Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix потратит $38 млрд на расширение производства памяти в Южной Корее
07.08.2026 [12:19],
Алексей Разин
Компания SK hynix на этой неделе заявила о намерениях потратить $38 млрд на два проекта по расширению производства микросхем памяти на территории Южной Кореи: предприятие в Йонъине сосредоточится на выпуске DRAM, а фабрика в Чхонджу наладит выпуск NAND. Указанная сумма распределится между ними в соотношении «2:1». 
Источник изображения: SK hynix По словам представителей SK hynix, эти действия направлены на удовлетворение растущего спроса на память в сегменте ИИ. Сейчас производственные квоты SK hynix на выпуск памяти распределены до конца 2027 года, компания всё чаще прибегает к оформлению долгосрочных контрактов с клиентами, в рамках которых те осуществляют крупные авансовые платежи в счёт будущих поставок чипов памяти. Проекты SK hynix по строительству новых предприятий в Южной Корее были одобрены советом директоров компании. В Йонъине на указанные средства будет возведена вторая очередь из четырёх предприятий по выпуску DRAM. Строительство начнётся в июле следующего года, а первые линии по выпуску DRAM и HBM начнут выдавать серийную продукцию на этой площадке в июне 2029 года. В Йонъине уже строится первое предприятие нового комплекса, которое начнёт свою работу в феврале 2027 года. В Чхонджу будет построено предприятие M17, которое сосредоточится на выпуске микросхем NAND, которые будут использоваться как в персональных ПК, так и в серверном сегменте. Строительство начнётся феврале следующего года, а первая производственная линия начнёт свою работу в декабре 2028 года. Правительство Южной Кореи осознаёт важность производства памяти для национальной экономики, а потому вовлекло SK hynix и конкурирующую Samsung Electronics в долгосрочную программу развития полупроводниковой отрасли. За пять лет на национальном уровне планируется удвоить производственные мощности по выпуску памяти. Южная Корея намеревается сохранить за собой лидирующие позиции в производстве памяти. Под нажимом инвесторов SK hynix также заявила на этой неделе, что собирается обнародовать свой план по возврату капитала инвесторам до конца текущего квартала, и акции компании после этого отыграли часть падения, которое достигало 4,9 %. Акционеры производителей памяти рассчитывают, что получать часть сверхприбылей, которые компании демонстрируют в условиях бума ИИ и резкого роста цен на память. Квартальная выручка Sandisk выросла почти в пять раз до $8,97 млрд
06.08.2026 [07:18],
Алексей Разин
Динамика цен на NAND благоприятно сказывается на деятельности производителей как памяти этого типа, так и готовых накопителей. Sandisk сообщила, что её совокупная выручка в прошлом квартале выросла на 372 % в годовом сравнении до $8,97 млрд, а последовательно она увеличилась на 51 %. При этом серверный сегмент увеличил свою долю в структурах поставок с 12 до 38 %, а сама профильная выручка удвоилась до $2,98 млрд. 
Источник изображений: Sandisk Если рассматривать весь 2026 фискальный год, который в календаре Sandisk уже завершился, то выручка компании на серверном направлении выросла на 437 % до $5,2 млрд. Компания сейчас сосредоточена на поставках твердотельных накопителей корпоративного класса на базе памяти типа TLC. Это самый быстрорастущий источник выручки Sandisk, что легко объяснить спросом на компоненты для инфраструктуры искусственного интеллекта. В следующем году доля серверной выручки на рынке SSD, по прогнозам Sandisk, значительно превысит 50 %. В прошлом квартале на этот сегмент пришлась треть всей выручки компании.  Решения для периферийных вычислений, которые включают мобильные устройства, ПК и робототехнику, в прошлом квартале увеличили выручку Sandisk на 392 % до $5,4 млрд, последовательно она выросла на 48 %. По итогам всего прошедшего фискального года профильная выручка почти утроилась до $12,2 млрд. При этом руководство компании отмечает, что сейчас рынок ПК и смартфонов переживает коррекцию спроса на фоне резкого роста цен на память. В следующем году оба сегмента должны вернуться к росту, по мнению представителей Sandisk. На сегмент потребительской электроники пришлось только $556 млн выручки в прошлом квартале, что на 32 % ниже результатов предыдущего квартала, а годовое снижение достигло 5 %. В любом случае, по итогам минувшего фискального года сегмент продемонстрировал рост выручки на 29 % до $2,94 млрд. По итогам текущего года, как считают в Sandisk, общая ёмкость рынка NAND превысит $300 млрд, утроившись по сравнению с 2025 календарным годом, а в следующем году ёмкость рынка вырастет до $500 млрд. В то же время, компания не ожидает, что сможет в 2027 календарном году удовлетворять спрос на свою продукцию в полной мере. Примечательно, что норма прибыли Sandisk по итогам четвёртого квартала 2026 фискального года выросла в годовом сравнении с 26,4 до 84,6 %. Это говорит о том, что цены на NAND росли быстрее, чем увеличивались объёмы поставок продукции. Операционные расходы при этом выросли всего на 20 % до $484 млн. В текущем квартале Sandisk рассчитывает выручить от $10,3 до $10,8 млрд, демонстрируя сохранение тенденции к росту выручки. Samsung анонсировала память zHBM и zNAND-O, показала LPDDR5X-PIM и V10 BV-NAND
05.08.2026 [08:31],
Алексей Разин
Производители памяти уже смотрят в более далёкое будущее, в котором у прирастающей числовыми индексами HBM появятся более прогрессивные преемники. Компания Samsung Electronics собирается продвигать память типа zHBM, которая обещает обладать в восемь раз более высоким быстродействием по сравнению с HBM5. При этом плотность хранения данных окажется более чем в 10 раз выше. 
Источник изображения: Samsung Electronics Энергетическая эффективность zHBM будет в три раза превосходить HBM5, а тепловое сопротивление сократится более чем в два раза. Секрет высокого быстродействия и высокой энергетической эффективности zHBM кроется в технологии объединения нескольких кремниевых пластин, которая позволяет реализовать десятки тысяч каналов передачи информации в одном стеке. Ещё одно преимущество zHBM заключается в способности монтажа стека памяти непосредственно на графический процессор (GPU). В современной компоновке память HBM разных поколений располагается на одной подложке с GPU в горизонтальной плоскости. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию кастомной логики в стек памяти по запросу конкретного клиента. Непосредственно HBM5, по оценкам Samsung, должна удвоить пропускную способность относительно HBM4E, но при этом снизить тепловое сопротивление на 20 % благодаря использованию прогрессивной технологии терморегулирования. Для сегмента ИИ-вычислений предназначена и память типа zNAND-O, которая базируется на V-NAND. Она устроена таким образом, чтобы минимизировать задержки при передаче данных между соседними компонентами вычислительных систем. Впервые Samsung представила концепцию Z-NAND в 2025 году, пообещав увеличение производительности в 15 раз и сокращение энергопотребления на 80 %. По предварительным оценкам, Z-NAND будет до четырёх раз дороже обычной TLC NAND. В одном стеке будут объединяться до четырёх или восьми слоёв памяти. Попутно на мероприятии FMS 2026 в Калифорнии Samsung Electronics рассказала о твердотельной памяти V10 BV-NAND с количеством слоёв более 400 штук, которая использует новую технологию формирования межслойных соединений. Впервые о технологии V-NAND компания поведала 13 лет назад. По сравнению с поколением V9, память V10 BV-NAND обеспечивает увеличение плотности хранения данных на 58 %. Скорости чтения, записи и передачи информации по интерфейсу также увеличены по сравнению с памятью предыдущего поколения. Отмечается, что памятью типа V-NAND активно интересуется Nvidia, а в поколении V11 подобная память получит 500 слоёв. Samsung напомнила, что начала поставлять образцы HBM4E своим клиентам ещё в мае этого года, а также первой начала массово выпускать HBM4 с использованием 4-нм базового кристалла и DRAM 10-нм класса (1c). Память типа HBM5 была показана на FMS 2026 в виде модели. Заодно была продемонстрирована память типа LPDDR5X-PIM, которая позволяет часть вычислительных операций выполнять без передачи информации в центральный процессор. Помимо повышения скорости обработки данных, такое решение позволяет снизить энергопотребление. Kioxia начала тестовые поставки 230-слойной флеш-памяти BiCS 9-го поколения со скоростью до 4,8 Гбит/с
30.07.2026 [21:27],
Николай Хижняк
Компания Kioxia объявила о начале поставок заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной с использованием технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D девятого поколения. 
Источник изображения: Kioxia Данные чипы предназначены для использования в составе твердотельных накопителей для ПК и ноутбуков, а также смартфонов с поддержкой искусственного интеллекта, оснащённых накопителями малого и среднего объёма, где требуется высокая производительность. При производстве чипов памяти Kioxia использует технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS), одновременно развивая две отдельные линейки продуктов: память NAND девятого поколения, обеспечивающую высокую производительность при относительно низких инвестиционных затратах, и NAND десятого поколения, использующую передовые технологии многослойной компоновки для достижения высокой ёмкости и очень высокой производительности. Чипы памяти BiCS FLASH 3D TLC девятого поколения обладают 230 слоями и сочетают технологии BiCS FLASH восьмого поколения с передовой технологией CMOS, что позволяет им обеспечивать скорость интерфейса NAND на уровне 4,8 Гбит/с. Это на 33 % выше, чем у памяти NAND восьмого поколения, и соответствует производительности чипов памяти NAND десятого поколения. ИИ продолжит толкать вверх спрос на память в следующем году, но рынки DRAM и NAND будут вести себя по-разному
30.07.2026 [18:24],
Алексей Разин
Эксперты TrendForce разделяют мнение многих участников рынка, согласно которому спрос на микросхемы памяти в следующем году продолжит расти благодаря буму ИИ. Тем не менее, сегменты DRAM и NAND будут сильно различаться в своей динамике. В частности, примерно через год предложение твердотельной памяти значительно улучшится и появятся предпосылки для снижения цен. 
Источник изображения: SK hynix С другой стороны, в сегменте DRAM в следующем году будет сохраняться дефицит и тенденция к росту цен, как утверждают специалисты TrendForce. Это не значит, как поясняет источник, что производители DRAM не будут прилагать усилий к увеличению объёмов выпуска продукции, но в ближайшее время они сосредоточатся на оптимизации использования существующих мощностей, в том числе — благодаря переходу на более прогрессивные технологии. В случае же со строительством новых фабрик графики неизбежно растянутся до второй половины следующего года, как минимум. Тем самым, условия для появления новых мощностей по выпуску DRAM не возникнут до 2028 года. Высокий спрос на память типа HBM, к тому же, не позволит поставкам вырасти пропорционально увеличению количества обрабатываемых кремниевых пластин. Как известно, на выпуск одного чипа HBM уходит гораздо больше кремниевых кристаллов, чем в случае с планарной памятью DRAM. Соответственно, насыщение рынка оперативной памятью в целом будет происходить медленнее, чем это могло бы произойти в эпоху до появления высокого спроса на HBM. При этом и цены на DRAM не смогут замедлить свой рост в следующем году в той же степени, как это произойдёт в сегменте NAND. По оценкам TrendForce, объёмы поставок серверных систем в следующем году вырастут более чем на 17 %, которые должны быть продемонстрированы по итогам текущего года. Удельный объём HBM в одном сервере вырастет, этому будет способствовать и появление новых типов памяти вроде SOCAMM. Это также будет поддерживать спрос на DRAM на высоком уровне. Высокие цены на память будут подавлять спрос на ПК и смартфоны, поэтому в этих сегментах рынка в следующем году сохранится негативная динамика продаж. Если цены на память продолжат расти сопоставимыми с этим годом темпами, то доля расходов на её покупку в структуре капитальных затрат облачных гигантов вырастет, и это повлияет на спрос, а затем и создаст условия для некоторого снижения цен. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте NAND, как поясняет TrendForce, в текущем году объёмы выпуска увеличивались главным образом благодаря миграции на более прогрессивные технологии, а производственные площади не расширялись. Выпуск продукции для серверного сегмента оставался приоритетным видом деятельности. В следующем году предложение NAND начнёт расширяться активнее благодаря не только к переходу к выпуску памяти с большим количеством слоёв, но и благодаря появлению новых производственных мощностей. В серверном сегменте востребована память типа QLC, она же составит основную часть дополнительного объёма предложения в 2027 году. Сегмент потребительской электроники практически не имеет шансов на положительную динамику, поскольку высокие цены будут подавлять спрос, а ориентация на серверные SSD со стороны производителей будет способствовать сохранению дефицита. В отличие от сегмента DRAM, рынок NAND в следующем году имеет шансы перейти к состоянию, когда дефицит не будет столь сильно выраженным и даже может исчезнуть. Способствовать появлению дополнительного спроса может всплеск популярности агентских приложений в сфере ИИ, поскольку скоростные SSD в этом случае окажутся весьма востребованными. В серверный сегмент в следующем году будет направляться до 43,7 5 всей DRAM против 42,2 % в текущем, как прогнозирует TrendForce. Мобильный сегмент сократит свою долю с 33,6 до 33,4 %. Рынок ПК сможет претендовать от силы на 5,6 % всей DRAM, хотя ещё в этом году данный показатель достигал 7,4 %. Зато сегмент графических решений увеличит свою долю с 11,9 до 13,6 %. Потребительская электроника «сдуется» с 4,9 до 3,7 %. Доминирование серверного сегмента на рынке NAND будет выражено ещё сильнее, поскольку в следующем году он будет потреблять до 51,1 % всей флеш-памяти против 44,2 % в текущем. Мобильный сегмент ужмётся с 24,8 до 23,2 %, рынок ПК сможет претендовать на 11,5 % против нынешних 14,3 %, потребительская электроника сможет рассчитывать на сопоставимые доли. Игровым же консолям достанется от силы 1,6 % всей NAND в 2026 году в побитовом выражении. Для сравнения, в текущем году этот показатель достигнет 2,3 %, как считают в TrendForce. Даже утроившись до $55 млрд, квартальная выручка SK hynix оказалась ниже прогноза
29.07.2026 [04:54],
Алексей Разин
Если в сфере поставок логических компонентов главным выгодоприобретателем в условиях бума ИИ можно смело считать компанию Nvidia, то в сегменте микросхем памяти на этой тенденции последних лет больше всего заработала SK hynix. Это формирует завышенные ожидания аналитиков, которые по итогам второго квартала не оправдались даже с учётом утроения выручки. 
Источник изображения: SK hynix Как уточняет CNBC, по итогам второго квартала SK hynix выручила $54,55 млрд, что на 257 % больше итога аналогичного периода прошлого года, а операционная прибыль взлетела на 557 % и достигла $41,6 млрд. Последовательно выручка увеличилась на 51 %, а операционная прибыль выросла на 61 %. В любом случае, оба показателя оказались заметно ниже консенсус-прогноза аналитиков LSEG SmartEstimates. Более того, операционная прибыль во втором квартале достигла рекордной величины. Важен и другой рубеж — операционная прибыль SK hynix за первое полугодие впервые в истории компании превысила 100 трлн вон, что соответствует сумме около $69 млрд. К массовым поставкам HBM4 компания приступила во втором квартале, в текущем полугодии объёмы её выпуска будут наращиваться, в прошлом полугодии также были отгружены первые образцы HBM4E. На предприятиях SK hynix в Южной Корее 321-слойная NAND к концу года будет формировать около 50 % объёмов производства. SK hynix уже заключила около 10 долгосрочных контрактов на поставку памяти со своими клиентами, переговоры с дополнительными покупателями на эту тему продолжаются. По мнению некоторых аналитиков, конкурирующая Samsung Electronics цены на свою продукцию повышает более агрессивно, поэтому операционная прибыль SK hynix и не оправдала ожиданий рынка в минувшем квартале. К концу периода у SK hynix накопилось более $60 млрд свободных средств. Чистая прибыль компании во втором квартале выросла более чем в 13 раз до $64,5 млрд, но на две трети эта сумма определялась выгодой от инвестиций, поэтому напрямую об успешности бизнеса по производству памяти она не говорит. Скорее всего, SK hynix выручила крупную сумму от реализации своей доли в капитале конкурирующей Kioxia. По словам представителей SK hynix, в этом году компания потратит $27,5 млрд на строительство новых предприятий и расширение производства. TrendForce предсказала конец дефицита флеш-памяти во второй половине 2027 года
21.07.2026 [16:48],
Николай Хижняк
Аналитики TrendForce прогнозируют восстановление цепочек поставок флеш-памяти в 2027 году, что сделает её единственным сегментом рынка памяти, которая стабилизируется в краткосрочной перспективе. 
Источник изображения: SK hynix Хотя спрос на флеш-память NAND и все решения для хранения данных на базе SSD, как ожидается, останутся дефицитными до конца 2026 года, TrendForce считает, что ситуация нормализуется в 2027 году. Согласно оценке экспертов, дефицит предложения в первой половине будущего года составит около 4–6 % по сравнению с уровнем спроса до конца текущего года. Однако ожидается, что во второй половине будущего года на рынке будет восстановлен баланс спроса и предложения в цепочке поставок, а через год с текущего момента дефицит на чипы флеш-памяти NAND будет полностью побеждён. Достижение баланса спроса предложения обусловлено несколькими факторами. Во-первых, крайне важно увеличение производственных мощностей поставщиков памяти NAND Flash, таких как SK hynix, Micron, Samsung, YMTC и другие. Увеличение количества производимых ежемесячно кремниевых пластин, наряду с модернизацией технологических процессов, значительно повысит предложение, стабилизировав ситуацию на этом рынке после длительного периода неопределённости. Вторым фактором является постоянно слабый спрос со стороны потребителей, поскольку цены на потребительскую электронику так сильно выросли из-за дефицита DRAM и NAND Flash, что многие потребители предпочитают не покупать новое оборудование, избегая высоких наценок по сравнению с прошлым годом. В корпоративном секторе спрос на серверы будет продолжать расти, потребляя большую часть предложения NAND Flash. На серверы приходится около 40 % потребления чипов флеш-памяти, а на смартфоны и ноутбуки вместе взятые — более 40 %. 
Источник изображения: TrendForce Производители устройств хранения данных в США, Японии и Южной Корее модернизируют свои заводы умеренными темпами, избегая быстрого расширения. Значительная часть мирового производства NAND Flash будет обеспечиваться Китаем и компанией YMTC. Ожидается, что в этом году Китай увеличит свою глобальную долю производства NAND Flash почти до 19 %. Хотя это кажется значительным в глобальном масштабе, большая часть чипов китайского производства будет удовлетворять только внутренний спрос материкового Китая, и лишь малая часть продукции будет поставляться внешним поставщикам оборудования, например, компании Lenovo, чьи ноутбуки поставляются в Европу. Автомобили становятся новыми «пожирателями» памяти — в них уже встречается до 100 Гбайт DRAM и до 1,5 Тбайт SSD
17.07.2026 [14:04],
Алексей Разин
Пандемия ударила по автомобильному производству неожиданным образом, когда поставщикам транспортных средств перестало хватать простейших полупроводниковых чипов. Сейчас все мощности полупроводниковой отрасли работают на сферу ИИ, интересы рынков ПК и смартфонов обслуживаются в последнюю очередь, а тем же автомобилям в современных условиях требуется довольно много памяти. 
Источник изображения: BYD По данным TechNews, оборудование автопилота Tesla четвёртого поколения подразумевало использование 32 Гбайт памяти GDDR6/LPDDR, но выходящая в этом году версия 4+ уже удваивает этот объём до 64 Гбайт. Популярная среди автопроизводителей платформа Nvidia Orin также использует 32 или 64 Гбайт оперативной памяти. Казалось бы, это не так много, но только лишь DRAM потребности бортовой электроники автомобилей не ограничиваются. Если в начальных конфигурациях бортовые системы машины, включая развлекательную и отвечающие за помощь водителю в управлении, требуют до 40 Гбайт оперативной памяти, то в старших конфигурациях её объём может превышать 100 Гбайт. В случае с твердотельной памятью NAND, используемой для долговременного хранения информации, разбег требований ещё больше. Обновления ПО, которые поступают «по воздуху», для своего временного хранения требуют до 10 Гбайт дискового пространства в минимальном случае, а с учётом резерва можно говорить о всех 50 Гбайт. Для хранения большого количества изображений, используемых в работе систем автопилота, требуется от 100 до 300 Гбайт памяти. Попутно прогрессируют и мультимедийные системы автомобилей, некоторые из них берут на вооружение ИИ-ассистентов, что также поднимает требования к доступному дисковому пространству. Твердотельный накопитель современного автомобиля в этом случае должен обладать объёмом от 500 Гбайт до 1,5 Тбайт, и в будущем требования будут расти практически ежегодно. Антикризисные меры: производители массово адаптируют ПК и материнские платы к китайской памяти CXMT
07.07.2026 [11:58],
Алексей Разин
Как сообщалось накануне, компания MSI предусмотрела поддержку памяти DDR5-8000+ китайской марки CXMT для своих материнских плат с разъёмом AM5, подняв допустимые частоты эксплуатации. По информации Commercial Times, адаптация материнских плат тайваньских производителей под использование модулей памяти китайского происхождения в целом набирает обороты. 
Источник изображения: CXMT Прежде всего, данные меры объясняются дефицитом памяти на мировом рынке. Поставки китайских чипов за пределы КНР довольно ограничены по своим объёмам, но ситуация может измениться, если нехватка продукции традиционных поставщиков из США, Южной Кореи и Тайваня затянется до конца следующего года или даже дольше. По словам тайваньских источников, вслед за китайской Lenovo использовать китайскую память совместно со своей продукцией готовятся и тайваньские поставщики. К слову, ноутбуки Lenovo с SSD китайского происхождения уже предлагаются даже на рынке США, поскольку найти там сейчас модели ПК дешевле $1000 не представляется возможным. MSI провела оптимизацию своих материнских плат под модули памяти KingBank и Lexar, помимо уже упоминавшейся выше адаптации под работу в режиме DDR5-8000+ с памятью производства CXMT. Конкурирующая Asus начала сертификацию по программе ROG для модулей памяти китайских марок Biwin, Asgard и Lexar. Модули памяти Biwin также были замечены в составе игровых ноутбуков Acer Predator. Для игровых моделей ПК использование памяти китайских поставщиков до сих пор считается большой редкостью. Мощности китайских производителей памяти не так велики, чтобы всерьёз конкурировать с южнокорейскими по степени распространения продукции, но учитывать факт её присутствия на рынке тайваньским производителям теперь приходится. Экспансия китайской памяти за пределами домашнего рынка, помимо прочего, может способствовать снижению общего уровня цен. Вслед за Kioxia компания Sandisk объявила о начале поставок NAND-памяти, выпущенной по технологии BiCS10
04.07.2026 [08:32],
Алексей Разин
Компании Kioxia и Sandisk сотрудничают более двадцати лет, хотя первая из них в начале этого пути входила в состав Toshiba. Текущее соглашение подразумевает совместный выпуск твердотельной памяти минимум до конца 2034 года, поэтому свою деятельность Sandisk синхронизирует с Kioxia. Как и она, первая из компаний объявила о начале поставок образцов передовой 332-слойной памяти TLC NAND. 
Источник изображения: Sandisk Поскольку это, по сути, одна и та же продукция, Sandisk ничего нового в отношении образцов 1-терабитных микросхем TLC, производимых по технологии BiCS десятого поколения, рассказать не смогла. Плотность хранения данных превышает 29 Гбайт на квадратный миллиметр площади, что в удельном измерении позволяет говорить о 59-процентном превосходстве над BiCS8, а также увеличении пропускной способности на треть по сравнению с той же памятью. Соответственно, сообщается и о повышении энергетической эффективности, которое уже наблюдалось в случае с аналогичной продукцией Kioxia: до 10 % на операциях ввода и 34 % на операциях вывода. Повышение плотности хранения данных, скорости их передачи и снижение энергозатрат отлично вписываются в набор приоритетов операторов центров обработки данных, которым нужна более ёмкая и скоростная, но при этом экономичная память для долговременного хранения данных. Для Sandisk присутствие в серверном сегменте рынка должно являться важным источником выручки в условиях бума систем искусственного интеллекта. Прибыль, получаемая на этом рынке, направляется на общее развитие бизнеса компании. Kioxia начала поставлять образцы передовой 332-слойной памяти 3D NAND десятого поколения
03.07.2026 [06:32],
Алексей Разин
Японская компания Kioxia на этой неделе сообщила о начале поставок инженерных образцов памяти типа TLC плотностью 1 Тбит, которые выпускаются в 332-слойном исполнении с использованием 10 поколения технологии BiCS Flash. Как отмечается, данная память обеспечивает увеличение плотности хранения данных и быстродействия, а применяться будет главным образом в накопителях серверного класса. 
Источник изображения: Kioxia Как и в чипах восьмого поколения, новая память использует технологии CBA и OPS, одновременно предлагая пропускную способность на уровне 4,8 Гбит/с, на треть превышающую возможности памяти восьмого поколения. Плотность хранения информации в удельном выражении увеличена на 59 % благодаря 332-слойной компоновке. Расход энергии на операциях чтения сокращён на 30 %, на операциях записи — на 18 %. В условиях, когда операторы центров обработки данных начинают уделять энергопотреблению всё больше внимания, это важное достижение. Выпуск передовой 332-слойной памяти Kioxia наладит на своём новом предприятии в префектуре Иватэ, которое было введено в строй в сентябре прошлого года. Новости о выпуске образцов памяти нового поколения способствовали росту курса акций компании на 8,9 % на утренних торгах в Токио. В отличие от тех же Samsung и SK hynix, которые структуру своих поставок могут диверсифицировать за счёт DRAM и HBM, компания Kioxia выпускает только память типа NAND, поэтому ей важно не отставать от более крупных конкурентов в технологическом плане и строго следить за конъюнктурой рынка. В прошлом году Kioxia занимала в сегменте NAND для серверных систем около 10 % мирового рынка, тогда как на долю южнокорейских соперников приходилось по 40 и 30 % в случае с Samsung и SK hynix соответственно. Новейшая продукция Kioxia превосходит память южнокорейских поставщиков по скорости передачи информации, в современных условиях это важное преимущество. В этом году Kioxia удавалось стать крупнейшей японской компанией по величине капитализации на короткое время. ИИ изменил рынок памяти навсегда: дефицит сохранится до 2028 года, а на откат цен рассчитывать не стоит
01.07.2026 [10:19],
Алексей Разин
Не только производители памяти склоняются к мысли, что дефицит на этом рынке обретает долгосрочный характер, а цикличность изменения цен остаётся в прошлом. Эксперты Jefferies считают, что дефицит DRAM и NAND сократится как минимум до 2028 года, а привычные просадки цен после подъёма не будут радовать покупателей микросхем памяти в обозримом будущем. 
Источник изображения: Micron Technology В текущем квартале контрактные цены на память вырастут последовательно на 40–50 %, по мнению источника, а по итогам четвёртого квартала они увеличатся ещё на 30–40 %. Рост цен продолжится и в 2027 году, в общей сложности они поднимутся на 40–45 %, поскольку по итогам периода производители памяти ещё не успеют ввести в строй дополнительные мощности. Сейчас облачные гиганты выкупают до 50 % объёмов доступной на рынке памяти, но их доля может вырасти до 70 %. С поставщиками памяти они заключают долгосрочные контракты на период от двух лет, которые нередко подразумевают авансовые платежи до 40 % от общей суммы закупки. В сегменте потребительской электроники подобные контракты на поставку памяти не заключаются. Из-за роста дефицита им достаётся всё меньше микросхем памяти, и это влияет не только на уровень цен, но и саму способность выпускать собственную продукцию в необходимых объёмах. Как и ранее, выгодная в производстве память HBM отвоёвывает себе всё больше пространства на конвейерах производителей, а потому классическая DRAM выпускается во всё меньших количествах. Компания Samsung Electronics по мере перехода к выпуску HBM4 сможет наверстать своё отставание от конкурентов, которое наблюдалось на этапе выпуска HBM3 и HBM3E. Китайские производители памяти на мировую конъюнктуру существенно повлиять в лучшую сторону пока не могут. Передовую HBM они пока не производят в значимых количествах, а DRAM они отгружают главным образом на внутренний рынок КНР. Из-за технологического отставания от западных и корейских конкурентов на полтора или два поколения они не смогут изменить ситуацию на мировом рынке до конца 2027 года, как минимум. CXMT без доступа к EUV-литографии вряд ли сможет перейти к выпуску DDR6 или HBM3E в обозримой перспективе. В сегменте NAND влияние Китая будет выражено сильнее, поскольку местные производители к 2028 году смогут выйти на мировой уровень как с технологической точки зрения, так и по объёмам поставок. Чтобы цены на DRAM к 2028 году начали снижаться, как считают эксперты Jefferies, к тому времени мировые объёмы производства должны вырасти на величину от 15 до 20 %, но для этого должны замедлиться темпы роста спроса на память со стороны инфраструктуры ИИ. AMD поглотила стартап MEXT,разрабатывающий технологии кеширования данных в NAND
16.06.2026 [18:23],
Алексей Разин
Дефицит памяти, который ударил почти по всем сегментам экономики, был спровоцирован бурным развитием систем искусственного интеллекта. Производители памяти не спешат наращивать производственные мощности, их планы в этой сфере растянуты на несколько лет, а пока нехватку ресурсов помогут пережить технологии оптимизации работы с памятью. AMD скоро заполучит одну из них благодаря покупке стартапа MEXT. 
Источник изображения: AMD О сделке между компаниями было объявлено на этой неделе, хотя финансовая сторона вопроса не обсуждается. MEXT занимается разработкой предиктивного обращения к памяти типа NAND, в которой хранятся наиболее часто используемые данные в качестве своего рода кеша, перемещаемого порциями из DRAM и обратно. Такой подход позволяет NAND вести себя наподобие DRAM, поднимая быстродействие подсистемы памяти без физического увеличения объёма последней. AMD надеется, что такой метод оптимизации работы с памятью снизит расходы на вычислительную инфраструктуру и позволит клиентам более гибко распоряжаться имеющимися аппаратными ресурсами. Технологии MEXT будут интегрированы в предложения AMD для серверного сегмента. Разработчики стартапа перейдут в штат AMD после оформления сделки по его поглощению. С учётом актуальности проблемы нехватки памяти подобное приобретение AMD можно назвать весьма своевременным и полезным. К концу года SK hynix намерена начать массовое производство 375-слойной памяти 3D NAND
15.06.2026 [15:10],
Алексей Разин
Прогресс в технологиях производства твердотельной памяти важен, поскольку он позволяет увеличивать плотность хранения информации. Южнокорейская SK hynix, как сообщает The Elec, к концу текущего года планирует начать массовое производство передовой 375-слойной памяти типа 3D NAND. 
Источник изображения: SK hynix Верификация соответствующих технологий компанией уже завершена, началась подготовка к их масштабированию в условиях массового производства. Для освоения выпуска 375-слойной 3D NAND этот производитель не собирается строить новое предприятие, вместо этого модернизации будут подвергнуты имеющиеся на территории комплекса M15 в Чхонджу производственные линии, которые сейчас используются для изготовления памяти 3D NAND с 176, 238 и 321 слоями соответственно. В планах SK hynix память с 375 слоями фигурировала, как относящаяся к 400-слойному классу. Количество слоёв по мере приближения к моменту фактической реализации планов было сокращено из-за производственных сложностей, которые неизбежно возникают в этой сфере по мере увеличения количества слоёв в микросхемах памяти. Тем не менее, в дальнейшем SK hynix рассчитывает увеличить количество слоёв до 480 и 604 штук соответственно. Одним из новшеств при производстве 375-слойной памяти станет использование молибденовой плёнки вместо вольфрамовой в электродах металлических затворов. По мере увеличения слоёв возрастает электрическое сопротивление вольфрама, что замедляет передачу сигнала. В подобных условиях молибден демонстрирует более низкое сопротивление, позволяя ускорить передачу сигнала и поднять скорость записи и удаления данных. При нанесении вольфрамового покрытия, к тому же, требуется вспомогательный слой, который увеличивает толщину структуры, тогда как молибден позволяет обойтись без этого и увеличить плотность чипа. Использование молибдена представляет определённые технологические трудности, поскольку в твёрдой форме он существует в качестве сырья при комнатной температуре, а наносить его придётся при нагреве. Конкурирующая Samsung Electronics на использование молибдена перешла ещё в апреле 2024 года при выпуске 286-слойной памяти 3D NAND. Во второй половине текущего года Samsung планирует начать массовый выпуск памяти с более чем 400 слоями. Молибден при этом будет использоваться более активно, чем предусматривалось изначально. Samsung для нанесения молибдена отдаёт предпочтение оборудованию американской Lam Research, а SK hynix собирается применять оборудование японской Tokyo Electron. В первом случае за один подход обрабатывается только одна кремниевая пластина, а японское оборудование позволяет в специальной печи обрабатывать по 100 пластин одновременно. Оно не только более компактное и дешёвое, но позволяет более экономично расходовать молибден. Поставлять сырьё для нужд SK hynix планируют компании Air Liquide, Entegris и Merck KGaA, в числе корейских кандидатов фигурирует SK Specialty. Спрос на молибден в этой сфере будет увеличиваться. SK hynix на первых порах планирует потреблять до 4 тонн сырья в год, тогда как Samsung только в этом году потребуются 10 тонн молибдена. В следующем году потребность второй из компаний увеличится до 25 тонн, а к 2030 году достигнет 80 тонн. Производителям 3D NAND выгоднее наращивать производство более дорогой и ёмкой памяти, чем просто расширять мощности, стратегия SK hynix в этой сфере соответствует данному принципу. Silicon Motion нарастила продажи SSD-контроллеров на фоне дефицита NAND — нехватка памяти усугубится в 2027 году
04.06.2026 [18:03],
Сергей Сурабекянц
Цены на SSD достигли рекордных максимумов в первом квартале 2026 года на фоне высокого спроса и дефицита памяти 3D NAND для устройств потребительского класса. В то же время Silicon Motion отчиталась о росте выручки от производства контроллеров SSD благодаря высоким продажам корпоративных устройств. Компания уверена в спросе со стороны сектора ЦОД, но ожидает усиление дисбаланса между спросом и предложением для потребительских SSD. 
Источник изображения: Silicon Motion Продажи Silicon Motion в первом квартале составили $342,1 млн, что на 23 % больше, чем в предыдущем квартале, и на 105 % больше, чем годом ранее, при этом продажи контроллеров SSD выросли на 40-45 % в годовом исчислении. По всей видимости, компании удалось увеличить продажи как потребительских, так и корпоративных контроллеров. В последнем случае компания нарастила поставки своих контроллеров SSD PCIe 5.0, поскольку спрос со стороны сегмента ЦОД был особенно высок. Спрос со стороны секторов ИИ и облачных вычислений будет продолжать расти, что позволит компании продать рекордное количество контроллеров SSD корпоративного класса. Однако в секторе потребительских решений ситуация заметно сложнее. «Во второй половине этого года я ожидаю, что ситуация останется в основном неизменной; предложение будет по-прежнему очень ограниченным, — заявил старший вице-президент подразделения клиентского бизнеса Silicon Motion Нельсон Дуанн (Nelson Duann). — 2027 год будет худшим. Производители NAND настроены очень пессимистично. […] Условия поставок станут ещё хуже, потому что операторы связи и ЦОД продолжают увеличивать спрос. В результате у поставщиков NAND практически нет выбора, кроме как сосредоточить свои ресурсы на рынке ЦОД». Это не означает, что крупные производители памяти NAND вообще не будут поставлять флэш-память для потребительских приложений. Однако дисбаланс спроса и предложения в этом секторе существенно ухудшится в 2027 году. «Они [производители флеш-памяти] по-прежнему хотят поддерживать некоторые поставки для потребительских товаров, таких как клиентские устройства, и меньшую долю для автомобильных приложений, но этих объёмов недостаточно, чтобы изменить общую ситуацию», — полагает Дуанн. Хотя для потребителей эта ситуация крайне неблагоприятна, таким компаниям, как Silicon Motion, она может сыграть на руку. Производители твердотельных накопителей могут сократить ёмкость своих накопителей, чтобы удовлетворить спрос, но потребность в контроллерах для SSD не снизится, а в некоторых случаях даже возрастёт. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
