На конференции ISSCC 2023 представители компании SK hynix выступили с докладом, в котором сообщили о разработке флеш-памяти 3D NAND с более чем 300 слоями. Документ готовили 35 инженеров компании, что лишний раз подчёркивает сложность совершенствования техпроцесса производства многослойной флеш-памяти. Примечательно, что разработчики намерены не только увеличить плотность записи, но и значительно поднять пропускную способность чипов: со 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с.

Предыдущий рекордсмен — 238-слойная 3D NAND SK hynix. Источник изображения: SK hynix

Нетрудно понять, что инженеры SK hynix работают по двум основным и важнейшим направлениям: они намерены повысить плотность записи (снизить стоимость хранения каждого бита данных) и повысить производительность. С появлением «многоэтажной» 3D NAND повышать плотности записи стало довольно просто в идее, но сложно в исполнении — это увеличение числа слоёв с одновременным сокращением шага между слоями. И то и другое ведёт к росту сопротивления линии wordline (WL), соединяющей ячейки в строке матрицы. Этот рост приходится тем или иным образом компенсировать, иначе пострадают быстродействие и энергоэффективность.

Сравнение 238- и 300-слойной 3D NAND

SK hynix рассказала о гипотетическом чипе памяти NAND с более чем 300 слоями, который состоит из трёхбитовых (TLC) ячеек и может похвастаться ёмкостью 1 Тбит. За счёт увеличения числа слоёв плотность размещения ячеек вырастет с 11,55 Гбит/мм² у актуальной 238-слойной памяти до более чем 20 Гбит/мм². Общую производительность памяти предложено поднимать пятью отдельными способами, в целом направленными на ускорение процессов записи, стирания и чтения. Для этого придётся внести изменения в последовательности и тайминги команд.

В частности, предложено реализовать метод тройной проверки программирования (TPGM) вместо ранее двойной проверки DPGM. В новой версии ячейки будут делиться на четыре группы, а не на три. Технология TPGM уменьшает параметр tPROG и это вместе с увеличенной разбивкой примерно на 10 % сократит время программирования ячеек.

Также параметр tPROG уменьшит новая технология адаптивного предварительного заряда невыбранной строки (AUSP). Это ускорит работу с ячейками ещё примерно на 2 %. Ещё немного ускорения получится за счёт снижения ёмкостной нагрузки на линию WL, что обеспечит метод программируемой фиктивной строки (PDS). Метод всепроходного нарастания (APR) даст уменьшение времени считывания (tR), что выразится в сокращении времени реакции линии WL на новый уровень напряжения и улучшит время чтения на 2 %. Наконец, для улучшения качества обслуживания во время стирания применят метод повторного чтения на уровне плоскости (PLRR).

Компиляция по данным о поколениях 3D NAND разных производителей. Источник изображения: blocksandfiles.com

Всё вместе, как сказано выше, позволит поднять скорость работы 1-Тбит 3D NAND TLC компании SK hynix за поколение с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с с одновременным увеличением плотности записи. Уточним, представители компании не стали и вряд ли могли раскрыть производственный график по выпуску памяти NAND 300+. Можно ожидать, что первые прототипы начнут появляться к концу года или даже не раньше начала 2024 года. Пока же и в течение текущего года в производстве будет находиться память с 230+ слоями, выпуск которой в той или иной степени наладили все главные игроки рынка NAND-памяти.

Всё прошлое полугодие, по словам аналитиков TrendForce, характеризовалось снижением спроса на флеш-память типа NAND, и контрактные цены снизились на 20‒25 %. В сегменте корпоративных SSD снижение цен достигло 28 %. В четвёртом квартале выручка поставщиков памяти типа NAND последовательно сократилась на 25 % до $10,29 млрд.

Источник изображения: Samsung Electronics

Что интересно, фактические объёмы поставок выросли на 5,3 %, но всё же средние цены реализации упали на 22,8 %, поскольку клиенты не были готовы заключать контракты на поставки флеш-памяти даже по сниженным ценам, опасаясь затоваривания собственных складов. По данным TrendForce, компании Kioxia и Micron в прошлом квартале столкнулись как со снижением объёмов производства флеш-памяти, так и со снижением цен. Низкий спрос на микросхемы памяти в сегменте ПК и смартфонов привёл к снижению выручки Kioxia на 30,5 %, тогда как в серверном сегменте клиенты пытались избавиться от излишков памяти на складах. Тем не менее, по итогам второго квартала Kioxia сохранила за собой статус второго по величине производителя памяти после Samsung c долей рынка 19,1 % в денежном выражении.

Непосредственно выручка Samsung Electronics от реализации флеш-памяти последовательно сократилась на 19,1 % до $3,5 млрд, но корейский гигант всё равно остаётся лидером рынка с долей в 33,8 %, которая по итогам четвёртого квартала даже увеличилась на 2,4 процентных пункта. Компания не собирается по примеру более мелких конкурентов снижать объёмы выпуска микросхем NAND или отказываться от инвестиций в расширение производственных мощностей. В будущем это поможет ей добиться экономии на издержках и сохранить технологическое лидерство.

Источник изображения: TrendForce

На третьем месте в рейтинге крупнейших поставщиков NAND по размеру выручки оказалась SK Group, объединяющая результаты SK hynix и Solidigm — компании, которая управляет бывшим предприятием Intel в китайском Даляне. Выручка этой группы упала на 30,9 % последовательно до $1,76 млрд, занимаемая ею доля рынка уменьшилась с 18,5 до 17,1 %. При этом фактические объёмы поставок продукции выросли на 6,7 %.

Особняком стоят результаты Western Digital Corporation, которая в сложных рыночных условиях смогла не только ограничить снижение выручки 3,8 %, но и увеличить свою долю рынка с 12,6 до 16,1 % всего лишь за один квартал. Этому способствовал рост объёмов поставок продукции на 20 %, хотя снижение цен неминуемо привело к падению выручки на 3,8 %. По крайней мере, оно оказалось минимальным среди всех участников рейтинга TrendForce.

Micron пришлось ограничиться выручкой в размере $1,1 млрд, которая оказалась на 34,7 % ниже, чем в третьем квартале, а степень загрузки предприятий компании тоже упала. Это не помешало Micron в четвёртом квартале начать поставки 232-слойной памяти типа 3D NAND в составе твердотельных накопителей для клиентского рынка. Компания в ближайшее время должна продемонстрировать рост объёмов поставок продукции.

По данным TrendForce, в первом квартале сокращать объёмы производства памяти будут Kioxia, Micron, WDC и SK hynix. Это приведёт к последовательному снижению средней цены реализации микросхем памяти на 10‒15 %. Первый квартал традиционно характеризуется низкой активностью покупателей, поэтому выручка отрасли может последовательно снизиться на 8,1 %.

Мировое производство чипов памяти переживает огромнейший спад спроса. Во втором полугодии 2022 года были зафиксированы самые значительные квартальные падения цен за всё время с момента начала наблюдений, пишет агентство Bloomberg.

Источник изображения: Pixabay

По данным TrendForce, средняя цена на оперативную память DRAM упала в третьем квартале прошлого года на 31,4 % по сравнению с тем же периодом 2021 года, а в четвёртом квартале падение усилилось, составив 34,4 %. Ситуация с чипами флеш-памяти NAND ненамного лучше, сообщили аналитики, отметив, что за эти кварталы были зарегистрированы самые значительные снижения цен в отрасли с 2006 года.

Из-сложившейся ситуации большинство ведущих вендоров сократили объёмы производства и приостановили строительство новых мощностей. Компании Micron Technology, SK hynix и Kioxia объявили о мерах по стабилизации рынка с помощью сдерживания избыточного предложения. Исключение составляет лишь Samsung Electronics, которая планирует направить в этом году более $30 млрд на наращивание производственных мощностей.

Samsung делает ставку на долгосрочный рост потребления микросхем памяти, обусловленный растущим развёртыванием ресурсоёмких облачных сервисов, увеличением производства подключённых автомобилей и внедрением систем искусственного интеллекта. В своём последнем квартальном отчёте компания прогнозирует дальнейшее сокращение рынка смартфонов, вместе с тем ожидая, что ИИ-решения, такие как чат-бот ChatGPT, станут драйвером роста спроса на её продукцию.

Ранее в этом месяце ресурс BusinessKorea сообщил о том, что у Samsung Electronics и SK hynix отмечен значительный рост заказов в этом году на память с высокой пропускной способностью (HBM), которая в сочетании с мощными процессорами и графическими ускорителями позволяет значительно повысить производительность серверов при обучении и вычислениях ИИ.

На протяжении двух предыдущих лет, как поясняет TrendForce, спрос на флеш-память рос преимущественно за счёт потребности в оснащении SSD персональных компьютеров, а именно — ноутбуков. Этот фактор роста себя исчерпал, и в последующие три года, по мнению экспертов, спрос на память типа NAND будет от силы увеличиваться на 30 % ежегодно.

Источник изображения: Micron Technology

В сегменте ноутбуков уже в этом году 92 % продаваемых моделей изначально оснащаются твердотельными накопителями, в следующем году этот показатель вырастет до 96 %. Клиентский сегмент начинает сильно влиять на спрос на флеш-память в целом, но рынок ПК после стабилизации эпидемиологической обстановки в мире должен сжаться по сравнению с периодом пандемии. Это и замедлит темпы роста объёмов продаж твердотельных накопителей.

Средний объём флеш-памяти в одном твердотельном накопителе в этом году уже превысил 500 Гбайт. Цены на накопители подобного объёма сейчас упали почти до уровня, который был присущ ценам на SSD объёмом 256 Гбайт около шести месяцев назад. Фактически, цены на твердотельные накопители объёмом 512 Гбайт сейчас близки к стоимости жёстких дисков на магнитных пластинах аналогичного объёма. Впрочем, для сегмента готовых ноутбуков это не станет толчком к переходу на использование твердотельных накопителей объёмом 1 Тбайт, поскольку параллельно выросли бы и затраты на лицензирование Windows. Это дополнительно ограничит рост спроса на память типа NAND в ближайшие годы, по мнению экспертов TrendForce.

При этом в более низком ценовом сегменте Microsoft стимулирует производителей ноутбуков переходить на UFS-накопители объёмом 128 Гбайт, и это снижает спрос на традиционные SSD аналогичной ёмкости. Тенденция лишь усилится в дальнейшем, когда новые процессорные платформы предложат поддержку UFS 3.1 и более высокие скорости передачи информации.

Специалисты TrendForce ожидают, что в этом году спрос на память типа NAND со стороны клиентских накопителей вырастет всего на 4,3 %, а по итогам следующего — на 11,6 %. Средняя ёмкость твердотельного накопителя в клиентском сегменте при этом вырастет на 18,2 % в текущем году и на 9,6 % в следующем. Пройдёт какое-то время, прежде чем твердотельные накопители для корпоративного применения станут главным локомотивом спроса на память типа NAND, отобрав инициативу у клиентских решений.

Компания Samsung в первой половине декабря увеличила цены на свою флеш-память 3D NAND на 10 % вслед за новостями о том, что китайский производитель флеш-памяти YMTC попал в «чёрный список» экспортного контроля Министерства торговли США, сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на отчёт DigiTimes. Поскольку некоторые поставщики электроники приостановили своё сотрудничество с YMTC, другие производители памяти 3D NAND отметили резкий скачок спроса на свою продукцию.

Источник изображения: Samsung

Ранее власти США открыто назвали YMTC угрозой национальной безопасности. В результате от сотрудничества с крупнейшим в Поднебесной производителем чипов памяти отказались многие компании, в том числе и Apple, прекратившая закупки микросхем 3D NAND даже для своих смартфонов iPhone, которые должны продаваться в Китае.

Судя по всему, другие производители электроники последовали примеру «яблочного» гиганта и приостановили работу с китайским поставщиком флеш-памяти. Они либо боятся мер американских властей, либо беспокоятся о том, что не смогут вовремя получить свои заказы от китайского поставщика, ведь YMTC не сможет закупать оборудование для производства чипов с американскими технологиями без соответствующего разрешения со стороны правительства США.

В конечном итоге спрос на флеш-память 3D NAND от других производителей, включая Micron, Samsung и SK hynix резко возрос. Samsung решила воспользоваться ситуацией и увеличить контрактные цены на свою память 3D NAND, говорится в отчёте DigiTimes.

Пока непонятно, как решение Samsung об увеличении цен на флеш-память в первой половине декабря повлияет на общую картину ценообразования на рынке данного типа памяти, а также на цены продуктов, которые используют эту память. В течение последних месяцев цены на память 3D NAND постоянной падали, поэтому действия Samsung могут стимулировать и других производителей флеш-памяти поднять стоимость своей продукции для повышения прибыли.

Китайская компания YMTC выполнила ранее намеченные планы и запустила массовое производство 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND, тем самым обогнав в этом деле куда более именитых игроков рынка в лице Kioxia и SK hynix. Заметим, что Samsung и Micron объявили о запуске массового производства флеш-памяти с более чем 230 слоями ранее в этом году.

Источник изображений: Tech Insights

Китайский производитель анонсировал 232-слойную память YMTC X3-9070 в августе этого года, одновременно с этим представив фирменную инновационную архитектуру памяти Xtacking 3.0. Она предполагает составление чипа NAND из двух кристаллов: на одном размещается массив ячеек памяти 3D NAND, а на другом — цепи питания и управления. Массивы и контроллеры можно выпускать с использованием разных техпроцессов, поскольку первые и вторые изготавливаются на разных кремниевых пластинах. Впоследствии управляющая микросхема совмещается с массивами ячеек памяти, и на выходе появляется полнофункциональный чип памяти 3D NAND. Раздельное производство ячеек и контроллеров позволяет сэкономить место на плоскости кристаллов памяти (выпустить с каждой пластины больше ячеек), а также модернизировать ячейки или контроллеры без привязки к производству одних и других.

Для китайской YMTC, да и в целом для всей индустрии выход на массовое производство 232-слойной памяти очень знаковое событие. Ещё сильнее оно впечатляет, если вспомнить, что YMTC занялась бизнесом по производству памяти относительно недавно, в 2016 году, когда более именитые игроки рынка занимаются этими технологиями более двух десятков лет.

Первая версия архитектуры Xtacking, дебютировавшая в 2016 году и позволявшая производить 64-слойные чипы флеш-памяти, предполагала недорогой способ спайки кремниевых пластин. Уже в 2020 году YMTC вышла на массовое производство 128-слойной флеш-памяти 3D NAND. Она была основана на архитектуре Xtacking 2.0, представленной годом ранее, в которой предполагалось использование в структуре кристаллов памяти силицида никеля (NiSi) вместо силицида вольфрама (WSi) для повышения производительности самих чипов и их скорости операций ввода-вывода. Столь стремительная эволюция недорогой флеш-памяти настолько впечатлила компанию Apple, что та подписала контракт на поставку компонентов с китайским производителем. Однако из-за санкций Apple была вынуждена расторгнуть это партнёрство в октябре 2022 года.

Представленная в этом году архитектура Xtacking 3.0 ещё сильнее упрощает производственный процесс, снижает стоимость и одновременно позволят производить более многослойные микросхемы флеш-памяти. На недорогую 232-слойную флеш-память YMTC определённо найдётся огромное количество покупателей среди производителей бытовой электроники, смартфонов, телевизоров и прочей техники. Использование многослойной памяти напрямую влияет на размеры электронных устройств. Чем больше слоёв у чипов памяти, тем меньше микросхем требуется для того или иного устройства, что сокращает затраты на его производство или позволяет увеличить объёмы выпуска.

В третьем квартале 2022 года глобальный рынок флеш-памяти NAND столкнулся со значительным снижением спроса, сообщает TrendForce. Исследование показало, что за указанный период из-за неблагоприятной рыночной ситуации продажи флеш-памяти обеспечили выручку в $13,71 млрд, что на 24,3 % меньше по сравнению со вторым кварталом. При этом общая ёмкость проданных чипов NAND сократилась лишь на 6,7 % относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: SK hynix

Сообщается, что весь рынок флеш-памяти в третьем квартале был сильно ослаблен из-за снижения спроса. Поскольку поставки конечной продукции, включая бытовую электронику и серверы, оказались ниже ожиданий, общий показатель средней цены продажи (ASP) упал на 18,3 % по сравнению со вторым кварталом. Общие экономические перспективы оставались пессимистичными, поэтому представители разных отраслей начали сокращать собственные планы капитальных расходов и снизили темпы закупок, в том числе и чипов памяти. В связи с этим проблема избыточных запасов в конечном счёте оказала негативное влияние на поставщиков флеш-памяти NAND.

В рейтинге поставщиков флеш-памяти NAND по объёму выручки в третьем квартале произошло два заметных изменения. Во-первых, SK hynix опустилась на третьем место, поскольку компания столкнулась с самым большим падением доходов среди поставщиков. По данным TrendForce, выручка SK hynix рухнула на 29,8 % по сравнению с предыдущим кварталом и составила $2,54 млрд. В основном такое снижение обусловлено падением спроса на компьютеры и смартфоны. Solidigm, дочернее предприятие SK hynix, также пострадало из-за снижения спроса на серверы.

Вторым заметным изменением в третьем квартале стало возвращение компании Kioxia на второе место рейтинга по выручке и доле рынка. Несмотря на то, что Kioxia была вынуждена значительно снизить среднюю отпускную цену флеш-памяти из-за падения спроса на потребительскую электронику, компания сумела увеличить объём поставок на 23,5 % по сравнению с предыдущим кварталом. Объём выручки Kioxia в квартале снизился всего на 0,1 % по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком и составил $2,83 млрд.

Источник изображения: TrendForce

Другие производители флеш-памяти NAND, включая Samsung, Western Digital и Micron, столкнулись со значительным снижением выручки в третьем квартале из-за падения цен и спроса. Samsung за последние три месяца снизила объём поставок твердотельных накопителей корпоративным клиентам. Доход Samsung в этом сегменте в третьем квартале снизился на 28,1 % по сравнению с предыдущим кварталом и составил $4,3 млрд. Доход Western Digital в сегменте устройств на флеш-памяти NAND сократился на 28,3 % до $1,72 млрд. Доход Micron от продаж NAND в третьем квартале снизился на 26,2 % по сравнению с предыдущей четвертью года и составил $1,69 млрд.

Аналитики TrendForce считают, что в четвёртом квартале выручка от продаж флеш-памяти NAND продолжит снижаться. За исключением Samsung поставщики будут более осторожны при планировании объёмов производства, чтобы быстрее восстановить баланс между спросом и предложением.

Компания Samsung сообщила о старте массового производства чипов флеш-памяти 3D V-NAND TLC нового, 8-го поколения, пишет портал Tom’s Hardware. Новые микросхемы имеют ёмкость 1 Тбит (128 Гбайт) и, предположительно, состоят из 236 слоёв, хотя сама Samsung не уточняет данный аспект. Производитель лишь называет новинки флеш-памятью с самой высокой плотностью битов в отрасли.

Источник изображения: Samsung

Микросхемы флеш-памяти Samsung 3D V-NAND TLC 8-го поколения способны обеспечить скорость передачи на уровне 2400 МТ/с и в сочетании с передовыми контроллерами могут использоваться в составе потребительских твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0. По словам Samsung, такие SSD предложат скорость передачи данных свыше 12,4 Гбайт/с.

Samsung утверждает, что использование новой технологии производства позволило получать больше памяти с одной кремниевой пластины — прирост составил 20 % по сравнению с выпускаемыми ранее микросхемами флэш-памяти той же ёмкости. В конечном итоге это позволит снизить производственные затраты, и потенциально может означать более дешёвые твердотельные накопители для потребителей.

Подробности архитектуры новых чипов 3D V-NAND TLC 8-го поколения компания не раскрывает. Как пишет портал Tom’s Hardware, как и другие производители, Samsung получает память с более чем 200 слоями путём укладки друг на друга 128-слойных кристаллов. В процессе «притирки» часть слоёв теряется, что не позволяет добиться идеала в виде 256-слойных микросхем 3D NAND, но никто не мешает к нему стремиться. Так ранее в этом году Micron представила чипы 3D NAND с 232 слоями, а SK hynix — с 238 слоями.

О первых продуктах на базе новых чипов флеш-памяти Samsung пока тоже ничего не говорит.

Построившая свой бизнес на наследии Toshiba компания Kioxia неожиданно для сложившихся рыночных условий в минувшую среду объявила об открытии нового предприятия по выпуску флеш-памяти стоимостью $6,79 млрд. Строительные работы на площадке Fab7 в Японии завершились ещё в апреле, а к работе предприятие приступит этой осенью после завершения монтажа оборудования.

Источник изображения: Kioxia

В префектуре Миэ появление дополнительного предприятия позволит увеличить локальные объёмы производства микросхем твердотельной памяти на 30 %, как отмечает Nikkei Asian Review. Почти десятую часть затрат на строительство Fab7 субсидировало японское правительство, предприятие сможет выпускать 162-слойную память типа 3D NAND, а затем и продукты будущих поколений. Половину затрат по проекту взяла на себя американская корпорация Western Digital, поскольку данная площадка выпускает память в интересах её совместного предприятия с Kioxia.

Предусмотрено строительство и второй фазы Fab7, хотя сроки его завершения пока не конкретизируются. Kioxia при этом продолжает строить новое предприятие и в префектуре Иватэ на севере Японии. Впрочем, спад спроса на память внёс свои коррективы в операционную деятельность Kioxia. С этого месяца количество обрабатываемых кремниевых пластин с микросхемами памяти на обоих предприятиях будет сокращено на 30 %. Сильнее оно урезалось только в 2012 году, когда Kioxia только обрела структурную независимость от Toshiba. Руководство компании не может с уверенностью утверждать, что это будут последние меры по сокращению производства памяти в обозримом будущем. С 2020 года Kioxia не может выбрать подходящий момент для публичного размещения акций, но текущая обстановка не позволяет считать такой шаг оправданным сейчас.

Хотя производители чипов флеш-памяти 3D NAND урезают объёмы выпуска своей продукции её запасов по-прежнему настолько много, что цены на изделия с ними продолжат снижаться в ближайшие месяцы. К таким выводам пришли аналитики компании Trendfocus. По их мнению, ко второй половине 2023 года цены на флеш-память могут упасть вдвое по сравнению с нынешним уровнем.

Источник изображения: Micron

Снижение спроса на рынке ПК со стороны потребителей и бизнеса означает неминуемое снижение спроса на различные компьютерные комплектующие. Сегмент флеш-памяти в целом и твердотельных накопителей в частности ощущает удар сильнее остальных. Ключевыми факторами падения рынка флеш-памяти аналитики называют относительную простоту её производства, высокую конкуренцию и большие запасы на складах.

О сокращении объёмов обработки кремниевых пластин для чипов флеш-памяти 3D NAND на 30 % с 1 октября заявила компания Kioxia. Компания Micron тоже замедлила выпуск 232-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND. Следует отметить, что на базе этих чипов выпускаются одни из самых скоростных твердотельных накопителей с пропускной способностью выше 10 Гбит/с. Однако мгновенно свои производства компании урезать не могут, отмечают специалисты Trendfocus, поэтому запасы чипов продолжат накапливаться на складах. В свою очередь производители твердотельных накопителей не спешат делать новые заказы на чипы, поскольку на их складах накопились большие запасы SSD, которые тоже необходимо реализовать.

На той же площадке Amazon сегодня можно найти твердотельный NVMe-накопитель Crucial P3 объёмом 500 Гбайт по цене всего $44. Это примерно 8,8 центов за один гигабайт. Есть и более доступные предложения. Например, 2,5-дюймовый SATA SSD PNY CS900 такого же объёма предлагается за $31 или по 6,2 цента за гигабайт. Несмотря на то, что цены памяти уже находятся на очень низком уровне, эксперты Trendfocus прогнозируют, что к середине 2023 года они упадут ещё на 40–50 %, что ещё сильнее снизит стоимость твердотельных накопителей.

Сейчас сложно подсчитать, какое количество SSD и чипов флеш-памяти 3D NAND находится на складах у десятков производителей, однако по мнению Trendfocus, этих запасов хватит как минимум на два квартала для снабжения сегмента облачных вычислений, а также производителей ПК.

Аналитики делают предположение, что стоимость накопителей продолжит снижаться как минимум в течение следующих двух кварталов. При этом сильнее всего должны подешеветь модели SSD с поддержкой интерфейсов PCIe 3.0 x4 и PCIe 4.0 x4. Накопители с новым интерфейсом PCIe 5.0 x4 ещё даже не вышли и вряд ли их ожидает быстрое падение в цене.

Рынок микросхем флеш-памяти переживает настоящий коллапс. Как заявил генеральный директор компании Phison Electronics Кхейн-Сенг Пуа (KS Pua), рынок флеш-памяти NAND уже достиг дна — соответствующие чипы продаются по ценам ниже их себестоимости. Об этом сообщил портал Digitimes.

Источник изображения: BPM Mycrosystems

Хотя Phison Electronics не является партнёром всех компаний, действующих в этой отрасли, наверняка заявления Пуа в целом соответствуют общей ситуации на рынке. Ранее сообщалось, что Micron и Kioxia ограничивают загрузку производственных мощностей из-за перепроизводства и уже прекратили выпуск некоторых продуктов для рынка памяти. Ранее сообщалось, что цены будут падать до второй половины 2023 года.

Известно, что это делается для борьбы со скопившимися на складах запасами и недопущения дальнейшего падения цен на фоне экономического кризиса и снижения спроса. Ожидается, что ограничение производства позволит вновь поднять цены до уровня, когда выпуск вообще целесообразен.

По прогнозам аналитиков из TrendForce, в четвёртом квартале твердотельные накопители сильно подешевеют. Эксперты считают, что цены как на клиентские, так и на корпоративные модели SSD могут рухнуть на 15–20 процентов.

Источник изображений: ComputerBase.de

Специалисты отмечают, что на рынке наблюдается значительный избыток запасов флеш-памяти 3D NAND, использующихся в SSD. Глобальный экономический кризис и связанная с ним высокая инфляция сокращают покупательских интерес к новой электронике, компьютерам и смартфонам. Многим производителям приходится прибегать к практике распродаж своих товаров. Ценовая конкуренция между поставщиками чипов памяти, такими как Samsung, SK hynix, Micron и Kioxia (вместе с Western Digital) продолжит расти, что приведёт к снижению стоимости чипов памяти, а в итоге и конечных продуктов, использующих память NAND.

Что касается рынка флеш-памяти eMMC и UFS, которая в основном применяется в мобильных устройствах, то здесь прогнозируется снижение цен на 13–18 процентов. К этому ведёт вялый спрос на хромбуки, телевизоры и смартфоны, отмечают аналитики.

Источник изображения: TrendForce

По оценкам экспертов, низкий спрос на кремниевые пластины с чипами флеш-памяти 3D NAND в сочетании с наращиванием объёмов их производства и запасов приведёт к снижению их стоимости на 20–25 % по итогам четвёртого квартала.

По данным немецкого издания ComputerBase, на местном рынке уже наблюдается снижение цен на некоторые модели твердотельных накопителей, в частности, на модели начального ценового сегмента. В некоторых случаях стоимость SSD объёмом 1 Тбайт опустилась ниже 60 евро или меньше 6 евроцентов за 1 Гбайт. Если прогнозы TrendForce верны, стоимость гигабайта должна к концу года упасть ниже 5 евроцентов.

Растущее давление инфляции на мировой рынок в сочетании с рухнувшим ещё во втором квартале спросом на память со стороны производителей смартфонов, телевизоров и ноутбуков не ослабнет как минимум до конца текущего года. Исходя из этого аналитики из TrendForce пересмотрели свой прогноз относительно снижения стоимости флеш-памяти 3D NAND. Если раньше предрекалось падение на 8–13 %, то теперь аналитики говорят об обвале до 13–18 % к концу III квартала 2022 года.

Источник изображения: YMTC

В сегменте клиентских SSD цены на флеш-память 3D NAND снизятся на 10–15 %, считают аналитики. Этому поспособствуют слабый спрос на рынке хромбуков и ноутбуков для образовательных целей, а также растущие объёмы поставок более доступных продуктов (SSD) на основе 176-слойных чипов памяти китайской компании YMTC, которая благодаря оптимизации затрат на их производство продолжает увеличивать объёмы выпуска.

Такое же снижение цен в размере 10–15 % на флеш-память 3D NAND ожидается на рынке корпоративных твердотельных накопителей. Аналитики отмечают, что закупки корпоративных SSD в третьем квартале снижаются, а заказы от держателей китайских облачных платформ не растут. Поскольку покупатели флеш-памяти 3D NAND для корпоративных SSD ожидают, что снижение контрактных цен на этот тип памяти будет наблюдаться как минимум до второго квартала 2023 года, поставщики памяти оказались не в состоянии стимулировать рост продаж своей продукции и были вынуждены пойти на ценовые уступки.

Источник изображения: TrendForce

Снижению цен на память eMMC на 13–18 % ко концу третьего квартала будут способствовать снижение поставок хромбуков и телевизоров, спрос на которые будет падать до конца текущего года, считают эксперты. И хотя спрос на сетевое оборудование, где также используется этот тип памяти, сейчас достаточно высок, он не способен компенсировать недостаток спроса на eMMC память в других сегментах.

Рынок смартфонов, где используются память типа UFS, тоже переживает не самые лучшие времена. Южнокорейская компания Samsung, а также китайские производители мобильных устройств сосредоточились на сокращении запасов своих продуктов и снизили прогнозы относительно объёмов поставок новых смартфонов. Закупки памяти UFS идут медленно и по мнению TrendForce, для стимуляции продаж её производители по итогам текущего квартала снизят на неё цены на 13–18 % вместо ранее прогнозируемых 8–13 %.

По оценкам аналитиков, низкий спрос на не нарезанные кремниевые пластины с чипами флеш-памяти 3D NAND в сочетании с наращиванием объёмов их производства и запасов приведёт к снижению их стоимости на 15–20 % по итогам текущего квартала.

Компания Apricorn анонсировала флеш-брелок Aegis Secure Key 3, предназначенный для хранения конфиденциальной информации. В устройстве применяется аппаратное шифрование данных в соответствии со стандартом FIPS 140-2 Level 3.

Источник изображений: Apricorn

Представленная новинка имеет вместимость 2 Тбайт. Утверждается, что это первое на коммерческом рынке изделие столь высокой ёмкости с аппаратным шифрованием. Для защиты файлов используется кодирование AES-XTS с 256-битным ключом. Шифрование выполняется «на лету», а для работы с устройством не требуется дополнительное программное обеспечение.

Флеш-брелок оснащён встроенной клавиатурой для аутентификации. Реализованы независимые режимы для администратора и пользователей. Есть возможность настройки минимальной длины PIN-кода. Накопитель заключён в прочный алюминиевый корпус, который защищён от влаги и пыли по стандарту IP68.

Цена Aegis Secure Key 3 вместимостью 2 Тбайт составляет около 1000 долларов США. Доступны также версии ёмкостью от 16 Гбайт, которые стоят от 130 долларов.

На этой неделе состоится конференция Flash Memory Summit 2022, в рамках которой компания Kioxia, которая образовалась из подразделения Toshiba Memory, вместе со всей отраслью отметит важное событие. Дело в том, что в этом году исполняется 35 лет с момента изобретения флеш-памяти NAND, которая и была разработана инженером Toshiba Memory.

Источник изображения: techpowerup.com

Изобретателем флеш-памяти является японский профессор Фудзио Масуока (Fujio Masuoka), который начал работать в Toshiba в 1971 году. Оглядываясь на революционную технологию флеш-памяти, которая появилась в 1987 году, Kioxia продолжает смотреть в будущее, представляя инновационные продукты, форм-факторы и решения. В рамках выставки FMS 2022 компания расскажет о своём видении будущего флеш-памяти и её использовании для продвижения и усовершенствовании широкого спектра приложений, включая мобильные продукты, облачные вычисления, центры обработки данных, автомобильную промышленность и др.

Основную презентацию компании под названием «Kioxia: 35 лет флеш-памяти и не только» проведут Скотт Нельсон (Scott Nelson), исполнительный вице-президент и главный директор по маркетингу Kioxia, и Шигео Осима (Shigeo Ohshima), глава подразделения SSD Application Engineering. Презентация будет посвящена 35-й годовщине изобретения флеш-памяти и расскажет о том, каким компания видит будущее этой революционной технологии.

«С изобретением флеш-памяти мы вступили в совершенно новую эру — эру, которая включает в себя мобильность контента, тонкие и лёгкие форм-факторы, высокоплотное, масштабируемое хранение и многое другое. Начиная с самых первых случаев применения в 1990-х годах и заканчивая сегодняшними инновациями, влияние флеш-памяти ощущается повсюду. Проще говоря, флеш-память обогатила жизнь людей и расширила горизонты общества — и многое ещё впереди», — считает Скотт Нельсон.