китае пострадал после того, как в октябре Вашингтон расширил меры экспортного контроля, которые включали дополнительные ограничения на поставки передовых чипов в Китай. Согласно отчёту NVIDIA за четвёртый финансовый квартал, завершившийся 28 января, объем продаж компании на китайском рынке, включая Гонконг, составил $1,9 млрд. Это лишь 9 % от общего мирового объёма выручки по сравнению с 22 % в предыдущем квартале, когда продажи в регионе составили $4 млрд.

«В последнем квартале наш бизнес [в Китае] значительно снизился, поскольку мы… прекратили поставки на китайский рынок. Мы ожидаем, что в этом [первом] квартале ситуация будет примерно такой же. Но после этого, надеюсь, мы сможем бороться за наш бизнес и делать всё, что в наших силах, и посмотрим, чем это обернётся», — заявил Хуанг.

Стараясь не остаться в стороне от бума ИИ, компания Arm представила свои последние технологические достижения — процессорные ядра Neoverse N3 и V3, а также основанную на них технологию Neoverse Compute Subsystems (CSS) — «самый быстрый путь от концепции до развёртывания облачных вычислений следующего поколения». Arm также сообщила названия платформ следующего поколения Neoverse CSS — Vega и Ranger, которые, похоже, станут продуктами Neoverse V4 Adonis и N4 Dionysus.

Источник изображений: Arm

Новейшая технология Neoverse основана на вычислительной архитектуре Arm, и этот анонс открывает новый Arm IP, который теперь доступен компаниям для лицензирования при создании чипов для потребительского рынка, центров обработки данных и корпоративных рынков. Это позволит партнёрам Arm создавать специализированные микросхемы с меньшими затратами, меньшим риском и более быстрым выходом на рынок по сравнению с традиционными методами разработки.

По словам компании Arm, её технология Neoverse CSS V3 предлагает «самый быстрый путь от концепции до развёртывания облачных вычислений следующего поколения для её глобальных партнёров». Она также предлагает «значительное увеличение производительности», лучшую эффективность и дифференцированные функции.

Для чипов Neoverse CSS V3 Arm обещает улучшение производительности на сокет на 50 % по сравнению с CSS V2. Neoverse CSS V3 получит 64 ядра на кластер и до 128 ядер на сокет и обеспечит поддержку всех современных технологий памяти и ввода-вывода, таких как PCIe Gen5, CXL 3.0 и HBM3. По словам компании, самая интересная возможность новой архитектуры — создание вычислительных платформ, подобных NVIDIA Grace Hopper, для клиентов, желающих реализовать собственный ускоритель искусственного интеллекта.

Arm утверждает, что технология Neoverse CSS N3 обеспечивает увеличение производительности на ватт на 20 % по сравнению с CSS N2. Конфигурации платформы предложат от 8 до 32 ядер, причём TDP 32-ядерного варианта укладывается в 40 Вт.

Вице-президент по продуктам инфраструктуры Arm Дермот О’Дрисколл (Dermot O’Driscoll) отметил: «Мы настраиваем CSS N3, чтобы заполнить пробел, который мы видим на рынке высокоэффективных вычислений».

«Платформы, которые мы представили сегодня, представляют собой лучшее поколение Arm Neoverse на данный момент, — заявил генеральный директор инфраструктурного бизнеса Arm Мохамед Авад (Mohamed Awad). — Они станут основой продуктов и услуг следующего поколения, которые будут создавать партнёры по мере внедрения рабочих нагрузок ИИ и проникнут во весь континуум вычислений». Авад уверен в перспективности экосистемы Arm и считает, что будущее вычислений, включая искусственный интеллект, «будет построено на Arm».

Перспективность архитектуры Arm была подтверждена заявлением Intel, которая собирается «поддерживать стартапы в разработке технологий на базе Arm и предлагать необходимую интеллектуальную собственность, поддержку производства и финансовую помощь для содействия инновациям и росту». Компания планирует «предоставлять передовые услуги по производству систем на кристаллах (SoC) на базе Arm».