Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Micron выпустила первый SSD ёмкостью 245 Тбайт — Micron 6600 ION для центров обработки данных
05.05.2026 [22:06],
Николай Хижняк
Компания Micron Technology объявила о начале поставок твердотельного накопителя Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт, самого вместительного из доступных на рынке накопителей. Новинка предназначена для поддержки рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта, облачных вычислений, корпоративных и гипермасштабных приложений, включая хранилища данных следующего поколения для ИИ, а также облачные файловые и объектные хранилища. 
Источник изображений: Micron По словам производителя, для накопителей Micron 6600 ION E3.L ёмкостью 245 Тбайт требуется на 82 % меньше стоек по сравнению с развёртыванием на основе жёстких дисков. В основе накопителей используется фирменная флеш-память Micron G9 QLC NAND, «которая как минимум на одно поколение опережает любую конкурирующую память QLC, используемую в накопителях для центров обработки данных», заявляет компания.  Твердотельный накопитель Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт доступен в форм-факторах U.2 и E3.L. Один накопитель под нагрузкой потребляет до 30 Вт мощности, что вдвое меньше потребления HDD соответствующей ёмкости. Благодаря этому накопители Micron 6600 ION позволяют снизить стоимость эксплуатации, помогая сократить энергопотребление, потребности в охлаждении и выбросы углекислого газа — ключевые приоритеты для глобальных операторов в условиях растущего экологического и финансового давления. Ключевые особенности Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт на основе лабораторных тестов:
Micron также отмечает, что при масштабировании для установки жёстких дисков требуется в 1,9 раза больше энергии, чем для установки твердотельных накопителей Micron 6600 ION ёмкостью 245 Тбайт в расчёте на один эксабайт. Повышение энергоэффективности при масштабировании может привести к измеримым последствиям для устойчивого развития, таким как:
Японский производитель унитазов неожиданно заработал на буме ИИ и дефиците памяти
04.05.2026 [11:29],
Алексей Разин
Принято считать, что любой кризис порождает возможности, для японской компании Toto они в условиях дефицита микросхем памяти открылись на не самом очевидном направлении деятельности. Известная своей продвинутой сантехникой, Toto стала больше зарабатывать на поставках электростатических захватов, которые применяются при производстве памяти NAND. 
Источник изображения: Toto Об этом сообщило издание Financial Times, которое отметило, что в конце прошлой недели акции Toto выросли в цене на 18 % до пятилетнего максимума после того, как компания рассказала о достижении рекордной годовой прибыли и планах по расширению производства продуктов для полупроводниковой отрасли. Всего с начала текущего года акции японского производителя «умных унитазов» выросли в цене более чем на 46 %. В прошлом фискальном году, который завершился в марте, Toto нарастила выручку на полупроводниковом направлении на 34 %, именно этот вид бизнеса сформировал более половины годовой операционной прибыли компании, которая выросла на 11 % до $343 млн. В текущем году Toto рассчитывает увеличить выручку на полупроводниковом направлении на 27 %, но при этом будет вынужден инвестировать в расширение производства и сопутствующие исследования $191 млн. Бум ИИ с его возросшим спросом на память позволил японской компании Kioxia обойти по капитализации Sony. Производители различных химикатов, включая представителей косметической отрасли, также начали вкладывать средства в расширение бизнеса в условиях, когда бум ИИ способствует росту спроса на электронные компоненты. В случае с Toto толчок к развитию полупроводникового бизнеса дала компания Palliser, которая в феврале купила пакет акций японского производителя сантехники. К слову, на основном направлении бизнеса Toto столкнулась с проблемами получения сырья из-за конфликта на Ближнем Востоке. В середине апреля она была вынуждена прекратить приём заказов на ванны. Toto ожидает, что ситуация начнёт улучшаться с июля текущего года. Sandisk тоже оседлала ИИ-волну: выручка взлетела в 3,5 раза, а прибыль — почти в три
01.05.2026 [10:04],
Алексей Разин
Одним из способов борьбы с дефицитом чипов памяти производители считают заключение многолетних контрактов с клиентами, в которых оговариваются объёмы продукции, обязательные к выкупу. Компания Sandisk в ходе очередного квартального отчёта призналась, что уже заключила такие долгосрочные контракты на общую сумму $42 млрд. 
Источник изображения: Sandisk Динамика роста цен на NAND и высокий спрос на данный тип памяти привели к тому, что выручка Sandisk в прошлом квартале увеличилась в три с половиной раза — до $5,95 млрд, а последовательно она выросла на 97 %, превысив консенсус-прогноз LSEG ($4,7 млрд). Норма прибыли последовательно подскочила с 50,9 до 78,4 %, явно указывая на опережающий рост цен на продукцию компании. Год назад она вообще не превышала 22,5 %. Операционные расходы выросли, но всего на 16 % последовательно, тогда как операционная прибыль при этом увеличилась на 286 % — до $3,6 млрд. Год назад компания завершила третий фискальный квартал с операционными убытками в размере $1,88 млрд и чистыми убытками на сумму $1,93 млрд, поэтому нынешний прогресс для неё стал желанной компенсацией. Характерно, что сегмент ЦОД при этом не является главным источником выручки Sandisk: на него пришлось только $1,47 млрд из общей выручки $5,95 млрд. Зато выручка на серверном направлении выросла в 3,33 раза последовательно и в семь с половиной раз год к году. Основную часть выручки Sandisk в минувшем фискальном квартале обеспечил сегмент периферийных вычислений: выручка увеличилась в четыре раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года — до $3,66 млрд. Потребительский сегмент хоть и прибавил 44 % в годовом сравнении — до $820 млн, последовательно продемонстрировал снижение на 10 %. В текущем квартале Sandisk рассчитывает выручить от $7,75 до $8,25 млрд. На выкуп акций решено направить $6 млрд. Как пояснило руководство компании, только три долгосрочных контракта на период от одного до пяти лет, заключённые в прошлом квартале, обеспечат компании совокупную выручку в размере $42 млрд, а в текущем квартале она заключила ещё два таких крупных контракта. Компания ставит перед собой цель минимизировать цикличность цен на рынке NAND и обеспечить более предсказуемую и стабильную экономическую модель. Наученная горьким опытом прошлых лет, Sandisk прописала в долгосрочных контрактах условия, которые определяют нижний и верхний пределы цен, а также накладывают на покупателей обязательства, не позволяющие им отказаться от условий контракта без выплаты поставщику причитающейся суммы. DDR4 подешевела на спотовом рынке, но покупают её всё равно неохотно
29.04.2026 [13:09],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта приучил всех к мысли, что цены на память постоянно растут, и на рынке наблюдается нехватка предложения. Между тем, статистика предыдущих семи дней, приводимая TrendForce, говорит о снижении спроса на микросхемы DDR4 даже при условии снижения цен на память этого типа на рынке моментальных сделок. 
Источник изображения: Micron Technology По данным источника, по сравнению с прошлой неделей цены на DDR4 успели снизиться на величину от 1 до 5,8 %, но это не помогло оживить покупательскую активность. Запросы по ценам поступают от покупателей регулярно, но к реальным покупкам они чаще всего не приводят. В сегменте DDR5 интерес покупателей выше, но и его нельзя назвать стабильным. За прошедшие семь дней спот-цены на DDR5 колебались возле существующих отметок и не сопровождались существенным всплеском покупательской активности, по данным TrendForce. В целом сегмент DRAM склонен демонстрировать тенденцию к снижению цен на спот-рынке: в среднем с $32,8 до $32,5 за DDR4-3200 в конфигурации 1G×8, но динамику нельзя назвать сильно выраженной. 
Источник изображения: TrendForce Зато спот-цены на NAND продолжают снижаться на протяжении последнего месяца, в совокупности опустившись за это время на 30–40 %. На прежних уровнях находилось не так много желающих покупать твердотельную память на рынке моментальных сделок. Некоторые продавцы, стремясь пополнить оборотные средства, стали снижать цены на память, но закрепившаяся тенденция сформировала у потенциальных покупателей ожидания дальнейшего снижения цен, поэтому покупать NAND никто в итоге не торопился. С прошлой недели цены в сегменте NAND на рынке моментальных сделок опустились на 1,82 % до $20,59 за 512-Гбит чип TLC. Дешевела память eMMC и карты памяти microSD, а вот чипы SLC и MLC подорожали на 3,68 % и 8,45 % соответственно. 3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
23.04.2026 [22:17],
Геннадий Детинич
Стековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов. 
Источник изображений: NEO Semiconductor О создании образца 3D X-DRAM в рамках доказательства концепции сообщила молодая американская компания NEO Semiconductor. Год назад она безуспешно искала поддержки среди производителей памяти, а сегодня у неё нет отбоя от инвесторов и заказчиков. Руководство компании утверждает, что ведутся интенсивные переговоры с рядом ведущих производителей памяти и это ускорит появление стековой ОЗУ. Важным моментом в деятельности NEO Semiconductor стало привлечение на свою сторону такого инвестора, как Стэн Ши (Stan Shih). В мире электроники это человек-легенда. Сейчас ему 81 год. В своё время он основал компанию Acer и около 20 лет возглавлял компанию TSMC. Также значимым стало сотрудничество с высшими учебными заведениями Тайваня — Национальным университетом Янмин Цзяотун (NYCU) и его подразделением — Школой инноваций в сфере взаимодействия промышленности и академических кругов (Industry-Academia Innovation School, IAIS). Образец также был изготовлен на Тайване — в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников (National Institutes of Applied Research — Taiwan Semiconductor Research Institute, NIAR-TSRI). Вероятно, тестирование и измерение характеристик образца также были проведены в стенах NIAR-TSRI. В компании сообщают, что задержка чтения/записи составила менее 10 нс, время регенерации при 85 °C — более 1 секунды (в 15 раз лучше, чем в стандарте JEDEC — 64 мс), устойчивость к износу достигла 10¹⁴. Помехоустойчивость также была на высоком уровне. «Я рад, что благодаря тесному партнёрству между промышленностью и научными кругами удалось подтвердить осуществимость концепции 3D DRAM от NEO в реальных условиях кремниевого производства, — сказал Джек Сан (Jack Sun), старший вице-президент Нью-Йоркского университета и декан Института прикладных исследований в области науки и технологий, а также бывший технический директор TSMC. — Успешная проверка концепции не только демонстрирует потенциал инновационных архитектур памяти, но и подтверждает возможность внедрения передовых технологий памяти с использованием отработанных процессов».  По замыслу разработчиков NEO Semiconductor, стековая компоновка памяти DRAM и чрезвычайно широкая шина данных — порядка 32 000 бит — позволят создавать оперативную память с плотностью записи 512 Гбит на кристалл и пропускной способностью в 16 раз выше, чем у современной памяти HBM. Развитие стандарта HBM не предполагает появления ничего подобного раньше середины нынешнего века, тогда как NEO Semiconductor готова представить оперативную память с такими характеристиками в обозримом будущем. Kioxia представила быстрый твердотельный накопитель EG7 на основе 218-слойной 3D QLC NAND
21.04.2026 [19:42],
Сергей Сурабекянц
Образец накопителя Kioxia BG7 на основе 218-слойной памяти 3D NAND TLC был представлен в январе. Устройства ёмкостью от 256 до 2028 Гбайт обеспечивали скорости чтения до 7 Гбайт/с и записи до 6 Гбайт/с, а также производительность до 1 млн IOPS. Представленный сегодня EG7 предлагает практически идентичную ёмкость и производительность, но использует 218-слойную флеш-память QLC. 
Источник изображения: Kioxia BG7 и EG7 — это накопители стандарта PCIe 4.0, выпускаемые в форматах M.2 2230, 2242 и 2280. Они используют архитектуру без выделенного DRAM-буфера. По сути, EG7 — это версия BG7 с QLC-памятью. Официальные данные о ресурсе EG7 пока не опубликованы. Kioxia заявляет о поддержке SED (самошифрования) в соответствии со спецификацией TGC Opal v2.02. В настоящее время накопитель проходит тестирование у некоторых OEM-производителей ПК. Поставки EG7 должны начаться в этом квартале. «Технология QLC продолжает расширять возможности клиентских накопителей, обеспечивая привлекательную ценность без ущерба для пользовательского опыта. С серией EG7 мы позволяем производителям ПК предлагать производительные и энергоэффективные накопители для более широкого спектра систем по более доступной цене», — прокомментировал анонс накопителя директор по продажам и генеральный менеджер подразделения SSD компании Kioxia America Невилл Ичхапория (Neville Ichhaporia). Компания SK hynix недавно анонсировала свой похожий накопитель PQC21 с 321-слойной 3D NAND-памятью QLC и интерфейсом PCIe 4.0. Он доступен только в формате M.2230, с ёмкостью 1 и 2 Тбайт, и предназначен для ПК с искусственным интеллектом. SK hHynix оснастила его SLC-кэшем для увеличения скорости записи. Фактические данные о производительности пока не опубликованы, поэтому прямое сравнение с EG7 невозможно. Китай разгоняет производство памяти: YMTC построит ещё два завода по выпуску NAND
14.04.2026 [12:38],
Алексей Разин
Внутренний китайский рынок предоставлять большие возможности для сбыта продукции, чем и пользуются его участники. Тем не менее, с точки зрения бурного развития инфраструктуры искусственного интеллекта китайский рынок подчиняется тем же тенденциям, что и мировой. YMTC готова построить в Китае ещё два завода по выпуску памяти, предвкушая сохранение высокого спроса на этот вид компонентов. 
Источник изображения: YMTC Как отмечает Reuters, крупнейший в Китае производитель памяти типа NAND уже почти достроил новое предприятие, поэтому вместе с двумя будущими их общее количество вырастет до трёх штук. Если все они будут введены в строй, это позволит YMTC более чем удвоить объёмы производства памяти. В случае с китайскими производителями полупроводниковых компонентов всё усугубляется тем, что власти страны заинтересованы в импортозамещении, поэтому темпы развития местной полупроводниковой отрасли определяются не только общемировыми тенденциями. Три новых предприятия, с учётом уже строящегося, смогут при выходе на проектную мощность ежемесячно обрабатывать по 100 000 кремниевых пластин. Сейчас YMTC располагает двумя фабриками, способными ежемесячно обрабатывать по 200 000 кремниевых пластин. По всей видимости, оснащение новых предприятий необходимым оборудованием для YMTC в условиях американских санкций будет не столь простой задачей, но для выпуска памяти не требуется передовая литография, на которую направлена основная часть американских экспортных ограничений. Строящееся в Ухане предприятие YMTC к концу 2027 года должно выйти на обработку 50 000 кремниевых пластин в месяц, а в эксплуатацию будет введено до конца этого года. Здание уже возведено, сейчас происходит монтаж оборудования, причём более половины из требуемого ассортимента поставляется китайскими производителями. Фактически, YMTC может выпускать даже память типа HBM, используя оборудование китайского происхождения. Под санкциями США сама YMTC находится с декабря 2022 года. Где и когда появятся два новых предприятия компании, Reuters узнать не удалось. На мировом рынке YMTC формально занимает 11,8 % сегмента NAND, но по факту её продукция слабо представлена за пределами Китая. К началу следующего года доля YMTC на мировом рынке NAND может превысить 14 %, по прогнозам UBS. Часть новых мощностей компания выделит под выпуск DRAM — по крайней мере, она уже снабжает клиентов образцами какой-то LPDDR, и надеется получить от них обратную связь до конца текущего года. SK hynix начала поставки первых SSD на основе 321-слойной памяти 3D QLC NAND
08.04.2026 [12:26],
Алексей Разин
Плотность хранения данных в памяти типа 3D NAND определяется количеством слоёв, поэтому его увеличение позволяет создавать компактные и при этом ёмкие накопители. Компания SK hynix заявила о начале поставок своего первого продукта на базе 321-слойной памяти 3D QLC NAND — накопителя PQC21, который будет предлагаться в вариантах ёмкостью 1 или 2 Тбайт соответственно. 
Источник изображения: SK hynix За скорость чтения и записи дополнительно отвечает технология кеширования данных SLC, которая часть ячеек микросхемы использует в одноимённом режиме. Первично наиболее часто используемые данные записываются в режиме SLC, и только потом конвертируются в исходный формат. Это позволяет значительно увеличить скорость записи данных, как утверждает SK hynix. Уже в этом месяце производитель начнёт снабжать своими накопителями PQC21 компанию Dell Technologies, которая намеревается использовать их в своих ПК. Постепенно перечень клиентов SK hynix на этом направлении будет расширяться. В пресс-релизе SK hynix приводится прогноз IDC, согласно которому доля памяти QLC NAND в сегменте накопителей cSSD вырастет с 22 % в 2025 году до 61 % в 2027 году. Xiaomi рассказала, насколько на самом деле смартфоны стали дороже из-за кризиса памяти
03.04.2026 [17:11],
Николай Хижняк
Компания Xiaomi впервые прокомментировала конкретное влияние кризиса на рынке памяти DRAM, раскрыв масштабы воздействия роста стоимости оперативной и флеш-памяти на себестоимость производства смартфонов. 
Источник изображения: Xiaomi Лу Вэйбин (Lu Weibing), президент подразделения смартфонов Xiaomi, сделал неожиданно конкретное заявление в китайской социальной сети Weibo о последствиях кризиса DRAM. Согласно этому заявлению, производство смартфонов с 12 Гбайт оперативной и 512 Гбайт флеш-памяти обходится компании на 1500 юаней ($220) дороже, чем в первом квартале 2025 года, а это значит, что такие смартфоны, как Xiaomi Redmi Note 15 Pro+, компании приходится продавать по значительно более высокой цене. Ещё более резким оказалось повышение цен на модели с 16 Гбайт оперативной и 1 Тбайт постоянной памяти, хотя Лу Вэйбин не привёл точных цифр для этой конфигурации. По его словам, цены на флеш-память выросли даже больше, чем ожидал технологический гигант, поэтому компания повысит рекомендованную розничную цену смартфонов Redmi K90 Pro Max, Redmi Turbo 5 и Redmi Turbo 5 Max в Китае с 11 апреля на 200 юаней (около $30). Заявлений об аналогичном повышении цен на мировом рынке от компании пока не было, но большинство моделей смартфонов Xiaomi и так продаются значительно дороже на международном рынке, поэтому у компании будет больше возможностей для смягчения последствий кризиса DRAM. Лу Вэйбин подчеркнул, что цены на смартфоны снова снизятся, как только цены на память начнут падать. В настоящее время невозможно предсказать, когда закончится кризис памяти DRAM. Некоторые аналитики ожидают снижения цен с 2028 года, некоторые поставщики опасаются, что дефицит памяти продлится до 2030 года. Дальнейшая динамика цен на DRAM и NAND в ближайшие месяцы будет зависеть, с одной стороны, от расширения производственных мощностей, а с другой — от спроса со стороны таких гигантов в области искусственного интеллекта, как OpenAI, которые в значительной степени ответственны за кризис памяти. Конец 40-летней памяти: Kioxia прекратит выпуск планарной 2D NAND к 2028 году
31.03.2026 [22:39],
Николай Хижняк
Компания Kioxia уведомила своих клиентов о планах прекратить производство памяти 2D NAND и 3D NAND BiCS 3-го поколения, сообщает TechNews.tw. Примечательно, что Kioxia прекратит выпуск планарной памяти NAND — типа памяти, предшествовавшего 3D NAND и выпускавшегося с 80-х годов. 
Источник изображения: Toshiba Kioxia заявила о прекращении выпуска широкого спектра устаревших продуктов NAND, включая планарную NAND с плавающим затвором, построенную по 32-нм (SLC, выпускалась с 2009 года), 24-нм (MLC, выпускалась с 2010 года) и 15-нм (MLC и TLC, выпускались с 2014 года) техпроцессам, а также ранние поколения 64-слойной 3D NAND BiCS3 (выпущенные примерно в 2017 году). Поэтапный вывод из эксплуатации охватывает все основные типы ячеек — SLC, MLC и TLC — и практически все форматы, включая необработанные пластины и упакованные решения, такие как BGA, TSOP, eMMC, UFS и SD-карты, что указывает на полный отказ от устаревших технологических платформ, а не от отдельных товарных позиций. Свёртывание производства происходит по стандартному многолетнему графику прекращения выпуска: заказы на последнюю закупку будут приниматься до 30 сентября 2026 года, а окончательные поставки запланированы до 31 декабря 2028 года. После этого указанные продукты будут полностью сняты с производства, что ознаменует уход Kioxia от устаревшей планарной NAND-памяти и ранних поколений BiCS в пользу более совершенных 3D NAND-технологий. Как отмечает Tom’s Hardware, прекращение компанией Kioxia производства 2D NAND также ознаменует конец планарной памяти NAND в целом, что является значительным событием для отрасли. Этот тип памяти впервые поступил в производство на заводе Toshiba примерно в 1987 году и будет снят с производства её преемником Kioxia в 2028 году, 41 год спустя. В настоящее время 2D NAND в основном используется в устаревших устройствах, например, в автомобильной промышленности, бытовой электронике, встраиваемых и промышленных системах, а также в некоторых специализированных устройствах хранения данных с увеличенным сроком службы. Хотя цены на устаревшие типы памяти обычно фиксируются для обеспечения экономической целесообразности производства для производителя и покупателей, для Kioxia вряд ли имеет смысл сохранять производственные мощности по выпуску 2D NAND на фоне стремительно растущего спроса со стороны сектора искусственного интеллекта. Котировки акций производителей DRAM стабилизировались после первичного влияния TurboQuant
29.03.2026 [08:24],
Алексей Разин
На этой неделе Google представила метод сжатия данных TurboQuant при работе с ИИ, который позволяет снизить потребность моделей в памяти в шесть раз без потери точности. Данный прорыв вызвал падение курсов акций крупных производителей памяти, но после более глубокого анализа ситуации котировки выборочно отыграли потери. 
Источник изображения: Samsung Electronics Данный метод сжатия данных, как поясняют эксперты, в большей мере влияет на потребность разработчиков ИИ в памяти типа NAND, поэтому производители микросхем прочих типов могут не переживать по поводу снижения спроса. Например, курсы акций Samsung и SK hynix, которые остаются крупнейшими производителями HBM, свои первоначальные потери отыграли. Поставщики DRAM в целом могут не переживать по поводу влияния метода TurboQuant на отрасль, чего нельзя сказать о производителях NAND. К концу рабочей недели акции Samsung отыграли ранние потери, тогда как ценные бумаги SK hynix сохранили разрыв в 1 % относительно курсовой стоимости по состоянию на четверг. Зато акции Sandisk и Kioxia, которые специализируются на выпуске NAND, продолжили своё падение. При этом следует учитывать, что с августа прошлого года первые подорожали более чем в десять раз, а вторые — более чем на 600 %. По оценкам специалистов Morgan Stanley, внедрение TurboQuant почти не угрожает производителям HBM, оно способно оказать влияние разве что на сегмент NAND. Данный метод сжатия применяется при инференсе, а не обучении языковых моделей, которое подразумевает активное использование GPU с установленной памятью типа HBM. По некоторым оценкам, внедрение TurboQuant всё равно не окажет долгосрочного влияния на рынок микросхем памяти, и наблюдаемая коррекция является краткосрочной. Тем не менее, эволюция отрасли может сформировать разные условия для работы производителей различных типов памяти, как отмечают эксперты. Samsung и SK hynix вложили в расширение производства памяти в Китае почти $1 млрд за прошлый год
27.03.2026 [14:42],
Алексей Разин
Ещё при президенте Байдене власти США пытались ограничить способность южнокорейских производителей памяти модернизировать и расширять свои предприятия на территории Китая, которые выдают основной объём продукции для мирового рынка. Тем не менее, Samsung и SK hynix умудрились сохранить доступ к американскому оборудованию для выпуска памяти, одновременно вкладываясь в модернизацию производства в Китае. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, как отмечает Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics на модернизацию своего предприятия в китайском Сиане потратила $344 млн, что на 67,5 % больше затрат предыдущего года. Данное предприятие является единственной зарубежной площадкой Samsung по выпуску микросхем памяти NAND, причём оно обеспечивает до 40 % объёмов производства продукции для мирового рынка. Надо сказать, что инвестиции в китайский завод Samsung не были регулярными, после вложения $464 млн в 2019 году она на протяжении четырёх лет не подпитывала его существенными финансовыми ресурсами. В 2024 году компания направила на поддержку предприятия $184 млн, а в прошлом году увеличила сумму сразу на 67,5 %. Конкурирующая SK hynix в свои китайские предприятия по итогам прошлого года вложила более $663 млн, поскольку в Уси она располагает заводом по производству DRAM, а в Даляне ей от Intel досталась фабрика по производству 3D NAND. Первая из площадок в прошлом году удостоилась удвоенных инвестиций в размере $190 млн, а вторая получила $293 млн, что в полтора раза больше инвестиций 2024 года. Впервые с 2022 года, когда SK hynix купила у Intel предприятие в Даляне, этой компании пришлось вкладывать в свою китайскую производственную базу более $660 млн. В южнокорейской национальной валюте данная сумма составляет психологически важное значение в 1 трлн вон. В условиях бума ИИ память стала дефицитным товаром, поэтому доминирующие на рынке южнокорейские компании активно наращивают её выпуск. Samsung собирается наладить выпуск в Китае более прогрессивной 236-слойной памяти 3D NAND вместо прежней 128-слойной. Если учесть, что у себя на родине Samsung в этом году собирается наладить выпуск 400-слойной памяти, то отстающая на пару шагов 236-слойная вполне может прописаться в Китае с учётом политики сдерживания технологического развития этой страны. Предприятие SK hynix по производству DRAM в Уси также перейдёт с третьего на четвёртое поколение 10-нм техпроцесса (1a), это позволит выгодно производить здесь микросхемы DDR5. Данное предприятие в Китае обеспечивает более 30 % объёмов выпуска DRAM компании в мировом масштабе. Micron сейчас способна покрывать спрос на память от силы на две трети от требуемого уровня
22.03.2026 [08:07],
Алексей Разин
Недавние заявления руководства Micron Technology о намерениях увеличить капитальные затраты ради более полного удовлетворения спроса на память вызвали снижение курса акций компании. Тем не менее, генеральный директор Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) подчёркивает, что нынешние объёмы выпуска позволяют Micron покрывать лишь от 50 до 67 % спроса, а потому проблему дефицита решить не позволят. 
Источник изображения: Micron Technology Чтобы покрыть растущий спрос, Micron должна будет серьёзно потратиться на расширение производства, как подчеркнул глава компании. «Мы способны обеспечивать наших ключевых клиентов в среднесрочной перспективе лишь от 50 % до двух третей их потребности», — заявил Мехротра в интервью CNBC. По прогнозам руководства Micron, до конца текущего года на рынке сохранится дефицит как DRAM, так и NAND, причём и в следующем году такое положение дел будет актуально. Разрыв между спросом и предложением на рынке памяти глава Micron назвал «беспрецедентным». Выпуск DRAM для производителей сейчас является более выгодным бизнесом, поэтому доступные для производства NAND ресурсы перераспределяются в пользу первого типа памяти. Это вызывает дефицит и рост цен на твердотельную память. Кроме того, в сегменте DRAM основные объёмы продукции уходят на серверный рынок, в результате страдают сегмент ПК и смартфонов. Ещё одним следствием дефицита DRAM становится ускорение износа твердотельных накопителей (SSD), которые активнее используются для размещения файлов подкачки. Эти накопители тоже дорожают из-за роста цен на NAND. Для китайских производителей памяти сложившиеся условия представляют определённый шанс для выхода на международный рынок, но только не в тех случаях, когда поставки китайской памяти упираются в запреты со стороны США. Ведущие китайские производители памяти в лице YMTC и CXMT недавно исчезли из санкционного списка Пентагона, но могут вернуться в него после внесения изменений в профильные документы. Американским производителям электроники данная неопределённость в условиях дефицита памяти точно не добавит уверенности в будущем. Цены на память теперь меняются каждый час — мелких производителей фактически отрезали от закупок
04.03.2026 [12:37],
Алексей Разин
Рынок спотовых сделок в сегменте микросхем памяти, как отмечает Tom’s Hardware со ссылкой на DigiTimes, перешёл к пересмотру цен буквально каждый час, и мелким производителям электроники просто не остаётся на нём места. Ограниченный объём памяти распределяется неравномерно между примерно 100 крупными покупателями и более чем 190 000 небольшими компаниями, которые в таких условиях просто не могут приобретать её. 
Источник изображения: Micron Technology Как поясняют тайваньские источники, облачные гиганты, крупные автопроизводители и игроки рынка смартфонов вроде Apple или Samsung менее чувствительны к росту цен на память, а поставщики к тому же больше дорожат отношениями с такими клиентами. Поэтому мелкие заказчики гораздо сильнее страдают от подорожания памяти и её дефицита. Делать предоплату за поставку памяти по нынешним ценам способны не все производители электроники, поэтому небольшие компании буквально вымываются с рынка. Пережить повышение цен на память многие компании пытаются со второй половины прошлого года. По текущим ценам покупать память могут не все участники рынка, поэтому они сокращают объёмы производства собственной продукции и переводят бизнес в режим выживания. Формально уход с рынка мелких покупателей снижает общий спрос на память, но пока ситуация далека от перевеса в сторону избытка предложения. Как ожидает TrendForce, в текущем квартале контрактные цены на DRAM последовательно вырастут почти вдвое, а NAND подорожает минимум в полтора раза. Во втором квартале цены на DRAM увеличатся ещё на 70 %, а специалисты IDC ожидают, что дефицит памяти сохранится до 2027 года включительно. Затраты производителей ПК и смартфонов на закупку памяти также растут: эксперты прогнозируют, что рынок смартфонов по итогам текущего года сократится на 13–31 %. На рынке ПК сложнее всего придётся небольшим производителям, которые не смогут закупать память на более выгодных по сравнению с крупными конкурентами условиях. Lenovo установила дедлайн для заказов по старым ценам — дальше из-за дефицита памяти будет рост
21.02.2026 [22:58],
Анжелла Марина
Компания Lenovo официально уведомила своих партнёров о вынужденном повышении цен на ряд конфигураций для ПК и серверов. Причиной пересмотра прайс-листа стал глобальный рост стоимости памяти DRAM и 3D NAND, который уже заставил скорректировать политику таких гигантов, как Cisco и HPE. 
Источник изображения: Lenovo По сообщению Tom's Hardware, руководитель канала в Северной Америке Уэйд Макфарланд (Wade McFarland) в письме от 2 февраля объяснил это решение дефицитом и ростом стоимости памяти DRAM и 3D NAND. Изменения затрагивают как ключевое подразделение Lenovo — Intelligent Devices Group (IDG), отвечающее за разработку и производство потребительской и корпоративной электроники, в частности смартфонов и ноутбуков ThinkPad, так и подразделение Infrastructure Solutions Group (ISG), специализирующееся на создании умных ИТ-инфраструктур для организаций различного масштаба. Для сохранения текущих цен на коммерческие продукты подразделение IDG установило строгие временные рамки: партнёры обязаны разместить заказы у дистрибьюторов до 25 февраля и обеспечить их поступление в Lenovo не позднее 28 февраля. Производитель в этом случае гарантирует сохранение стоимости при наличии товара и соблюдении графиков поставок. Однако в письме содержится важное условие о пересмотре цен для любых заказов, которые будут приняты вовремя, но не отгружены до 31 марта 2026 года. В серверном сегменте ISG компания сократила срок действия коммерческих предложений до 14 дней во внутренней системе и до 30 дней на внешней платформе. Кроме того, 26 января была приостановлена программа бонусов за привлечение новых клиентов, так как предоставление авансовых скидок стало экономически невыгодным. Реакция партнёров на нововведения оказалась неоднозначной. Кэмден Хейли (Camden Haley) из компании Connection положительно оценил действия Lenovo за предоставление чётких сроков и соблюдение графика коммуникации. Он противопоставил этот подход действиям других OEM-производителей, которые часто меняли правила игры задним числом. В то же время руководитель другой партнёрской компании на условиях анонимности выразил обеспокоенность новыми условиями отгрузки. Признавая объективные сложности текущей рыночной ситуации, он отмечает, что требование отгрузки до определённой даты фактически даёт Lenovo право пересчитывать стоимость уже размещённых заказов в случае задержек поставок. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
