На этой неделе состоится конференция Flash Memory Summit 2022, в рамках которой компания Kioxia, которая образовалась из подразделения Toshiba Memory, вместе со всей отраслью отметит важное событие. Дело в том, что в этом году исполняется 35 лет с момента изобретения флеш-памяти NAND, которая и была разработана инженером Toshiba Memory.

Источник изображения: techpowerup.com

Изобретателем флеш-памяти является японский профессор Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), который начал работать в Toshiba в 1971 году. Оглядываясь на революционную технологию флеш-памяти, которая появилась в 1987 году, Kioxia продолжает смотреть в будущее, представляя инновационные продукты, форм-факторы и решения. В рамках выставки FMS 2022 компания расскажет о своём видении будущего флеш-памяти и её использовании для продвижения и усовершенствовании широкого спектра приложений, включая мобильные продукты, облачные вычисления, центры обработки данных, автомобильную промышленность и др.

Основную презентацию компании под названием «Kioxia: 35 лет флеш-памяти и не только» проведут Скотт Нельсон (Scott Nelson), исполнительный вице-президент и главный директор по маркетингу Kioxia, и Шигео Осима (Shigeo Ohshima), глава подразделения SSD Application Engineering. Презентация будет посвящена 35-й годовщине изобретения флеш-памяти и расскажет о том, каким компания видит будущее этой революционной технологии.

«С изобретением флеш-памяти мы вступили в совершенно новую эру — эру, которая включает в себя мобильность контента, тонкие и лёгкие форм-факторы, высокоплотное, масштабируемое хранение и многое другое. Начиная с самых первых случаев применения в 1990-х годах и заканчивая сегодняшними инновациями, влияние флеш-памяти ощущается повсюду. Проще говоря, флеш-память обогатила жизнь людей и расширила горизонты общества — и многое ещё впереди», — считает Скотт Нельсон.

Компания Kioxia сообщила о выпуске второго поколения памяти XL-Flash, в основе которой используется проприетарная технология BiCS FLASH 3D. Компания отмечает, что новое поколение памяти XL-FLASH обладает более высокой плотностью хранения информации, обеспечивает высокий уровень производительности и обладает низкими задержками.

Источник изображения: Toshiba

В отличие от перового поколения памяти XL-Flash, где предусматривается хранение только одного бита информации в ячейке (SLC), новое поколение XL-Flash от Kioxia получило функциональность многоуровневых ячеек MLC, где на одну ячейку приходится 2 бита информации.

В новой памяти также увеличено максимальное количество одновременно обслуживаемых блоков, благодаря чему получилось повысить пропускную способность. И ещё новое поколение памяти XL-Flash будет выпускаться в виде 256-гигабитных кристаллов, что двое больше объёма предыдущего поколения памяти XL-Flash.

Память XL-Flash нового поколения как и предыдущего будет применяться в устройствах хранения данных для дата-центров и накопителях корпоративного класса. В перспективе также рассматривается возможность использования памяти в составе CXL-модулей.

Компани Kioxia и Western Digital сообщили, что их совместное предприятие Fab 7 по производству чипов флеш-памяти 3D NAND в японской провинции Йоккаичи получит от правительства Японии субсидии на расширение мощностей в размере 92,9 млрд йен ($680 млн). Решение японского правительства принято в рамках программы по стимулированию роста местного производства полупроводников.

Источник изображения: Kioxia

Компания Kioxia начала строительство завода Fab 7 в промышленном комплексе Yokkaichi Operations в конце 2020 года. Несмотря на то, что возведение объекта ещё не завершено, Kioxia и её партнёр Western Digital уже приступили к частичному оснащению фабрики оборудованием для производства 112-слойных и 162-слойных чипов памяти 3D NAND, которое планируется начать осенью этого года. В перспективе на заводе Fab 7 будет выпускаться флеш-память с ещё большим количеством слоёв.

«Мы рады сообщить, что правительство Японии признало важность производства памяти и технологий хранения данных, так как они являются критически важными компонентами в отрасли полупроводников. Вместе с нашим партнёром Kioxia мы рассчитываем на успех нашего совместного предприятия», — прокомментировала глава Western Digital Дэвид Гёкелер (David Goeckeler).

Чипы оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND действительно являются важными компонентами каждого ПК, сервера, смартфона и практически любого другого электронного устройства, которое сегодня используется людьми, однако производство этих микросхем сопряжено с определёнными финансовыми рисками. Цены на чипы памяти сильно зависят от спроса и предложений на рынке. Именно поэтому данное производство не всегда находило нужную финансовую поддержку со стороны властей тех или иных стран. Последние в свою очередь просто позволяли крупным производителям микросхем памяти, например, Micron и SK hynix, для своего роста поглощать более мелкие компании по выпуску чипов DRAM и NAND.

Правительство Японии решило изменить свой подход в этом вопросе, и не без причины. Производство 3D NAND не является самым прибыльным бизнесом и подвержено циклическим спадам. Однако такие крупные производители памяти 3D NAND, как Kioxia и Western Digital, могут помочь в развитии местного производства полупроводников и создать тысячи новых рабочих мест. Кроме того, появление новой цепочки поставок полупроводников в стране может привлечь и других производили микросхем, став сигналом о комфортной среде для тех, кто ищет варианты для диверсификации своего производства. К таким компаниям относится, например, TSMC, которая последнее время ищет варианты расширения своих мощностей за пределами Тайваня.

Компания Kioxia анонсировала новые карты памяти Exceria High Endurance формата microSD, предназначенные для использования прежде всего в камерах наблюдения и автомобильных видеорегистраторах.

Источник изображений: Kioxia

Представленные изделия соответствуют стандартам UHS-I, UHS Speed Class 3 (U3) и Video Speed Class 30 (V30). Они обеспечивают возможность непрерывной записи материалов 4К с разрешением 3840 × 2160 пикселей.

Ёмкость новинки составляет 512 Гбайт. Заявленная скорость чтения информации достигает 100 Мбайт/с, скорость записи — 85 Мбайт/с. На карту можно сохранить приблизительно 10,5 часа 4K-видео.

Диапазон рабочих температур простирается от минус 25 до плюс 85 градусов Цельсия. Изделию не страшны рентгеновское излучение, статическое электричество, а также влага. Размеры составляют 15,0 × 11,0 × 1,0 мм.

Нужно отметить, что в семейство карт Kioxia Exceria High Endurance входят и другие модели — вместимостью 32, 64, 128 и 256 Гбайт. Все они способны считывать данные со скоростью до 100 Мбайт/с. Скорость записи составляет соответственно до 30, 65, 65 и 85 Мбайт/с.

Японская компания Kioxia объявила о начале продаж первых в отрасли съёмных накопителей данных нового формата XFM Embedded and Removable Memory Device (XFMD). Внешне накопитель XFM похож на карту памяти SD, но по размеру это нечто среднее между картами miniSD и microSD. Новый вид накопителей должен стать заменой скоростным SSD для компактных устройств, но с возможностью простого и быстрого демонтажа.

Источник изображения: Kioxia

Стандарт XFMD был утверждён комитетом JEDEC в августе 2021 года. Тогда же компания Kioxia пообещала первой выпустить новые съёмные запоминающие устройства, а компания MediaTek сообщила о планах обеспечить соответствующую поддержку в чипсетах. Пока нам не известно об устройствах — AR- и VR-гарнитурах, смартфонах, ноутбуках, дронах и прочих компактных и мощных платформах, — которые готовы поддерживать накопители XFM. Однако вскоре таковые наверняка появятся.

Стандарт XFM, с одной стороны, призван стать альтернативой UFS-накопителям и, с другой стороны, заменой SSD в форм-факторе M.2. Накопители UFS известны своей компактностью и малым потреблением, но они несъёмные и требуют интеграции интерфейса в SoC. Накопители M.2 могут быть очень производительными, но они сравнительно большие и много потребляют. Новый вид съёмных накопителей в лице XFM предлагает возможность быстрой замены, компактный форм-фактор и высокую производительность, хотя, очевидно, по потреблению заметно обойдёт UFS-накопители.

Источник изображения: Kioxia

«Малый размер и низкий профиль (14 мм × 18 мм × 1,4 мм) форм-фактора JEDEC XFM DEVICE Ver.1.0 обеспечивает площадь основания 252 мм², оптимизируя пространство для установки сверхкомпактных хост-устройств без снижения производительности или удобства обслуживания. Благодаря минимизированной высоте форм-фактор XFMEXPRESS XT2 отлично подходит для тонких и лёгких ноутбуков и создаёт новые возможности дизайна для решений и систем следующего поколения», — сказано в пресс-релизе Kioxia.

В компании пока не раскрывают характеристики первых экземпляров накопителей XFM, однако поддержка двух линий шины PCIe 4.0 и спецификаций NVMe 1.4b обещает лучшую в отрасли производительность для компактных SSD. Ждём подробностей.